一种ZnO/锌铟硫纳米异质结的制备方法

    公开(公告)号:CN109621979B

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN201811525248.4

    申请日:2018-12-13

    Abstract: 本发明提供一种ZnO/锌铟硫纳米异质结的制备方法,结合原子层沉积和水热的方法,在氟掺杂氧化锡(FTO)基底上实现了ZnIn2S4纳米片阵列结构的原位生长,后采用ALD技术沉积一定厚度的ZnO薄膜,构建了ZnO/ZnIn2S4纳米异质结结构,获得了具有高效可见光催化活性的ZnIn2S4纳米片阵列薄膜的异质结,在提高吸可见光吸收率的同时,使得光生载流子在界面处有效分离,从而大幅提高了光电流密度。本发明制备工艺整体简单可控,绿色环保,可重复性高,适用于规模化制备,在光催化等工程领域具有巨大的应用前景。

    一种锌铟硫纳米片阵列薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN109052988B

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN201811222709.0

    申请日:2018-10-19

    Abstract: 本发明公开了一种ZnIn2S4纳米片阵列薄膜的制备方法,先用化学法在FTO导电玻璃上沉积一层In2S3纳米薄膜,然后在其表面溅射一层锌,最后以铟源、硫源为前驱体,通过控制溶剂热反应的温度和时间,从而制备出ZnIn2S4纳米片阵列。本发明制备ZnIn2S4纳米片是一种超薄结构,厚度在5~6 nm,具有结晶性高,陷光性能好且能够反复使用等优异特性。此外,本方法制备简单,过程易控,成本低廉,无毒环保,在光催化制氢,光催化降解有机污染物和人工光合作用等领域具有巨大的应用前景。

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