-
公开(公告)号：CN117917849A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202310370297.X
申请日：2022-10-21
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 刘利书
Abstract: 本发明公开了一种功率器件的启动保护电路、芯片电路和空调设备，其中，功率器件包括第一端、第二端和控制端，控制端和第二端之间连接启动电源，启动电源通过控制端提供启动电压使第一端和第二端接通以完成功率器件的启动。保护电路包括电感器件和负反馈子电路，电感器件的一端与功率器件的第二端连接，另一端与启动电源的负极端相连并接地；负反馈子电路包括控制支路和分流支路，控制支路与电感器件并联，分流支路与启动电源并联，并且控制支路根据电感器件的电压控制启动电源分流到分流支路上的电流。由此，本发明的功率器件的启动保护电路通过采用低压器件模块能够抑制电流过冲，降低开启损耗，提高使用寿命，且电路结构简单，降低了启动保护电路的设计成本。
-
公开(公告)号：CN117917848A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202211298176.0
申请日：2022-10-21
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 刘利书
Abstract: 本发明公开了一种功率器件的启动保护电路、芯片电路和空调设备，其中，功率器件包括第一端、第二端和控制端，控制端和第二端之间连接启动电源，启动电源通过控制端提供启动电压使第一端和第二端接通以完成功率器件的启动。保护电路包括电感器件和负反馈子电路，电感器件的一端与功率器件的第二端连接，另一端与启动电源的负极端相连并接地；负反馈子电路包括控制支路和分流支路，控制支路与电感器件并联，分流支路与启动电源并联，并且控制支路根据电感器件的电压控制启动电源分流到分流支路上的电流。由此，本发明的功率器件的启动保护电路通过采用低压器件模块能够抑制电流过冲，降低开启损耗，提高使用寿命，且电路结构简单，降低了启动保护电路的设计成本。
-
公开(公告)号：CN119767758A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202311282542.8
申请日：2023-09-28
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开一种功率器件的终端结构和功率器件，其中，功率器件的终端结构包括衬底、多个场限环、截止环、多个第一场板、氧化层和绝缘层，多个场限环和截止环形成于衬底内；多个第一场板与多个场限环一一对应，多个第一场板和多个场限环电性连接；氧化层位于衬底和多个第一场板之间；绝缘层至少部分位于多个第一场板和截止环之间，绝缘层设置于氧化层的表面。本发明技术方案通过采用在多个第一场板的末端与截止环之间设置有绝缘层，可作为类似电容板的一极，使第一场板末端区域的电势下降，从而使衬底表面内的耗尽区缓慢变化，避免了电场的集中，降低了多个第一场板末端的电场峰值。
-
公开(公告)号：CN117917850A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202310370321.X
申请日：2022-10-21
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 刘利书
Abstract: 本发明公开了一种功率器件的启动保护电路、芯片电路和空调设备，其中，功率器件包括第一端、第二端和控制端，控制端和第二端之间连接启动电源，启动电源通过控制端提供启动电压使第一端和第二端接通以完成功率器件的启动。保护电路包括电感器件和负反馈子电路，电感器件的一端与功率器件的第二端连接，另一端与启动电源的负极端相连并接地；负反馈子电路包括控制支路和分流支路，控制支路与电感器件并联，分流支路与启动电源并联，并且控制支路根据电感器件的电压控制启动电源分流到分流支路上的电流。由此，本发明的功率器件的启动保护电路通过采用低压器件模块能够抑制电流过冲，降低开启损耗，提高使用寿命，且电路结构简单，降低了启动保护电路的设计成本。
-
公开(公告)号：CN116053318A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202111260699.1
申请日：2021-10-28
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 刘利书
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本申请实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，所述半导体器件包括：第一导电类型的半导体衬底；多个栅极结构，位于所述第一导电类型的半导体衬底内；第二导电类型的浮空区，位于相邻两个栅极结构之间；其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；在所述第二导电类型的浮空区内，靠近所述栅极结构的部分的掺杂浓度小于远离所述栅极结构的部分的掺杂浓度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115881716A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111157803.4
申请日：2021-09-28
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 刘利书
IPC: H01L27/02
Abstract: 本申请实施例公开了一种功率器件。所述功率器件包括：第一控制电极、第二控制电极、第一电极和第二电极；其中，所述第一电极与所述第二电极之间具有半导体结构；所述第二控制电极用于在所述第一控制电极上的电压作用下，切换所述第一电极与所述第二电极之间的导通或截止状态。
-
公开(公告)号：CN114400224A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202110952667.1
申请日：2021-08-19
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 刘利书
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8249 , H02M1/00
Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块及其制备方法和家电设备，智能功率模块包括功率器件、驱动控制模块和开关电源，其中，功率器件、驱动控制模块和开关电源进行芯片级集成，以形成一颗芯片，且采用SOI‑BCD工艺一次流片制成。由此，根据本发明实施例的智能功率模块，采用SOI‑BCD工艺一次流片制成，实现了功率器件、驱动控制模块和开关电源的芯片级集成，从而，降低了智能功率模块的制造成本，满足了智能功率模块的小型化需求，同时，提高了智能功率模块的性能。
-
公开(公告)号：CN114389553A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110935357.9
申请日：2021-08-16
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 刘利书
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明公开了一种放大器电路、芯片、家电设备，其中，放大器电路包括一级放大模块、二级放大模块和电源提供模块，电源提供模块可以向一级放大模块中的第一差分输入管和第二差分输入管提供恒流源，还可以向二级放大模块中的第一PMOS管和第二PMOS管提供偏置电压和恒流源，以使得一级放大模块可以对输入的差分信号进行一级放大，再由二级放大模块进行二级放大。由此，本实施例中的放大器电路能够在增大电路增益的同时，兼顾电路的共模抑制范围。
-
公开(公告)号：CN118866951A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310477387.9
申请日：2023-04-27
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 刘利书
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，属于功率半导体技术领域。半导体器件包括：第一导电类型的半导体衬底；多个栅极结构，位于半导体衬底上；第二导电类型的浮空区，位于半导体衬底上，且位于相邻两个栅极结构之间，第二导电类型与第一导电类型相反，在浮空区内，位于下方的第一部分的掺杂浓度大于位于上方的第二部分的掺杂浓度。通过设置浮空区的掺杂浓度为下方的第一部分大于上方的第二部分，从而将浮空区的空穴聚集在下方，使得空穴远离浮空区和栅极结构之间的电容，以此减少充电过程，进而减小位移电流，增强栅极结构对EMI和开启损耗的控制。
-
公开(公告)号：CN118866880A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310491673.0
申请日：2023-04-28
Applicant: 美垦半导体技术有限公司
Inventor： 刘利书
IPC: H01L23/60 , H01L27/02 , H01L29/861
Abstract: 本申请公开了一种半导体结构及半导体器件，属于功率半导体技术领域。半导体结构包括金属层和多晶硅层，金属层包括沿第一方向依次间隔布置的第一金属层、第二金属层和第三金属层；多晶硅层位于金属层下方，多晶硅层包括多晶硅电阻层、第一多晶硅二极管层和第一隔离层。根据本申请的半导体结构，第一多晶硅二极管层用于形成泄流通道，在第二金属层电压异常时，通过击穿第一多晶硅二极管层实现电压释放，从而保护半导体结构；泄流通道靠近第二金属层保护效果更好，且第一多晶硅二极管层和多晶硅电阻层均为多晶硅，在制程工艺上可以兼容。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.024 seconds)
