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公开(公告)号：CN109575305A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811560516.6
申请日：2018-12-20
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Co-MOF气敏纳米材料的制备方法及其产品和应用，该方法构建了一种以Co为金属中心的金属有机框架结构，通过调节前驱体的浓度、比例、反应时间、反应温度等条件，制备Co-MOF气敏纳米材料。金属中心的含量与其他金属有机框架材料相比更高，具有更多气敏反应活性位点；该发明制备的Co-MOF气敏纳米材料纯度高，尺寸均一，比表面积大，气敏响应极限低，响应恢复时间短。
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公开(公告)号：CN107032399B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201710316456.2
申请日：2017-05-08
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: C01G31/00
Abstract: 本发明涉及一种具单斜白钨矿晶型钒酸铋纳米片及其制备方法和应用，采用醇‑水热法，配置适量的Bi(NO)3·5H2O乙二醇溶液和NH4VO3水悬浮液液；通过优化NH4VO3水悬浮液液加入Bi(NO)3·5H2O乙二醇溶液中的方式控制反应过程；将反应完全的溶液放入高压反应釜反应，冷却至室温后将产物用去离子水和无水乙醇交替冲洗；放置管式炉中煅烧，即可在不添加表面活性剂的条件下制备尺寸均匀并具有良好光催化性能的单斜白钨矿晶型的钒酸铋纳米片。本发明提供了一种醇‑水热方法，在不添加任何表面活性剂或螯合剂的条件下，通过优化加料模式及煅烧的方法，成功制备了尺寸均匀并对甲基橙具有良好光催化性能的单斜白钨矿晶型的钒酸铋纳米片，其褪色率能够达到98.44%；该制备方法简单可控，重复性高，具有明显的应用价值。
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公开(公告)号：CN109205686A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811393063.2
申请日：2018-11-21
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于MOF的NiO/In2O3异质结纳米材料的制备方法，利用In元素的金属有机框架结构(MOF)，通过调节前驱体的浓度、掺杂Ni元素的比例、反应时间和反应温度等条件，制备NiO/In2O3异质结纳米材料。本发明的优点在于：Ni的加入量可控，并且分布均匀。本发明制备的NiO/In2O3异质结纳米材料纯度高，尺寸均一，形貌优异，且对三乙胺气体有较高的响应值，响应恢复速度快。
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公开(公告)号：CN106745279B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201611029322.4
申请日：2016-11-22
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳修饰锰锌氧纳米材料及其制备方法和应用，锌盐和锰盐与乙二醇混合，氮气氛围中将溶液加热，将乌洛托品溶于乙二醇中，将所得溶液慢慢滴入制得的溶液中，在氮气氛围中反应，温度降至室温，离心洗涤干燥；干燥好的粉末与葡萄糖和抗坏血酸混合，研磨在惰性气体氛围下焙烧，待温度自然降至室温，即可得到纳米Mn1‑xZnxO@C粉末。该方法通过在ZnO纳米材料中引入锰元素，调控其缺陷及电学性质，通过碳元素修饰，进一步提升半导体材料的电学性质及光学性能。本发明所使用的原料便宜易得，成本低，减少了环境污染。同时，本发明制备的Mn1‑xZnxO@C纳米复合材料在气敏传感器、光催化降解染料、吸附水中污染物、锂电等领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106424755B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201610978887.0
申请日：2016-11-08
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种银微米线及制备方法，将硝酸银溶于有机醇的水溶液，加入氨水调节pH形成银源溶液；以抗坏血酸为还原剂，加入分散剂与硫酸盐，形成还原液；控制反应温度在60‑90℃，搅拌速率为100‑500 r/min，将银源快速添加至还原液进行氧化还原反应；待反应结束，倒出上清液，用去离子水和无水乙醇清洗3‑5遍，在60‑80℃下干燥4‑6 h即可得到银微米线。该发明制备的银微米线方法简单、反应温度低易控制，可用于规模化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107831269A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201710976865.5
申请日：2017-10-19
