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公开(公告)号：CN108548864B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201810231740.4
申请日：2018-03-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种等离子体气体传感器及其制造方法，该气体传感器包括基底、绝缘层、形成在基底上的针状结构阵列以及对电极，其中对电极设置在针状结构上方，由绝缘层隔离并形成气体放电空间，针状结构阵列的若干针状结构的顶端与金属颗粒形成异质结结构。该结构充分利用了对电极、针状结构、绝缘层间隙构成的微观尺度体系，其中针状结构和和对电极体现出了电场集聚效应，纳米级的放电空间提高了气体放电产生的电荷传导效率，促进了气体传感信号的采集。该等离子体气体传感器巧妙地实现了等离子体发生所需的局部强电场，利用了传输过程中的小尺度优势，达到了器件微型化、工作电压低、功耗低等技术效果。该结构的制造方法耗材少、结构利用率高，达到了高效率、节省、精准的微加工效果。
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公开(公告)号：CN113658837A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110937648.1
申请日：2021-08-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开一种引导自由电子透过固体的方法及结构。所述固体的外表面具有相对的第一界面和第二界面，第一界面和第二界面之间具有多个空腔结构；所述方法包括：控制固体的第一界面接触自由电子；向固体施加电场，使得聚集在空腔结构的至少部分自由电子从第二界面逸出。本发明能够使得能量范围更宽的自由电子透过，大大提高电子束技术的应用范围，解决传统电子束技术普遍存在的高能电子的韧致辐射等副产物问题。本发明所提出方法的实现结构利于通过微电子加工技术或激光技术、微纳增材制造技术加工实现，对集成度要求高的电子束系统应用适应性强。
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公开(公告)号：CN111235568A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010054858.1
申请日：2020-01-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种沉积纳米材料方法，包括如下步骤：(1)待沉积金属材料制成管材；(2)待沉积纳米材料与工艺溶剂混合制成工艺液体；(3)所述工艺液体充入所述管材中；(4)所述管材的电爆段的一端与高压电源的输出端相连，另一端接地；(5)待沉积基材设置在所述管材附近；(6)启动所述高压电源给所述管材的电爆段通电。该方法灵活、可靠、成本低，可适应更多种类纳米材料混合体的制备，且能更安全可控地引入更多种类反应性工艺物质。
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公开(公告)号：CN102933015B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201210464656.X
申请日：2012-11-16
Applicant: 上海交通大学
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明公开了一种电场极化增强的放电电极，用于产生等离子体，其包括阴极、阳极和两者之间的电场极化增强结构。其中电场极化增强结构由单个的一维纳米结构或多个一维纳米结构的排列构成，其与阴极和阳极皆不接触。本发明还提出了九种利用一维纳米结构构造的电场极化增强结构的结构，并提供了相应的电场极化增强的放电电极的结构和制备方法。本发明通过将由一维纳米结构构成的电场极化增强结构设置在阴极与阳极之间的区域，可降低产生等离子体所需要的工作电压，并且能够避免传统技术中由于气体放电或者液体放电过程中各种辐射和粒子轰击效应对一维纳米结构的损害，由此有利于维持一维纳米结构有益效果的稳定性并延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN102945777A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210468934.9
申请日：2012-11-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01J1/52
Abstract: 本发明公开了一种电场极化增强的放电电极，用于产生等离子体，其包括阴极、阳极和两者之间的电场极化增强结构。其中电场极化增强结构由单个的一维纳米结构或多个一维纳米结构的排列构成，其与阴极和阳极皆不接触。本发明还提出了九种利用一维纳米结构构造的电场极化增强结构的结构，并提供了相应的电场极化增强的放电电极的结构和制备方法。本发明通过将由一维纳米结构构成的电场极化增强结构设置在阴极与阳极之间的区域，可降低产生等离子体所需要的工作电压，并且能够避免传统技术中由于气体放电或者液体放电过程中各种辐射和粒子轰击效应对一维纳米结构的损害，由此有利于维持一维纳米结构有益效果的稳定性并延长使用寿命。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101381006A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810201600.9
申请日：2008-10-23
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种航空航天技术领域和微电子技术领域的片上离子射流装置，包括单级加速电极，所述加速电极由镂空电极、极化电极阵列、流道侧壁、极化电极阵列连线、镂空电极连线五个部分组成，五个部分全部设置于基片表面之上，该结构由片上大长径比电极阵列作为气体分子电离装置，由片上薄壁结构作为流压控制装置并构建流道，由镂空电极作为离子射流方向和加速幅度的控制装置并可组成多级累积加速的连续式多级镂空电极。整个结构可完全由微电子加工技术所具有的片上化制造技术加工实现，因此非常利于阵列化、集成化、微型化，可大幅度提高电离效率、稳定性、工作寿命等核心性能指标，并非常适用于在微型飞行器、芯片冷却装置中使用。
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公开(公告)号：CN101339162A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810041671.7
申请日：2008-08-14
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种微电子技术领域的基于微加工技术的介质阻挡微放电结构。本发明包括：衬底、介电质、微电极单元、所述的微电极单元设置在衬底上，所述的微放电结构由相邻的一对或多对阴阳微电极单元组成，所述的介电质覆盖在微放电单元。本发明适用微电子加工技术加工，能有效的抑制测试气体的击穿电流的自由增长，从而使传感器单元工作更加稳定和安全，延长了其使用寿命。
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公开(公告)号：CN100442427C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200510112215.3
申请日：2005-12-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种微电子技术领域的阴阳微空洞电极结构。本发明包括：衬底、阴阳微空洞电极、一维纳米结构层。阴阳微空洞电极设置在衬底上，一维纳米结构层覆盖于阴极空腔结构和阳极空腔结构内壁的部分或者全部表面。阴极和阳极由气体间隙隔离。本发明既可以得到空洞电极特征的等离子体，并利用对侧等离子体的带电粒子漂移和亚稳态进一步提高空洞内部的电离，增加带电粒子产额和亚稳态产额；又可以利用阴阳空洞之间的气体间隙提高气体流动性，增强可控性；一维纳米结构层的加入可以增强电场集中，降低工作电压。
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公开(公告)号：CN1321223C
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610023239.6
申请日：2006-01-12
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C16/513 , C01B31/02
Abstract: 一种微细加工技术领域的顺次多种等离子体处理碳纳米管薄膜表面形貌的方法。本发明用不同种刻蚀气体顺次对碳纳米管薄膜进行等离子体表面处理，具体为：先是一次或者多次使用化学反应性气体，对碳纳米管薄膜进行反应离子辅助等离子体处理；然后使用物理作用性气体，对碳纳米管薄膜进行等离子体表面处理。本发明能在完全无序排布的碳纳米管薄膜的基础上，使碳纳米管在薄膜表面的露出高度、密度得到调制，经过处理后的碳纳米管薄膜的表面形貌，露出高度、密度均匀，有很好的垂直取向性。本发明可极大地优化薄膜表面质量，并完全兼容于各种基于微电子加工技术，适于加工实现阵列化设计和批量生产。
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