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公开(公告)号：CN221227379U
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202322752722.X
申请日：2023-10-12
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
IPC: H02M7/5387 , H02M7/5395 , H02M1/32 , H02M1/08 , H02M1/088
Abstract: 本实用新型公开了一种高压集成电路、智能功率模块和电器设备。其中，高压集成电路包括：高压驱动子电路，具有高压输入端、高压输出端、第一供电端和第二供电端，与高压集成电路的高压区输入端、高压区输出端、高压区供电电源正端、高压区地端一一对应连接，外置自举电容连接在高压区供电电源正端和高压区地端之间；电阻子电路和与电阻子电路并联的开关子电路，开关子电路的第一端与高压区地端连接，开关子电路的第二端与高压集成电路的高压逆变半桥浮动节点连接，开关子电路的控制端用以输入目标控制信号。该高压集成电路，可提升高压逆变半桥浮动节点抗负压过冲能力，且不受限于等效自举电阻，不会导致电路启动时直通，对自举电容充放电速度的影响小。
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公开(公告)号：CN221041136U
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202322670038.7
申请日：2023-09-28
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种功率器件的终端结构和功率器件，其中，功率器件的终端结构包括衬底、多个场限环、截止环、多个第一场板、氧化层和绝缘层，多个场限环和截止环形成于衬底内；多个第一场板与多个场限环一一对应，多个第一场板和多个场限环电性连接；氧化层位于衬底和多个第一场板之间；绝缘层至少部分位于多个第一场板和截止环之间，绝缘层设置于氧化层的表面。本实用新型技术方案通过采用在多个第一场板的末端与截止环之间设置有绝缘层，可作为类似电容板的一极，使第一场板末端区域的电势下降，从而使衬底表面内的耗尽区缓慢变化，避免了电场的集中，降低了多个第一场板末端的电场峰值。
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公开(公告)号：CN219591407U
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202321008011.5
申请日：2023-04-27
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 刘利书
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件，属于功率半导体技术领域。半导体器件包括：第一导电类型的半导体衬底；多个栅极结构，位于半导体衬底上；第二导电类型的浮空区，位于半导体衬底上，且位于相邻两个栅极结构之间，第二导电类型与第一导电类型相反，在浮空区内，位于下方的第一部分的掺杂浓度大于位于上方的第二部分的掺杂浓度。通过设置浮空区的掺杂浓度为下方的第一部分大于上方的第二部分，从而将浮空区的空穴聚集在下方，使得空穴远离浮空区和栅极结构之间的电容，以此减少充电过程，进而减小位移电流，增强栅极结构对EMI和开启损耗的控制。
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公开(公告)号：CN216696547U
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202122480128.0
申请日：2021-10-14
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 梁海刚
Abstract: 本申请实施例提出了一种集成电路装置和集成测试方法，所述集成电路装置包括：电源、控制单元、功率变换单元和至少两种不同类型的负载；电源的输出端与辅助电路的第一输入端连接，辅助电路的第一输出端与控制单元的第一输入端连接，控制单元的输出端与辅助电路的第二输入端连接；辅助电路的第二输出端连接第一类测试接口，第一类测试接口连接功率变换电路的第一输入端；辅助电路的第三输出端连接功率变换电路的第二输入端；功率变换电路的第一输出端连接辅助电路的第三输入端；辅助电路的第四输出端与控制单元的第二输入端连接；功率变换电路的第二输出端连接第二类测试接口；第二类测试接口与负载连接。
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公开(公告)号：CN216288389U
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202122892576.1
申请日：2021-11-19
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种功率模块，包括：基板，所述基板的表层具有导电线路；至少两个插针座，与所述导电线路电连接；引流基座，固定在所述基板上；以及胶层，所述胶层铺设在所述基板的表层并覆盖所述导电线路、所述引流基座以及所述插针座；相邻两个所述插针座处于第一距离阈值，两个所述插针座之间设置有至少一个所述引流基座。本申请实施例的一种功率模块，具有成本低和电气绝缘性能好的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN215911422U