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提升硫化氢敏感的SnO2气敏材料稳定性的方法，硫盐和SnCl4·5H2O水溶液，将SnO2气敏材料置于上述溶液中，搅拌加入适量络合剂；将上述溶液置于反应釜中，反应3~5小时；待温度降至室温，将样品离心、干燥；制得的粉末前躯体放入高能球磨机中球磨，然后放入马弗炉中焙烧，得到表面多孔的硫酸锡修饰的SnO2纳米粉末。该方法针对SnO2气敏材料在检测H2S气体过程中稳定性差的问题，利用硫盐预处理气敏材料，在SnO2表面形成一层多孔硫酸盐薄膜，可有效防止SnO2在使用过程中与硫化物反应，有望保证传感器在H2S气体氛围长期稳定性。该方法的优点在于制备工艺简单，有望大批量生产，且性能稳定，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106745279A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611029322.4
申请日：2016-11-22
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
CPC classification number: C01G45/006 , C01P2004/03 , C01P2004/80 , G01N33/0036
Abstract: 本发明公开了一种碳修饰锰锌氧纳米材料及其制备方法和应用，锌盐和锰盐与乙二醇混合，氮气氛围中将溶液加热，将乌洛托品溶于乙二醇中，将所得溶液慢慢滴入制得的溶液中，在氮气氛围中反应，温度降至室温，离心洗涤干燥；干燥好的粉末与葡萄糖和抗坏血酸混合，研磨在惰性气体氛围下焙烧，待温度自然降至室温，即可得到纳米Mn1‑xZnxO@C粉末。该方法通过在ZnO纳米材料中引入锰元素，调控其缺陷及电学性质，通过碳元素修饰，进一步提升半导体材料的电学性质及光学性能。本发明所使用的原料便宜易得，成本低，减少了环境污染。同时，本发明制备的Mn1‑xZnxO@C纳米复合材料在气敏传感器、光催化降解染料、吸附水中污染物、锂电等领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106430165A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610948418.4
申请日：2016-10-26
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: C01B32/184
CPC classification number: C01B2204/02 , C01P2002/82
Abstract: 本发明涉及了一种高质量低缺陷单层石墨烯的制备方法，将一定量的碱金属钾溶入有机溶剂二甲基亚砜（DMSO）或四氢呋喃（THF）中，形成碱金属-有机溶剂插入物；加入适量的球形石墨，密封后采用大于1000W功率超声处理30分钟，室温下静置2小时形成一阶石墨层间化合物（KC8）溶液；一阶石墨层间化合物溶液中加入过量的苯甲腈溶液，对石墨层间化合物中的插入物进行转移处理；将溶液滴在表面清洁的Si/SiO2表面，旋涂晾干后即可获得高质量无缺陷的单层石墨烯产物。采用低成本的苯甲腈溶液对一阶石墨层间化合物中的擦层材料进行转移，在改转移过程中，不会引入新的缺陷，从而能够获得单层高质量低缺陷石墨烯产物。可以极大地降低高质量单层石墨烯的生产成本，提高生产效率，让批量生产成为可能。
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公开(公告)号：CN104345080B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410454478.1
申请日：2014-09-09
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: G01N27/333
Abstract: 一种电化学一氧化碳（CO）气体传感器电极制备方法，将氯化钯和氯化铜的粉末混合在一起，然后取超导碳黑倒入其中，再滴入氨水溶液，搅拌至溶液呈现粘稠状，放置到水浴中，然后取出放到马弗炉中进行热处理，待自然冷却后取出，室温下放置，然后用喷枪喷于防水透气膜上，将防水透气膜贴Nafion膜上，压制，制得碳负载PdCl2/CuCl2-Nafion膜电极。运用本发明所形成的催化剂材料制作的CO电化学传感器元件，其响应时间8-17秒，大大短于文献报道的CO传感器的响应时间30秒，灵敏度0.46μA/ppm，也高于其报道的0.04 nA/ppm。响应时间短，灵敏度高。
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公开(公告)号：CN106129351A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610516561.6
申请日：2016-07-04
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/587 , H01M10/052 , B82Y30/00
CPC classification number: H01M4/364 , B82Y30/00 , H01M4/5815 , H01M4/587 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及了一种RGO/In2S3复合材料的制备方法，具体涉及到采用简单的水热法，在不使用强还原剂和有毒物质的条件下，将还原氧化石墨烯和硫化铟的生长过程在水热反应中同步进行，先将氧化石墨烯在去离子水中超声分散，后加入相同质量的氯化铟和5倍质量的硫代乙酰胺，继续超声，将超声后的混合溶液放入高压反应釜反应，冷却至室温后将产物洗净干燥，最后在N2氛围内高温退火，即可获得电学性能良好的石墨烯/硫化铟复合材料。本发明采用水热法一步生成，使得还原石墨烯和In2S3纳米颗粒的生成同步进行，在不添加强还原剂或有毒反应物的条件下，能够快速、稳定地得到电化学性能良好的RGO/In2S3复合材料，制备过程可重复性高，简单且无需大型昂贵仪器支撑。
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