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公开(公告)号：CN109225247A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811217061.8
申请日：2018-10-18
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: B01J23/888 , B01J35/02
Abstract: 本发明涉及一种氧化钨-氧化亚铜异质结光电极材料的制备方法及其产品和应用，采用两步法制备了氧化钨/氧化亚铜异质，通过控制反应时间、溶液酸碱度及温度等，用水热法在FTO上原位生长了氧化钨；后采用磁控反应技术，通过控制工作气体中氧气含量比例用铜靶溅射反应在氧化钨上生长一定厚度的氧化亚铜薄膜，即可获得具有优异光电流密度的氧化钨/氧化亚铜异质结光电极材料。该技术方案能够极大降低化学试剂的应用，可有效降低能耗；光电化学性能优异的，且制备工艺简单易控，可重复性强，易于实现大规模批量生产。
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公开(公告)号：CN109052988A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811222709.0
申请日：2018-10-19
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: C03C17/34
CPC classification number: C03C17/347 , C03C17/006 , C03C2217/40 , C03C2217/71 , C03C2217/94 , C03C2218/111
Abstract: 本发明公开了一种ZnIn2S4纳米片阵列薄膜的制备方法，先用化学法在FTO导电玻璃上沉积一层In2S3纳米薄膜，然后在其表面溅射一层锌，最后以铟源、硫源为前驱体，通过控制溶剂热反应的温度和时间，从而制备出ZnIn2S4纳米片阵列。本发明制备ZnIn2S4纳米片是一种超薄结构，厚度在5~6 nm，具有结晶性高，陷光性能好且能够反复使用等优异特性。此外，本方法制备简单，过程易控，成本低廉，无毒环保，在光催化制氢，光催化降解有机污染物和人工光合作用等领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN109621979B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201811525248.4
申请日：2018-12-13
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种ZnO/锌铟硫纳米异质结的制备方法，结合原子层沉积和水热的方法，在氟掺杂氧化锡（FTO）基底上实现了ZnIn2S4纳米片阵列结构的原位生长，后采用ALD技术沉积一定厚度的ZnO薄膜，构建了ZnO/ZnIn2S4纳米异质结结构，获得了具有高效可见光催化活性的ZnIn2S4纳米片阵列薄膜的异质结，在提高吸可见光吸收率的同时，使得光生载流子在界面处有效分离，从而大幅提高了光电流密度。本发明制备工艺整体简单可控，绿色环保，可重复性高，适用于规模化制备，在光催化等工程领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN109621979A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811525248.4
申请日：2018-12-13
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
CPC classification number: B01J27/04 , B01J35/004 , C01B3/042 , C01B2203/0277 , C01B2203/1076 , C01B2203/1088
Abstract: 本发明提供一种ZnO/锌铟硫纳米异质结的制备方法，结合原子层沉积和水热的方法，在氟掺杂氧化锡（FTO）基底上实现了ZnIn2S4纳米片阵列结构的原位生长，后采用ALD技术沉积一定厚度的ZnO薄膜，构建了ZnO/ZnIn2S4纳米异质结结构，获得了具有高效可见光催化活性的ZnIn2S4纳米片阵列薄膜的异质结，在提高吸可见光吸收率的同时，使得光生载流子在界面处有效分离，从而大幅提高了光电流密度。本发明制备工艺整体简单可控，绿色环保，可重复性高，适用于规模化制备，在光催化等工程领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN109338391A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811217045.9
申请日：2018-10-18
