-
公开(公告)号：CN110955066B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201811134136.6
申请日：2018-09-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种相移器及硅基电光调制器，相移器包括：第一掺杂类型半导体层；第二掺杂类型半导体层，与第一掺杂类型半导体层间隔排布；第一介质层，位于第一掺杂类型半导体与第二掺杂类型半导体层之间；第二介质层，位于第一介质层与第二掺杂类型半导体层之间；插入材料层，位于第一介质层与第二介质层之间，插入材料层在外部驱动电压的作用下产生负电容效应。本发明的相移器通过增设在外部驱动电压的作用下可以产生负电容效应的插入材料层，负电容效应可使得相移器内部电压得到放大，当相移器用于硅基电光调制器时，可以减小硅基电光调制器正常工作所需的外部驱动电压，大大提高硅基电光调制器的调制效率，降低硅基电光调制器的功耗。
-
公开(公告)号：CN116247117A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111485476.5
申请日：2021-12-07
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/103 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种波导型光电探测器的制备方法，包括：1)提供一衬底，对衬底进行刻蚀，形成探测器区域；2)对探测器区域的进行N型轻掺杂形成N型掺杂区，再对局部区域进行N型重掺杂形成N型重掺杂区；3)于N型掺杂区上形成第一锗光吸收层，于第一锗光吸收层上形成P型重掺杂的锗材料层；4)于P型重掺杂的锗材料层上形成第二锗光吸收层以及位于第二锗光吸收层上的N型重掺杂的锗材料层。本发明通过采用双端输入的光电探测器和背对背的PN结结构，可以明显减小空间电荷效应的影响，实现高饱和输出功率的光电探测器。
-
公开(公告)号：CN115440834A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110620832.3
申请日：2021-06-03
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/028 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种波导型硅基短波红外波段雪崩光电探测器及其制作方法，光电探测器包括：衬底、硅波导、第一导电类型接触层、第二导电类型掺杂电荷层、倍增层、吸收层及第二导电类型接触层；吸收区位于第二导电类型掺杂电荷层上，吸收区为Ge1‑xPbx材料，其中，0.001
-
公开(公告)号：CN111751926B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201910243172.4
申请日：2019-03-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及集成光子器件领域，尤其涉及一种用于相控阵发射阵列的波导光栅天线及其形成方法。所述用于相控阵发射阵列的波导光栅天线，包括：衬底；第一波导层，位于所述衬底表面；第二波导层，沿垂直于所述衬底的方向设置于所述第一波导层上方，且所述第二波导层中具有光栅结构；所述第一波导层与所述第二波导层之间能够进行倏逝波耦合，有利于控制光栅的长度以增大相控阵列的分辨率，提高了垂直方向的非对称性，从而提高波导光栅天线的方向性。本发明减少了光向衬底的泄露，提高了光向上发射的比例，进而提高了光的发射效率以及相控阵列的探测距离，有助于需要高功率输出器件的实现。
-
公开(公告)号：CN111785792B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201910272710.2
申请日：2019-04-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种锗铅合金材料的制备方法。该方法包括：在衬底上沉积基底介质层；在基底介质层中形成开孔所述衬底从所述开孔露出的部分被作为生长种子窗口；在所述基底介质层表面以及从所述开孔露出的衬底表面沉积包含锗(Ge)元素和铅(Pb)元素的材料层；在所述材料层表面沉积阻挡介质层；以及对所述衬底进行退火，在所述材料层中形成所述四族半导体锗铅合金材料。根据本申请，能够在衬底表面形成质量较高的GePb合金，并且，该方法与CMOS工艺的兼容性较好，有利于GePb合金在硅基器件中的应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110896115B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201811062635.9
申请日：2018-09-12
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/113 , H01L31/0312 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光电晶体管、红外探测器和光电晶体管的制作方法。该光电晶体管包括栅极堆栈；设置于栅极堆栈一侧的有源层；设置于有源层远离栅极堆栈一侧的抗反层；其中，有源层包括沟道区，以及位于沟道区两侧的源极区和漏极区；其中，有源层的材料为锗锡合金。本发明提供的技术方案通过形成上述光电晶体管结构，并设置有源层的材料为锗锡合金，可使光电晶体管具有较高的灵敏度，且光电晶体管结构简单。
-
公开(公告)号：CN110828603B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201810924656.0
申请日：2018-08-14
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种基于III‑V族材料发射极区的GeSn光电晶体管及其制造方法。所述基于III‑V族材料发射极区的GeSn光电晶体管，包括衬底以及沿垂直于所述衬底的方向依次层叠于所述衬底表面的集电极区、吸收层、基极区和发射极区；所述吸收层与所述基极区采用Ge1‑xSnx材料构成，其中，0
-
公开(公告)号：CN110890436B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201811056068.6
申请日：2018-09-11
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0336 , H01L31/028 , H01L31/11 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种波导型GeSn光电晶体管及其制造方法。所述波导型GeSn光电晶体管包括：SOI衬底，具有由所述SOI衬底的顶层硅形成的波导层；器件结构，位于所述SOI衬底表面，包括吸收区、集电极区、基极区和发射极区，其中：所述集电极区、所述吸收区和所述基极区均采用Ge1‑xSnx材料构成、且沿平行于所述SOI衬底的方向依次排列；所述发射极区沿垂直于所述SOI衬底的方向层叠设置于所述基极区表面，以在所述发射极区与所述基极区之间形成异质结；其中，0
-
公开(公告)号：CN110727046B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201810776259.3
申请日：2018-07-16
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明提供的三维集成光互连芯片中光耦合端面的制造方法，包括如下步骤：提供一器件晶圆，所述器件晶圆包括具有器件结构的正面以及与所述正面相对的背面，且所述器件晶圆具有自所述正面向所述背面方向延伸的硅通孔；将所述正面与一载体晶圆键合；形成球形焊点于所述背面；自所述背面刻蚀所述器件晶圆，形成贯穿所述器件晶圆的光耦合端面。本发明在简化三维集成光互连芯片中光耦合端面的制造工艺的同时，改善了光耦合端面的质量，降低了三维集成光互连芯片的制造成本。
-
公开(公告)号：CN112305671A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910676834.7
申请日：2019-07-25
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于狭缝波导的锥形偏振分束器及制备方法，分束器包括锥形耦合器及偏振滤波器；锥形耦合器包括条形硅波导及狭缝波导，条形硅波导及狭缝波导在耦合长度方向上具有相反的宽度变化趋势；偏振滤波器包括串联在锥形耦合器的TE输出端的第一偏振滤波器及串联在锥形耦合器的TM输出端的第二偏振滤波器，第一偏振滤波器用以TE偏振态的传导，并将TM偏振态耦合到第一狭缝波导中；第二偏振滤波器用以过滤TE偏振态，并将TM偏振态的偏振模式从第二狭缝波导向第二条形硅波导转化。本发明器件可利用集成工艺制备，工艺简单且容差较大，尺寸较小，在较宽的波长范围内均可以实现较高的消光比，易于实现与其他器件的集成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
109
records
(took 0.062 seconds)
