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公开(公告)号：CN102585173A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210001157.7
申请日：2012-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , B82Y10/00 , C08G61/122 , C08G61/123 , C08G2261/124 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/3243 , C08G2261/414 , C08G2261/91 , C08G2261/92 , C09B69/109 , H01L51/0043 , H01L51/0047 , H01L51/0558 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及低带隙有机半导体化合物、及包括其的晶体管和电子器件。所述有机半导体化合物包含由化学式1表示的结构单元。[化学式1]
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公开(公告)号：CN102584851A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210001830.7
申请日：2012-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/06 , C07D513/06 , C08G61/12 , H01L51/30 , H01L51/05
CPC classification number: C07D495/04 , C07D513/04 , C08G61/123 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/414 , C08G2261/51 , C08G2261/92 , C09B57/001 , C09B69/109 , H01L51/0035 , H01L51/0043 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 本发明涉及有机半导体化合物和聚合物及包括其的晶体管和电子器件。示例性实施方式涉及由本文中化学式1表示的有机半导体化合物，其可聚合和用于晶体管和电子器件中。所述有机半导体化合物包括四个稠合苯环的基础结构，其中官能团R1～R3与第一个苯环连接且官能团R4～R6与第二个苯环连接。该基础结构的第三以及第四个苯环分别与X1、X2以及X3、X4连接。X1和X2的至少一个为硫原子。X3和X4的至少一个为硫原子。该基础结构进一步包含官能团R7和R8。
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公开(公告)号：CN101255156A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810092029.1
申请日：2008-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D417/04 , C07D417/14 , C08G61/12 , H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: C07D417/04 , C07D417/14 , C07D421/14 , H01L51/0036 , H01L51/0512 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种合成物，该合成物在聚合物主链上除了含有显示p－型半导体性能的噻吩以及显示n－型半导体性能的噻唑环之外，还包含显示p－型半导体性能的杂亚芳基或亚芳基，包含该合成物的有机半导体聚合物，包含该有机半导体聚合物的有机有源层，包含该有机有源层的有机薄膜晶体管OTFT，包含该OTFT的电子器件，以及它们的制备方法。用于有机半导体聚合物并且包含噻唑环的示例性具体实施方案的合成物，其可以显示出增加的对有机溶剂的溶解度、同面性、可加工性以及改善的薄膜性能。
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公开(公告)号：CN100406497C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200410098365.9
申请日：2004-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0043 , C08G61/122 , C08G61/124 , C08G61/125 , C08G61/126 , C08G73/0694 , H01L21/31691 , H01L51/0036 , H01L51/0516 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了在聚合物主链中含有喹喔啉环的有机薄膜晶体管用复合结构有机半导体聚合物。根据有机半导体聚合物，由于具有n型半导体特性如高电子亲合性的喹喔啉环被结合到具有p型半导体特性的聚噻吩上，有机半导体聚合物同时表现出p型和n型半导体特性。另外，聚噻吩基喹喔啉衍生物表现出高的有机溶剂溶解性、同面性和空气稳定性。此外，当聚噻吩基喹喔啉衍生物用作有机薄膜晶体管的活性层时，有机薄膜晶体管表现出高电荷载流子迁移率和低关态漏电流。
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公开(公告)号：CN1322030C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200310124730.4
申请日：2003-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/123 , C08G61/126 , H01B1/127 , H01L51/0003 , H01L51/0545
Abstract: 本文公开一种用于薄膜晶体管的有机半导体聚合物，该聚合物的主链中含有一种表示n-型半导体性能的单元与一种表示p-型半导体性能的单元相结合，和使用该聚合物的薄膜晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1891732A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510081923.5
申请日：2005-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0043 , H01L51/0036 , H01L51/0512 , Y10T428/31533
Abstract: 一种示例性的有机半导体共聚物，包括具有聚噻吩结构和受电子单元的聚合重复结构。该受电子单元具有至少一个受电子杂芳族结构，在杂芳族结构中带有至少一个吸电子的亚胺氮，或者包含C2－30杂芳族结构的噻吩－亚芳基。本发明还披露了合成方法和结合有所披露的有机半导体作为如沟道层的电子器件。
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公开(公告)号：CN1891702A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610087881.0
申请日：2006-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D487/04 , H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/0068 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供了嘧啶并嘧啶衍生物，使用嘧啶并嘧啶衍生物的有机薄膜晶体管和制造该晶体管的方法。本发明还提供了嘧啶并嘧啶衍生物的结构和合成实例。所述嘧啶并嘧啶衍生物可以是嘧啶并嘧啶低聚噻吩衍生物，其中具有p－型半导体特征的低聚噻吩可以结合至大体位于分子中心的具有n－型半导体特征的嘧啶并嘧啶上，由此同时表现出p－型和n－型半导体特征。当应用于制造电子器件如有机薄膜晶体管时，可以在室温或环境温度下旋涂所述嘧啶并嘧啶衍生物。使用该嘧啶并嘧啶衍生物的有机薄膜晶体管可提供较高的电荷载流子迁移率和/或较低的关闭状态泄漏电流。
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公开(公告)号：CN1663981A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200410098365.9
申请日：2004-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0043 , C08G61/122 , C08G61/124 , C08G61/125 , C08G61/126 , C08G73/0694 , H01L21/31691 , H01L51/0036 , H01L51/0516 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了在聚合物主链中含有喹喔啉环的有机薄膜晶体管用复合结构有机半导体聚合物。根据有机半导体聚合物，由于具有n型半导体特性如高电子亲合性的喹喔啉环被结合到具有p型半导体特性的聚噻吩上，有机半导体聚合物同时表现出p型和n型半导体特性。另外，聚噻吩基喹喔啉衍生物表现出高的有机溶剂溶解性、同面性和空气稳定性。此外，当聚噻吩基喹喔啉衍生物用作有机薄膜晶体管的活性层时，有机薄膜晶体管表现出高电荷载流子迁移率和低关态漏电流。
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公开(公告)号：CN117164639A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310647046.1
申请日：2023-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件和包括所述有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中M为过渡金属，L1为由式2‑1表示的配体，L2为由式2‑2表示的配体或由式2‑3表示的配体，n1和n2各自独立地为1或2，当n1为2时，两个L1彼此相同或不同，且当n2为2时，两个L2彼此相同或不同，并且L1和L2彼此不同，其中式2‑1、2‑2和2‑3中的基团和参数各自独立地如本文中所描述的。式1M(L1)n1(L2)n2式2‑1
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公开(公告)号：CN117126207A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310609838.X
申请日：2023-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，在式1中，M为过渡金属，L1为由式2‑1表示的配体，L2为由式2‑2表示的配体，n1和n2各自独立地为1或2，并且L1和L2彼此不同，在式2‑1和式2‑2中，X11为Ge，X2为O、S、Se、N(R29)、C(R29a)(R29b)、或Si(R29a)(R29b)，A1为C或N，A2为C或N，A3为C或N，并且A4为C或N，其中A1‑A4之一为结合至相邻吡啶基团的C，并且A1‑A4的另一个为结合至式1中的M的C，并且剩余基团和参数如本文中所定义的。式IM(L1)n1(L2)n2
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