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公开(公告)号：CN110753193B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201910526394.7
申请日：2019-06-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李景镐
IPC: H04N25/70 , H04N25/79 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括像素阵列，所述像素阵列包括沿第一方向和第二方向布置的多个像素。多个像素中的每个像素包括沿第一方向和第二方向中的至少一个彼此相邻设置的多个光电二极管。所述图像传感器还包括：控制逻辑，被配置为通过从所述多个像素获得像素信号来生成图像数据，并且在基本同一时间读取与由所述多个像素之一中包括的所述多个光电二极管中的两个或更多个光电二极管生成的电荷相对应的像素电压。
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公开(公告)号：CN108695350B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201810275410.5
申请日：2018-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器可以包括：衬底，包括第一、第二、第三和第四区域；第一区域中的第一光电转换元件；第二区域中的第二光电转换元件；第三区域中的第三光电转换元件；第四区域中的第四光电转换元件；第一微透镜，至少部分地与第一光电转换元件和第二光电转换元件两者重叠；以及第二微透镜，至少部分地与第三光电转换元件和第四光电转换元件两者重叠。所述图像传感器也可以包括浮置扩散区域和被配置为执行彼此不同的功能的第一、第二和第三像素晶体管。所述第一、第二和第三像素晶体管中的每一个可以设置在第一、第二、第三和第四像素区域的至少一个中。所述第一像素晶体管可以包括多个第一像素晶体管。
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公开(公告)号：CN115241216A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210343113.6
申请日：2022-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，具有与第二表面相对的第一表面；像素隔离图案，在基底中限定彼此相邻的第一单位像素和第二单位像素；以及第一分离图案和第二分离图案，在基底中。第一单位像素包括沿着第一方向的第一光电转换部和第二光电转换部。第二单位像素包括沿着与第一方向相交的第二方向的第三光电转换部和第四光电转换部。第一分离图案在第一光电转换部与第二光电转换部之间在第二方向上延伸。第二分离图案在第三光电转换部与第四光电转换部之间在第一方向上延伸。像素隔离图案的宽度、第一分离图案的宽度和第二分离图案的宽度均从基底的第二表面朝向基底的第一表面减小。
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公开(公告)号：CN115224060A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210364639.2
申请日：2022-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/232 , H04N5/341 , H04N5/3745
Abstract: 提供一种图像传感器。该图像传感器包括：像素阵列，其包括第一像素组和第二像素组，第一像素组和第二像素组中的每一个包括以4×4阵列布置的单位像素，每个单位像素包括设置的光电二极管，并且第一像素组和第二像素组在多个方向上交替设置；逻辑电路，其被配置为从单位像素获取像素信号；第一微透镜，其设置在第一像素组中的相应的单位像素上；以及第二微透镜，其设置在第二像素组中包括的单位像素中的四个相应的单位像素上。第一像素组和第二像素组中的每一个包括设置在单位像素之间的器件隔离层以及设置在第一表面上的滤色器，并且第二像素组中的每一个包括被配置为在相邻的光电二极管之间移动电荷的溢出区域。
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公开(公告)号：CN114695409A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111622075.X
申请日：2021-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开一种图像传感器，该图像传感器包括在基板的第一表面上的第一导电图案以及在第一导电图案和第一表面之间的第二导电图案，其中第一导电图案和第二导电图案中的至少一个包括时间常数调整图案和相邻导电图案，其中时间常数调整图案在平行于第一表面的第一方向上延伸，并且相邻导电图案在第一方向上延伸并最邻近时间常数调整图案。时间常数调整图案包括一个或更多个时间常数调整部分，所述一个或更多个时间常数调整部分在平行于第一表面且垂直于第一方向的第二方向上突出，所述一个或更多个时间常数调整部分不在第二方向上与相邻导电图案重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114639692A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111530784.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括：衬底，其具有第一表面和第二表面；像素区域，其在平行于第一表面的方向上布置；第一光电二极管和第二光电二极管，它们在像素区域中的每一个中彼此隔离；第一装置隔离膜，其位于像素区域之间；成对的第二装置隔离膜，其位于第一光电二极管与第二光电二极管之间，并且从第一装置隔离膜延伸；掺杂层，其与成对的第二装置隔离膜相邻，并且从第二表面延伸到预定深度，并且与第一表面间隔开，掺杂层与第一装置隔离膜隔离；以及势垒区域，其位于成对的第二装置隔离膜之间，并且具有大于衬底的与势垒区域相邻的部分的电势的电势。
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公开(公告)号：CN114566512A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202111411689.3
申请日：2021-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：(1)具有在第一方向上彼此相对的第一和第二表面以及多个单位像素的基板，(2)设置在基板中的、多个单位像素中的每一个中并且在垂直于第一方向的第二方向上彼此隔离的第一光电二极管和第二光电二极管，(3)设置在多个单位像素之间的第一器件隔离膜，以及(4)设置在多个单位像素中的至少一个中的像素内部隔离膜。第二器件隔离膜在第一方向上与第一光电二极管和第二光电二极管中的至少一个重叠。一对第三器件隔离膜：(a)在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上从第一器件隔离膜延伸到单位像素中，并且(b)彼此相对。
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公开(公告)号：CN114079736A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110912216.5
申请日：2021-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器，该图像传感器包括像素阵列和逻辑电路。像素阵列包括在多个像素中的相邻像素之间的像素隔离层。所述多个像素中的每个包括在至少一个光电二极管下方的像素电路。逻辑电路从所述多个像素获取像素信号。像素阵列包括至少一个自动聚焦像素，其包括第一光电二极管、第二光电二极管、在第一光电二极管和第二光电二极管之间的像素内部隔离层、以及在第一光电二极管和第二光电二极管上的微透镜。像素内部隔离层包括在垂直于基板的上表面的第一方向上彼此分隔的第一像素内部隔离层和第二像素内部隔离层，第一像素内部隔离层和第二像素内部隔离层包括不同的材料。
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公开(公告)号：CN112702544A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011138684.3
申请日：2020-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据示例实施例的图像传感器包括：多个图像像素组；多个自动聚焦像素组；第一传输控制信号线，其连接到所述多个图像像素组中的每一个的第一像素；第二传输控制信号线，其连接到所述多个图像像素组中的每一个的第二像素；第三传输控制信号线，其连接到所述多个自动聚焦像素组中的每一个的第一像素；以及第四传输控制信号线，其连接到少数多个自动聚焦像素组中的每一个的第二像素，其中，所述第四传输控制信号线与所述第一传输控制信号线至所述第三传输控制信号线电隔离，并且其中，所述多个图像像素组和所述多个自动聚焦像素组中的每一个设置在单个微透镜下方。
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