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202121792332.X
申请日：2021-08-03
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31
Abstract: 本实用新型公开了一种智能功率模块，包括：电路板、外壳、金属框架和封装件。电路板上设有元器件；外壳形成为环形，外壳的轴向一端与电路板连接，外壳和电路板共同限定出封装空间；金属框架的部分固定在外壳内，金属框架的位于封装空间内的一端与电路板连接；封装件填充在封装空间内以将元器件封装在电路板上。根据本实用新型的智能功率模块，通过将金属框架的部分固定在外壳内，在智能功率模块制作过程中，先将外壳与电路板连接，再将金属框架与电路板连接，最后在封装空间内填充封装件，从而省去了热固性塑封过程，使智能功率模块的绝缘层避免出现裂纹分层现象，提高了智能功率模块的安全性，同时提高了智能功率模块的生产效率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN221227123U
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202322752708.X
申请日：2023-10-12
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种欠压保护电路和高压集成电路芯片，包括：分压子电路、开关子电路和输出子电路，开关子电路包括第一开关单元和第二开关单元，分压子电路的第一端、第一开关单元的第一端和输出子电路的第一端连接第一工作电源，分压子电路的第二端、第二开关单元的第二端和输出子电路的第二端连接第二工作电源，第一开关单元的第二端与第二开关单元的第一端连接，形成第一节点，第一开关单元的控制端与分压子电路的第三端连接，第二开关单元的控制端与分压子电路的第四端连接，输出子电路的控制端与第一节点连接，输出子电路的第三端作为欠压保护电路的输出端。该欠压保护电路占用面积小，可降低HVIC成本，减小电压变化率过大造成的风险。
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公开(公告)号：CN219917162U
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202320283677.5
申请日：2023-02-21
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 林曦
IPC: H01L23/498 , H01L21/768 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L25/07
Abstract: 本实用新型公开了一种功率模块，所述功率模块，包括：基板，所述基板设有第一导电线路；芯片，所述芯片设于所述基板且与所述第一导电线路焊接连接；绝缘层，所述绝缘层覆盖所述芯片和所述基板，所述绝缘层设有朝向所述芯片延伸的第一走线通道；第二导电线路，所述第二导电线路位于所述绝缘层的背离所述第一导电线路的一侧，所述第二导电线路通过填充于所述第一走线通道的第一导电金属件与所述芯片电连接。本申请提出的功率模块通过第二导电线路和第一导电金属件代替相关技术中的键合铝线，有效降低系统寄生电感。
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公开(公告)号：CN217740526U
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202221612709.3
申请日：2022-06-24
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L25/07
Abstract: 本实用新型公开了一种智能功率模块及具有其的智能控制系统。该智能功率模块包括：模块本体，所述模块本体具有第一引脚部；第二引脚部，所述第一引脚部具有与所述第二引脚部连接导通的安装状态以及与所述第二引脚部分离开的分离状态。根据本实用新型的智能功率模块，通过将智能功率模块设置为具有第一引脚部和第二引脚部，可以在智能功率模块需要更换或维修时使第一引脚部与第二引脚部分离开，只将模块本体拆下即可，操作方便，不易损坏与第二引脚部相连的其它零部件。
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公开(公告)号：CN214799296U
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202121434864.6
申请日：2021-06-25
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 魏调兴
IPC: H02M3/156 , H02M7/5387 , H02M1/088 , H02M1/32
Abstract: 本实用新型公开了一种智能功率模块及变频设备，其中智能功率模块包括集成设置的第一开关电源、第二开关电源、微控制器、高压驱动芯片和逆变电路，第一开关电源用于将直流母线电压降低转换成第一直流电压，以给第二开关电源和高压驱动芯片供电，第二开关电源用于将第一直流电压降低转换成第二直流电压，以给微控制器供电，微控制器用于根据电机目标转速输出控制信号给高压驱动芯片，高压驱动芯片用于根据控制信号输出驱动信号给逆变电路，以驱动逆变电路中的功率开关元件进行开通或关断。由此，能够有效简化模块外围电路的设计，使得电控的体积得到大幅减小，从而节省了电控所占空间，并有助于降低成本。
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