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公开(公告)号:CN1770312A
公开(公告)日:2006-05-10
申请号:CN200510103773.3
申请日:2005-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F13/1668 , G06F11/1004
Abstract: 支持错误检测的集成电路器件包括一非易失性存储器件,其中有一包含多页存储单元的存储阵列。也提供一存储控制器。该存储控制器通过电路连接到该非易失性存储器件,且被配置用于在一页面写入操作期间为该非易失性存储器件提供多段页面数据。该多段页面数据包括多段校验和数据,其确定在该页面写入操作期间待用写入数据编程的若干非易失性存储单元。在一页面读取操作期间也生成额外的校验和数据用于比较和错误检测。
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公开(公告)号:CN1517884A
公开(公告)日:2004-08-04
申请号:CN200310124732.3
申请日:2003-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/08
CPC classification number: G06F12/0875 , G06F9/4403 , G06F9/44573 , G06F2212/2022
Abstract: 本发明涉及控制在串行快闪存储器中的适当执行及相应的快闪存储器芯片,使得具有预定存储量的串行快闪存储器控制器能够访问串行快闪存储器,以读取所需数据所属的整个页面,并发送想要的数据到主控制单元或执行该数据。该装置包括:高速缓存模块,用于响应于从主控制单元接收的命令,访问所指定的串行快闪存储器的存储器地址,并读取或写入主控制单元所需的数据;串行快闪存储器控制器,具有启动装载器,用于允许通过下列方式来执行系统启动:读取写在串行快闪存储器上的启动代码,将该启动代码存储到缓冲器中,并且,当主控制单元需要启动代码时立即将该启动代码发送到主控制单元。
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公开(公告)号:CN110308869B
公开(公告)日:2024-11-19
申请号:CN201910231779.0
申请日:2019-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开一种存储器系统、存储器模块以及操作存储器模块的方法。所述存储器系统包括:非易失性存储器模块;第一控制器,被配置为控制非易失性存储器模块。非易失性存储器模块包括:易失性存储器装置;非易失性存储器装置;第二控制器,被配置为控制易失性存储器装置和非易失性存储器装置。第一控制器可被配置为将读取请求发送到第二控制器。当在根据所述读取请求的读取操作期间从非易失性存储器装置没有接收到正常数据时,第一控制器可对第二控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送,而不限制第一控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送的次数。
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公开(公告)号:CN114721980A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202111079951.9
申请日:2021-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/16
Abstract: 提供了一种加速器、包括加速器的计算系统以及加速器的操作方法。所述加速器包括:信号控制/监测电路,被配置为:基于监测从主机提供的信号,检测进入存储器装置的自刷新模式和退出自刷新模式;加速器逻辑,被配置为:生成第一命令/地址信号和第一条数据;以及选择器,被配置为:基于检测到进入自刷新模式而将第一命令/地址信号和第一条数据输出到存储器装置,并且基于检测到退出自刷新模式而将从主机提供的第二命令/地址信号和第二条数据输出到存储器装置。
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公开(公告)号:CN111916136A
公开(公告)日:2020-11-10
申请号:CN202010196654.1
申请日:2020-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开存储控制器和存储装置。所述存储装置包括:非易失性存储器,包括多个存储器块;以及存储控制器,被配置为控制非易失性存储器的读取操作。当所述存储装置从断电状态切换到通电状态时,存储控制器接收指示所述存储装置断电的断电时间点的断电时间信息和指示所述存储装置通电的通电时间点的通电时间信息。存储控制器将与断电时间点对应的断电时间戳和与通电时间点对应的通电时间戳存储在非易失性存储器中。
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公开(公告)号:CN105718381A
公开(公告)日:2016-06-29
申请号:CN201510968903.3
申请日:2015-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种操作存储设备的方法,包括:当指向存储块的存储单元的两个连续编写操作之间的编写间隔小于最小编写间隔时,和/或当指向存储块的两个连续擦除操作之间的擦除间隔小于最小擦除间隔时,计数针对存储块的快周期数,并且响应于针对存储块的快周期计数,选择要被擦除操作擦除的存储块或选择要被编写操作编写的存储块的存储单元。
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公开(公告)号:CN101261567B
公开(公告)日:2013-01-02
申请号:CN200810009905.X
申请日:2008-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F3/0605 , G06F3/0643 , G06F3/0679 , G11C2211/5641
Abstract: 提供一种管理数据存储的系统和方法。在一个实施例中,所述方法包括:基于接收的表示文件内容的特性的特性信息,确定将接收的文件存储在多个存储器部分的哪部分。例如,多个存储器部分中的至少两个在相同的存储器中。再例如,多个存储器部分中的至少两个在不同的存储器中。接收的特性信息可包括文件名、文件的文件名的扩展名、文件类型和代表所述文件的符号信息中的至少一个。
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公开(公告)号:CN1697086B
公开(公告)日:2011-08-10
申请号:CN200510068919.5
申请日:2005-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/30 , G11C16/3454
Abstract: 本发明公开了一种对控制信息比如标志、控制标志、标记、控制标记进行编程的方法和装置。该方法和装置可以在存储器阵列的第一区域中执行指定的单元类型的低速编程,确认在存储器阵列的第一区域中指定单元类型的低速编程的结果和在确认了低速编程的结果之后在存储器阵列的第二区域中执行指定单元类型的闪速编程,其中闪速编程的初始编程电压不同于低速编程的初始编程电压。第一和第二编程可以不相同,例如第一编程可以是低速操作,比如写数据,第二编程可以是闪速操作,比如写控制信息。第一和第二编程方法也可以不相同,例如第一编程方法可以是不允许重复编程的编程方法,而第二编程方法可以是允许重复编程的编程方法。
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