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公开(公告)号：CN108384542B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201810107070.5
申请日：2018-02-02
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/67
Abstract: 本发明提供了一种红色荧光材料，其化学式为Ca2AlNbO6:Mn4+，发光中心为非稀土激活剂Mn4+。提供了上述红色荧光材料的制备方法，按元素摩尔比称取原料，进行高温固相反应，通过加入合适的助熔剂控制固相合成温度，通过引入适量的电荷补偿剂，在保证样品的纯相范围内，进一步改善该钙钛矿结构铌铝酸盐红色荧光材料发光性能，最终获得高效、稳定的红色荧光粉。本发明以钙钛矿结构铌铝酸盐为基质，以Mn4+为激活剂，不使用昂贵的稀土元素，且原料及最终产物均不含氟等有害物质，该荧光粉对紫外、蓝光波段的激发光有强的吸收，发射带宽适宜的红色光波，适合应用于紫外或蓝光LED芯片激发的暖白光LED器照明和显示领域。
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公开(公告)号：CN119571457A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411705231.2
申请日：2024-11-26
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种用于β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂及晶体生长方法。本发明以LiBO2‑金属氟化物作为β‑Ga2O3晶体生长的复合助熔剂体系，LiBO2与金属氟化物的摩尔比为1～0.8：0.04～0.2，晶体生长温度区间为700～1000℃。与现有技术相比，本发明提出的助熔剂体系，不含高温助熔剂中常用的PbO、PbSO4等有毒、有害成份，能够大幅度降低β‑Ga2O3晶体的饱和点温度，提高生长体系的稳定性，且金属氟化物可以有效打断B‑O键链，溶剂粘度小，避免了包裹体的产生，易于获得高质量的β‑Ga2O3晶体。
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公开(公告)号：CN118380844A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410518695.6
申请日：2024-04-28
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: H01S3/067 , H01S3/1115 , H01S3/10 , H01S3/08
Abstract: 本发明涉及一种双色矢量脉冲光纤激光器，属于超快光纤激光器领域，包括：由单模光纤或保偏光纤循环连接的第一环形腔，包括第一稀土离子掺杂的增益光纤，以及其它元件；由单模光纤或保偏光纤循环连接的第二环形腔，包括第二稀土离子掺杂的增益光纤，以及其它元件；第一环形腔和第二环形腔存在交叠区域。与现有技术相比，本发明第一环形腔、第二环形腔内设置有稀土离子掺杂的增益光纤，第一环形腔、第二环形腔内设置的增益光纤所掺杂的稀土离子并非是同一种，并选用与工作波段相匹配的光纤偏振分束器、光纤时延线等元件，能够提供多种双向输出的矢量激光脉冲，双色波段的波长间隔可达几百纳米，极大地拓展了当前矢量脉冲光纤激光器的工作波段范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112877069B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110180776.6
申请日：2021-02-08
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/67
Abstract: 本发明公开了一种Cr3+镓铝酸盐近红外长余辉发光材料及其制备方法。所述近红外长余辉发光材料的化学通式为Zn3GaxAl2‑xGeaTibSn2‑a‑bO10:yCr3+。制备方法：根据方程式中各物质的摩尔比进行称取原料，加入助熔剂，在玛瑙研钵中研磨使其混合均匀得到前驱体；将前驱体装入氧化铝坩埚，在空气或中性气氛下进行预烧结；将预烧结得到的样品研磨混匀后，在空气或中性气氛中，煅烧，得到Cr3+镓铝酸盐近红外长余辉发光材料。本发明所述的近红外长余辉荧光粉具有原料成本低廉、操作简单可行，对设备要求低等优点。本发明所述的长余辉发光材料具有发射范围位于近红外区，且具有余辉时间长等优良性质。
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公开(公告)号：CN112920801B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110175845.4
申请日：2021-02-09
Applicant: 上海应用技术大学 , 上海敬开德精密陶瓷有限公司
IPC: C09K11/86
Abstract: 本发明公开了一种红光荧光粉材料及其制备方法。所述红光荧光粉材料具有磷灰石结构，其化学通式为Sr3‑yMyY7‑7xEu7x(BO4)(SiO4)m(GeO4)nF2。制备方法为：按照化学式称取原料，将原料在玛瑙研钵中充分研磨均匀，获得反应前驱体；将反应前驱体烧结，得到预烧产物；将预烧产物在玛瑙研钵中再次研磨，然后进行固相反应。本发明通过采用Mg，Ca，Ba替换部分或全部Sr，以及采用Ge替换部分或全部Si，从而影响发光中心Eu3+离子的晶体场，进而能够调节红色荧光粉的光色性能，并提高红色荧光粉的光色性能。
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公开(公告)号：CN111379025A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202010321316.6
申请日：2020-04-22
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种卤化铯铅晶体的生长方法，包括以下步骤：原料的密封：将卤化铯和卤化铅粉末干燥后，置于石英安培瓶中抽真空进行密封；多晶料的制备：将石英安培瓶置于摇摆炉内进行分阶段升温至690～700℃后，保温，然后将炉温降至室温，得到多晶料；卤化铯铅晶体的制备：将装有多晶料的安培瓶置于区熔炉的顶部，将区熔炉的温度升至690～730℃，待温场稳定之后将安培瓶向下移动，完成晶锭的生长；最后进行退火处理。本发明制备方法简单，容易控制，生长周期较短，温度梯度可调。本发明制备的晶体无明显的杂质，具有良好的光学性能，可以用于作为闪烁晶体用于辐射探测等领域。
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公开(公告)号：CN108425153A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810113276.9
申请日：2018-02-05
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明提供了一种掺铬铌酸铝钙可调谐激光晶体，该晶体材料的化学式为:Cr3+:Ca2AlNbO6，该晶体属于单斜晶系，P21/c空间群结构，其晶胞参数为：β＝89.970(2)°，Z＝2。本发明还提供了上述可调谐激光晶体的制备方法，采用CaCO3、Al2O3、Nb2O5和Cr2O3作为初始原料，按照固相合成，二次烧结的方法制备Cr3+:Ca2AlNbO6原料，然后将Cr3+:Ca2AlNbO6原料采用提拉法生长出大尺寸、高光学质量的晶体。本发明的晶体可作为可调谐激光晶体，其可调谐范围在600～1000nm之间。
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公开(公告)号：CN108210937A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810128824.5
申请日：2018-02-08
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: A61K47/69 , A61K31/506 , A61P17/14
Abstract: 本发明涉及一种吡咯烷基二氨基嘧啶氧化物β‑环糊精或/和β‑环糊精衍生物包合物及其制备方法，该包合物由β‑环糊精或/和β‑环糊精衍生物、吡咯烷基二氨基嘧啶氧化物、水溶性高分子、pH调节剂、防腐剂、抑菌剂和去离子水组成。将β‑环糊精或/和β‑环糊精衍生物加入到去离子水中，然后加入吡咯烷基二氨基嘧啶氧化物、水溶性高分子、防腐剂和抑菌剂，搅拌、超声混合，加入pH调节剂调节反应液的pH值，即得吡咯烷基二氨基嘧啶氧化物β‑环糊精或/和β‑环糊精衍生物包合物水溶液。本发明提高了水难溶性防脱生发吡咯烷基二氨基嘧啶氧化物剂在水溶液中的溶解度，包合物性状稳定、无毒副作用，制备方法条件温和、工艺简单、易于控制。
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