-
公开(公告)号：CN115692440A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210878295.7
申请日：2022-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：衬底，其包括像素区并具有第一表面、与第一表面相对的第二表面、以及从第一表面凹陷的第一沟槽；浅器件隔离图案，设置在第一沟槽中；以及深器件隔离图案，位于像素区之间并设置在衬底中。深器件隔离图案包括穿透衬底的至少一部分的半导体图案，以及设置在衬底和半导体图案之间的隔离图案。隔离图案包括与第二表面相邻的第一隔离图案和与第一表面相邻的第二隔离图案。第一隔离图案与第二隔离图案接触处的第一界面与浅器件隔离图案间隔开。第一隔离图案包括与第二隔离图案的材料不同的材料。
-
公开(公告)号：CN115483234A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210608372.7
申请日：2022-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的基板；第一聚焦像素；第一合并像素；第二合并像素；第一滤色器；第二滤色器；第三滤色器；网格图案，将第一至第三滤色器分开，但不与第一至第三滤色器重叠；第一微透镜，设置在第一滤色器上；第二微透镜，设置在第二和第三滤色器上，其中第一‑第三单位像素、第一聚焦像素和第二‑第三单位像素沿第一方向连续布置，其中在第一滤色器与第二滤色器之间的网格图案的宽度大于在第二滤色器与第三滤色器之间的网格图案的宽度。
-
公开(公告)号：CN115440753A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210527472.7
申请日：2022-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了图像传感器的像素阵列及其制造方法和图像传感器。所述图像传感器的像素阵列包括多个像素组。每个像素组包括：多个单位像素，彼此相邻并且分别包括设置在半导体基底中的光电转换元件；滤色器，由所述多个单位像素共用；以及多个微透镜，设置在滤色器上并且具有彼此不同的尺寸，使得所述多个微透镜将入射光分别聚焦到包括在所述多个单位像素中的光电转换元件。通过调整微透镜的尺寸，减小了单位像素的感测灵敏度的偏差并且增强了由图像传感器捕获的图像的质量。
-
公开(公告)号：CN114598794A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111464430.5
申请日：2021-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/225 , H04N5/232 , H04N5/357 , H04N5/369 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括普通像素、第一自动聚焦(AF)像素和第二AF像素，普通像素、第一AF像素和第二AF像素中的每个包括光电二极管。图像传感器还包括设置在普通像素上的普通微透镜以及设置在第一AF像素和第二AF像素上的第一AF微透镜。普通像素的光电二极管、第一AF像素的光电二极管和第二AF像素的光电二极管分别设置在半导体衬底的光电检测区中。第一AF微透镜从半导体衬底的顶表面起在垂直方向上的高度大于普通微透镜从半导体衬底的顶表面起在垂直方向上的高度。
-
公开(公告)号：CN114497095A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111226146.4
申请日：2021-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供了一种像素阵列和包括其的图像传感器。该像素阵列包括多个像素组，每个像素组包括：多个单位像素，分别包括设置在半导体衬底中的光电转换元件；沟槽结构，设置在半导体衬底中，并在垂直方向上从半导体衬底的第一表面延伸到半导体衬底的第二表面，以使光电转换元件彼此电分离且光学分离；以及微透镜，设置在半导体衬底上方或下方，微透镜覆盖所述多个单位像素中的所有的光电转换元件，以将入射光聚焦到光电转换元件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106783898B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201610891753.5
申请日：2016-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及图像传感器。一种图像传感器包括半导体衬底、在衬底的第一像素区中的第一对光电转换区以及在第一对光电转换区的光电转换区之间的第一隔离结构。传感器进一步包括在衬底的邻近第一像素区的第二像素区中的第二对光电转换区、以及在第二对光电转换区的光电转换区之间且具有与第一隔离结构不同的光学性质的第二隔离结构。不同的第一颜色滤光器和第二颜色滤光器，例如绿色和红色滤光器，可以被布置在第一像素区和第二像素区中各自的像素区上。
-
公开(公告)号：CN107039475B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201611152793.4
申请日：2016-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及图像传感器。一种图像传感器包括包含彼此对立的第一表面和第二表面的半导体层。多个单元像素在半导体层中。单元像素中的每个包括第一光电转换器和第二光电转换器。像素隔离层使相邻的单元像素彼此隔离。第一器件隔离层在第一光电转换器和第二光电转换器之间。像素隔离层具有与第一器件隔离层不同的形状。
-
公开(公告)号：CN111354755A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010119013.6
申请日：2019-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底；光电二极管，位于基底中；第一开口，位于光电二极管上方；多个子膜，覆盖第一开口，其中，所述多个子膜包括第一子膜和第二子膜；遮光层，形成在所述多个子膜上方；第二开口，形成在遮光层中；平坦化层，形成在遮光层上方；以及透镜，设置在平坦化层上方，其中，第一开口与第二开口竖直地对准。
-
公开(公告)号：CN111354750A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201910688062.9
申请日：2019-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了背侧照明(BSI)图像传感器。一种BSI图像传感器包括基板和多个像素，该多个像素配置为响应于入射在基板上的光而产生电信号。多个像素中的每个包括：光电二极管；红外辐射(IR)截止滤波器，在光电二极管之上；遮光图案，在光电二极管之上并包括对应于多个像素中的每个的1％至15％的面积的开口；平坦化层，在遮光图案上；以及透镜，在平坦化层上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
52
records
(took 0.063 seconds)
