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公开(公告)号：CN119834162A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202410683343.6
申请日：2023-10-12
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种欠压保护电路和高压集成电路芯片，包括：分压子电路、开关子电路和输出子电路，开关子电路包括第一开关单元和第二开关单元，分压子电路的第一端、第一开关单元的第一端和输出子电路的第一端连接第一工作电源，分压子电路的第二端、第二开关单元的第二端和输出子电路的第二端连接第二工作电源，第一开关单元的第二端与第二开关单元的第一端连接，形成第一节点，第一开关单元的控制端与分压子电路的第三端连接，第二开关单元的控制端与分压子电路的第四端连接，输出子电路的控制端与第一节点连接，输出子电路的第三端作为欠压保护电路的输出端。该欠压保护电路占用面积小，可降低HVIC成本，减小电压变化率过大造成的风险。
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公开(公告)号：CN119834161A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202311424097.4
申请日：2023-10-12
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种欠压保护电路和高压集成电路芯片，包括：分压子电路、开关子电路和输出子电路，开关子电路包括第一开关单元和第二开关单元，分压子电路包括第一电阻、第二电阻和第一稳压管，第一稳压管的阴极、第一开关单元的第一端和输出子电路的第一端连接第一工作电源，第一稳压管的阳极与第一电阻的第一端、第一开关单元的控制端分别连接，第一电阻的第二端与第二电阻的第一端、第二开关单元的控制端分别连接，第二电阻的第二端连接第二工作电源，第一开关单元的第二端与第二开关单元的第一端连接，形成第一节点，输出子电路的控制端与第一节点连接，输出子电路的第三端作为欠压保护电路的输出端。该欠压保护电路占用面积小，可降低HVIC成本，减小电压变化率过大造成的风险。
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公开(公告)号：CN119834160A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202311327080.7
申请日：2023-10-12
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种欠压保护电路和高压集成电路芯片，包括：分压子电路、开关子电路和输出子电路，开关子电路包括第一开关单元和第二开关单元，分压子电路的第一端、第一开关单元的第一端和输出子电路的第一端连接第一工作电源，分压子电路的第二端、第二开关单元的第二端和输出子电路的第二端连接第二工作电源，第一开关单元的第二端与第二开关单元的第一端连接，形成第一节点，第一开关单元的控制端与分压子电路的第三端连接，第二开关单元的控制端与分压子电路的第四端连接，输出子电路的控制端与第一节点连接，输出子电路的第三端作为欠压保护电路的输出端。该欠压保护电路占用面积小，可降低HVIC成本，减小电压变化率过大造成的风险。
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公开(公告)号：CN119767758A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202311282542.8
申请日：2023-09-28
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开一种功率器件的终端结构和功率器件，其中，功率器件的终端结构包括衬底、多个场限环、截止环、多个第一场板、氧化层和绝缘层，多个场限环和截止环形成于衬底内；多个第一场板与多个场限环一一对应，多个第一场板和多个场限环电性连接；氧化层位于衬底和多个第一场板之间；绝缘层至少部分位于多个第一场板和截止环之间，绝缘层设置于氧化层的表面。本发明技术方案通过采用在多个第一场板的末端与截止环之间设置有绝缘层，可作为类似电容板的一极，使第一场板末端区域的电势下降，从而使衬底表面内的耗尽区缓慢变化，避免了电场的集中，降低了多个第一场板末端的电场峰值。
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公开(公告)号：CN117917850A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202310370321.X
申请日：2022-10-21
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 刘利书
Abstract: 本发明公开了一种功率器件的启动保护电路、芯片电路和空调设备，其中，功率器件包括第一端、第二端和控制端，控制端和第二端之间连接启动电源，启动电源通过控制端提供启动电压使第一端和第二端接通以完成功率器件的启动。保护电路包括电感器件和负反馈子电路，电感器件的一端与功率器件的第二端连接，另一端与启动电源的负极端相连并接地；负反馈子电路包括控制支路和分流支路，控制支路与电感器件并联，分流支路与启动电源并联，并且控制支路根据电感器件的电压控制启动电源分流到分流支路上的电流。由此，本发明的功率器件的启动保护电路通过采用低压器件模块能够抑制电流过冲，降低开启损耗，提高使用寿命，且电路结构简单，降低了启动保护电路的设计成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116207066A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111440597.8
