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公开(公告)号:CN115296507A
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN202210602728.6
申请日:2022-05-30
Applicant: 西安交通大学 , 美垦半导体技术有限公司
Abstract: 基于氮化镓功率芯片的单相全桥智能功率模块及制造方法,包括陶瓷基板、功率芯片、驱动芯片、功率铜面、解耦电容、印刷电路板和壳体;若干功率铜面设置在陶瓷基板上,相邻的功率铜面之间留有间隙,解耦电容和功率芯片设置在功率铜面上;印刷电路板覆盖在陶瓷基板上,印刷电路板上设置有若干驱动芯片;陶瓷基板、功率芯片、驱动芯片、功率铜面、解耦电容和印刷电路板均设置在壳体内。本发明设计的加工流程易于实现功率模块加工制备的自动化,并有效减少功率模块制备步骤,提高功率模块制备的良品率,且加工使用的原料成本低廉,有效控制功率模块的生产成本。同时制备工艺可保证功率模块内部电气绝缘性能及电气键合连接的可靠性。
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公开(公告)号:CN114079266B
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202010831989.6
申请日:2020-08-18
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高压集成模块、智能功率模块及其控制方法及空调器,包括逻辑控制电路,设置有驱动信号输入端、故障输入端与驱动信号输出端,所述驱动信号输出端与所述开关管控制端连接;故障保护电路,设置有故障检测输入端与第一故障信号输出端,所述第一故障信号输出端与所述故障输入端连接,所述故障检测输入端与所述故障检测端连接;所述故障保护电路用于根据来自所述故障检测端的电信号触发所述逻辑控制电路执行故障保护;在故障保护结束后,所述逻辑控制电路根据来自所述驱动信号输入端的第一驱动信号对所述开关管进行控制,在故障保护结束后,不需要复位驱动信号即可实现对功率开关管的控制。
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公开(公告)号:CN114709203A
公开(公告)日:2022-07-05
申请号:CN202111528391.0
申请日:2021-12-14
Applicant: 西安交通大学 , 美垦半导体技术有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/495
Abstract: 一种基于氮化镓功率芯片的单相全桥智能功率模块,包括驱动板、功率板、模块外壳和散热器;驱动板和功率板均设置在模块外壳内,且驱动板设置在功率板上,功率板和驱动板通过键合线连接;散热器设置在模块外壳底部;功率板包括两个氮化镓芯片和两个硅芯片,两个氮化镓芯片和两个硅芯片组成全桥电路;驱动板包括四个用于驱动功率板上四个芯片的驱动芯片;本发明基于氮化镓芯片设计单相全桥智能功率模块,氮化镓器件相比传统的硅器件拥有更高的开关速度,因而在开关过程中相比传统硅器件对寄生参数更加敏感。本模块设计出一种基于氮化镓功率芯片的全桥布局,并实现驱动芯片在模块内的集成。
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公开(公告)号:CN215911422U
公开(公告)日:2022-02-25
申请号:CN202121792332.X
申请日:2021-08-03
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31
Abstract: 本实用新型公开了一种智能功率模块,包括:电路板、外壳、金属框架和封装件。电路板上设有元器件;外壳形成为环形,外壳的轴向一端与电路板连接,外壳和电路板共同限定出封装空间;金属框架的部分固定在外壳内,金属框架的位于封装空间内的一端与电路板连接;封装件填充在封装空间内以将元器件封装在电路板上。根据本实用新型的智能功率模块,通过将金属框架的部分固定在外壳内,在智能功率模块制作过程中,先将外壳与电路板连接,再将金属框架与电路板连接,最后在封装空间内填充封装件,从而省去了热固性塑封过程,使智能功率模块的绝缘层避免出现裂纹分层现象,提高了智能功率模块的安全性,同时提高了智能功率模块的生产效率,降低了生产成本。
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