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公开(公告)号：CN103171187A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110435160.5
申请日：2011-12-22
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: B32B15/04 , B32B15/20 , B32B9/04 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C14/18 , C23C28/00
Abstract: 本发明提供一种三明治式结构的透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜的模系氧化锌/铜/氧化锌。所述氧化锌薄膜的厚度为20-400nm，所述铜膜的厚度为2-8nm。本发明还提供一种三明治式结构的透明导电薄膜的制备方法，即运用原子层沉积或磁控溅射方法制备高质量的氧化锌薄膜作为底层薄膜和上层薄膜，运用磁控溅射方法制备铜薄膜作为中间层。铜膜厚度在2-8nm范围时，这种三明治式透明导电薄膜，同时具有优异的电导性能和良好的光学透过率，技术参数达到可商业化应用的水平。
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公开(公告)号：CN102994975A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110272637.2
申请日：2011-09-15
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种铝掺杂氧化锌透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：将反应腔抽真空并加热，用纯度为5N的高纯氮清洗各条气体管路及反应腔；向反应腔通入锌源前驱体脉冲，再清除多余的前驱体；然后通入水蒸汽脉冲，再清洗掉多余的水蒸汽，至此完成一个循环的氧化锌的沉积；同上完成一个循环的氧化铝的沉积；在完成氧化锌和氧化铝循环沉积后，通入高纯氢气，然后清除多余氢气，到此完成一个氢气氛条件下铝掺杂氧化锌薄膜沉积过程；完成铝掺杂氧化锌透明导电氧化物薄膜的制备。较低的制备温度可使AZO薄膜在高分子聚合物等低熔点、柔性衬底上沉积，大大扩展了在AZO薄膜应用范围。
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公开(公告)号：CN103171187B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201110435160.5
申请日：2011-12-22
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: B32B15/04 , B32B15/20 , B32B9/04 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C14/18 , C23C28/00
Abstract: 本发明提供一种三明治式结构的透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜的模系氧化锌/铜/氧化锌。所述氧化锌薄膜的厚度为20-400nm，所述铜膜的厚度为2-8nm。本发明还提供一种三明治式结构的透明导电薄膜的制备方法，即运用原子层沉积或磁控溅射方法制备高质量的氧化锌薄膜作为底层薄膜和上层薄膜，运用磁控溅射方法制备铜薄膜作为中间层。铜膜厚度在2-8nm范围时，这种三明治式透明导电薄膜，同时具有优异的电导性能和良好的光学透过率，技术参数达到可商业化应用的水平。
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公开(公告)号：CN103177800A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110436883.7
申请日：2011-12-22
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高透过率透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜的模系为二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅，或二氧化硅/二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅的多层膜结构，主体材料为金属二氧化锡与氧化锌和锡与锌，其中，锡与锌元素两者在二氧化锡/氧化锌复合层中的质量百分含量为75.9％～83.5％，锡与锌元素的质量比为45～51∶55～49，薄膜的厚度为5nm～250nm。本发明公开了一种高透过率透明导电薄膜的制备方法。本发明采用磁控溅射方法沉积的薄膜性能优异，具有良好的导电性和透光性，可广泛用于触摸屏液晶显示屏、电致发光显示、太阳能电池、晶体管等光电技术领域。
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公开(公告)号：CN103137717A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110392238.X
申请日：2011-12-01
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , C23C14/35
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种铜掺杂氧化锡透明导电薄膜，其特征在于，所述导电薄膜由三层薄膜组成，依次为氧化硅、氧化钛、铜掺杂氧化锡层，其中，氧化硅的厚度为6-9纳米，氧化钛的厚度为7.8-16.5纳米，铜掺杂氧化锡的厚度为123.8-548.7纳米，铜在氧化锡层的掺杂质量百分含量为0.8%-3.1%。本发明公开了一种铜掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：选择并清洗基片材料；利用磁控溅射工艺沉积在所述的基片表面沉积扩散阻挡层；利用磁控溅射工艺在扩散阻挡层表面沉积一层过渡层；利用磁控溅射工艺在过渡层表面沉积铜掺杂氧化锡层。本发明薄膜具有良好的导电性和高透明性，可广泛用于太阳能电池、光电等技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103073035A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201110327588.8
申请日：2011-10-25
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氧化铝纳米管的制备方法，其特征在于包括如下步骤：将聚丙烯腈、二甲基酰胺、聚乙烯吡咯烷酮混合均匀，待溶液完全澄清后，保温并连续搅拌，制备纺丝液；将制备的纺丝液引入静电纺丝装置中喷射获得聚合物纤维；将获得的聚合物纤维在200℃下保温使聚合物分子充分交联；将获得的聚合物纤维用原子层沉积方法沉积一层氧化铝薄膜；将获得表面沉积有氧化铝薄膜的聚合物纤维在1000℃下煅烧1小时，即获得氧化铝纳米管。本发明方法简单，可控性好、成膜均匀。且可以实现大规模氧化铝纳米管的制备。该纳米管可以应用在纳米电缆、纳米控制杆、纳米电容器等方面。
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公开(公告)号：CN102453880A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010527960.5
申请日：2010-11-01
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种改善磁控溅射薄膜均匀性的方法，具体的说是通过在基片下方、等离子体区域的上方，外加一个水平匀强磁场区域，并且磁场的位置和大小可以调节。附加水平磁场后，延长了溅射靶材原子(分子)的运动轨迹，增加了与其他粒子的相互碰撞机会，大大提高了薄膜的均匀性。本发明工艺简单，成膜的均匀度高，且参数可控，重复性好、适宜于大规模生产。
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公开(公告)号：CN101559547A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910049002.9
申请日：2009-04-09
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明涉及一种纳米技术领域中的适用于超声纳米焊接中焊头与样品的平行度调节方法。本发明通过在样品下方放置弹性胶垫，利用弹性胶垫的弹性形变特性，实现自动补偿焊头和样品之间的微小倾角，使得焊头与样品完全接触，确保超声能量有效均匀地施加在整个焊接区域，从而提高纳米电子器件的焊接质量。同时，该方法还具有利用弹性胶垫保护样品的作用，使得样品免于因为受力不均而产生变形乃至破损等。本发明在超声纳米焊接领域具有重要应用，特别是可以使得纳米材料在大面积范围内均匀焊接，实现纳米材料超声焊接的规模化。
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公开(公告)号：CN101428754A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810204376.9
申请日：2008-12-11
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 一种纳米技术领域的碳纳米管与金属电极的连接处理方法，首先进行碳纳米管溶液制备，然后将碳纳米管溶液加载于金属电极，再采用介电泳方法排布碳纳米管，最后通过直流退火完成处理。本发明利用直流电流产生的焦耳热对碳纳米管与金属电极接触点进行退火处理，达到降低碳纳米管与金属电极接触电阻的方法。该方法利用恒流电源，易操作，可大批量同时处理，退火时间精确可控，能量消耗极低。
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公开(公告)号：CN103177800B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110436883.7
申请日：2011-12-22
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高透过率透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜的模系为二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅，或二氧化硅/二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅的多层膜结构，主体材料为金属二氧化锡与氧化锌和锡与锌，其中，锡与锌元素两者在二氧化锡/氧化锌复合层中的质量百分含量为75.9％～83.5％，锡与锌元素的质量比为45～51∶55～49，薄膜的厚度为5nm～250nm。本发明公开了一种高透过率透明导电薄膜的制备方法。本发明采用磁控溅射方法沉积的薄膜性能优异，具有良好的导电性和透光性，可广泛用于触摸屏液晶显示屏、电致发光显示、太阳能电池、晶体管等光电技术领域。
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