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明涉及了一种用于光电化学分解水制氢的基底的制备方法及其产品和应用，利用传统的水热法在新的实验参数的条件下在FTO玻璃表面制备性能优越的In2S3超薄纳米片阵列，制备出的In2S3超薄纳米片阵列致密而均匀；在制备好的In2S3光电化学分解水的基底上继续生长ZnO纳米颗粒，ZnO半导体与In2S3构建异质结，通过控制ZnO生长的时间来控制ZnO纳米颗粒的粒径及ZnO在In2S3薄膜中的含量，从而实现对In2S3光电性能的调控，显著提高光解水基底的光电流。将In2S3纳米片阵列与ZnO纳米颗粒的制备结合起来，构成In2S3-ZnO异质结，利用ZnO纳米颗粒均匀、表面积大的优点提高In2S3光电性能，按照本方案制备出的复合光阳极结构在500 W模拟太阳光的照射下比纯In2S3光阳极结构的光电流提高3倍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109052988B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201811222709.0
申请日：2018-10-19
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明公开了一种ZnIn2S4纳米片阵列薄膜的制备方法，先用化学法在FTO导电玻璃上沉积一层In2S3纳米薄膜，然后在其表面溅射一层锌，最后以铟源、硫源为前驱体，通过控制溶剂热反应的温度和时间，从而制备出ZnIn2S4纳米片阵列。本发明制备ZnIn2S4纳米片是一种超薄结构，厚度在5~6 nm，具有结晶性高，陷光性能好且能够反复使用等优异特性。此外，本方法制备简单，过程易控，成本低廉，无毒环保，在光催化制氢，光催化降解有机污染物和人工光合作用等领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN109317148B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201811325777.X
申请日：2018-11-08
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明涉及一种闪锌矿结构氧化钴纳米材料的制备方法及其产品和应用，发明利用氯化钠溶液中的动力学原理，在氯化钠溶液中合成Co盐类前驱体溶液，结合冷冻干燥和高温退火技术，能够制备闪锌矿结构的CoO光催化材料。本发明制备的闪锌矿CoO可直接用于可见光催化反应。发明整体技术方案绿色环保，制备工艺简单易控，可重复性强，易于实现大规模批量生产。
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公开(公告)号：CN110993731B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201911181909.0
申请日：2019-11-27
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/109
Abstract: 本发明涉及一种基于氧化层/金纳米棒/硅的可见‑短波红外光探测基底的制备方法，通过一种银诱导无种法合成具有不同长径比的小尺寸金纳米棒；将其负载到硅片表面作为光吸收层，经退火处理获得结合更紧密金纳米棒/硅片基底；在金纳米棒/硅复合基底表面沉积不同的氧化物薄膜，构建成具有良好光电响应的异质结结构，最终得到氧化物/金纳米棒/硅基底新型可见‑短波红外光探测基底。该复合基底能够对可见‑短波红外光表现出极高的探测灵敏度。与现有技术相比，本发明获得的探测基底具有光谱响应范围宽、响应灵敏度高、响应波段可调、抗干扰能力强等优点。
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公开(公告)号：CN110752144A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910949498.9
申请日：2019-10-08
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种用于自组装的高亲水性静电吸附硅基底的处理方法，采用聚苯乙烯磺酸钠（PSS）与氯化钠的混合溶液处理硅片表面，在硅片表面修饰一层带负电的PSS-O-分子，使硅片表面呈现出负电特性及良好的亲水性能，从而能够吸附带正电的颗粒，保证带正电的分子或颗粒在物理吸附的超薄水层上扩散，形成均匀稳定的自组装薄膜。由于PSS-O-与水分子间良好的亲和力，能够极大提高表面的亲水性能，有利于正电的分子或颗粒在物理吸附的超薄水层形成均匀稳定的自组装薄膜，在制备用于光电探测、SERS等技术领域的高性能探测基底方面具有广泛应用。
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公开(公告)号：CN109317148A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811325777.X
申请日：2018-11-08
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明涉及一种闪锌矿结构氧化钴纳米材料的制备方法及其产品和应用，发明利用氯化钠溶液中的动力学原理，在氯化钠溶液中合成Co盐类前驱体溶液，结合冷冻干燥和高温退火技术，能够制备闪锌矿结构的CoO光催化材料。本发明制备的闪锌矿CoO可直接用于可见光催化反应。发明整体技术方案绿色环保，制备工艺简单易控，可重复性强，易于实现大规模批量生产。
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