申请日：2021-11-30
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
IPC: H01L23/495 , H05K1/02 , H05K1/18
Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块，所述智能功率模块包括：电路板、引线框架和封装件，电路板上设有元器件，电路板的外周缘设有第一侧板，引线框架包括框架、设在框架上的引脚和设在框架一侧的第二侧板，第一侧板和第二侧板拼接连接形成为环形，电路板、第一侧板和第二侧板限定出灌胶腔，电路板设在灌胶腔内，引脚的一端与电路板连接，封装件填充在灌胶腔内。根据本发明的智能功率模块，通过将电路板与引线框架的引脚连接，电路板的第一侧板与第二侧板拼接成环形，可以省去热固性塑封过程，避免出现裂纹和分层的问题同时由于采用了灌封的工艺，使加工工序少，加工简单可控，可以提高智能功率模块的合格率，提高生产效率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN119834638A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202311327090.0
申请日：2023-10-12
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
IPC: H02M7/5387 , H02M7/5395 , H02M1/32 , H02M1/08 , H02M1/088
Abstract: 本发明公开了一种高压集成电路、智能功率模块和电器设备。其中，高压集成电路包括：高压驱动子电路，具有高压输入端、高压输出端、第一供电端和第二供电端，与高压集成电路的高压区输入端、高压区输出端、高压区供电电源正端、高压区地端一一对应连接，外置自举电容连接在高压区供电电源正端和高压区地端之间；电阻子电路和与电阻子电路并联的开关子电路，开关子电路的第一端与高压区地端连接，开关子电路的第二端与高压逆变半桥浮动节点连接，开关子电路的控制端用以输入目标控制信号。该高压集成电路，可提升高压逆变半桥浮动节点抗负压过冲能力，且不受限于等效自举电阻，不会导致电路启动时直通，对自举电容充放电速度的影响小。
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公开(公告)号：CN114459129B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202210072351.8
申请日：2022-01-21
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 赵伟雄
Abstract: 本申请提供一种控制方法、装置、变频设备及计算机可读存储介质，该变频设备至少包括集成智能功率模块IPM、主控单元和负载，集成IPM包括控制单元、至少一个采样电路和至少一个控制电路；控制方法包括：确定变频设备上电启动，获取运行程序，确定运行程序包含的运行控制指令，并将运行控制指令发送至控制单元，其中，运行控制指令包含标识信息；控制单元基于标识信息确定目标电路，并将运行控制指令转发至目标电路；控制单元接收目标电路反馈的输出信号，基于输出信号确定目标操作，控制单元根据第一映射关系确定目标电路对应的目标负载；控制单元控制目标负载执行目标操作，如此，通过集成IPM集成电路，节省电路的占用空间，提升制造效率。
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公开(公告)号：CN116053318A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202111260699.1
申请日：2021-10-28
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 刘利书
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本申请实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，所述半导体器件包括：第一导电类型的半导体衬底；多个栅极结构，位于所述第一导电类型的半导体衬底内；第二导电类型的浮空区，位于相邻两个栅极结构之间；其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；在所述第二导电类型的浮空区内，靠近所述栅极结构的部分的掺杂浓度小于远离所述栅极结构的部分的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN115881716A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111157803.4
申请日：2021-09-28
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 刘利书
IPC: H01L27/02
Abstract: 本申请实施例公开了一种功率器件。所述功率器件包括：第一控制电极、第二控制电极、第一电极和第二电极；其中，所述第一电极与所述第二电极之间具有半导体结构；所述第二控制电极用于在所述第一控制电极上的电压作用下，切换所述第一电极与所述第二电极之间的导通或截止状态。
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