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公开(公告)号：CN117747409A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311546692.5
申请日：2023-11-20
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 蔡来强
Abstract: 本发明涉及一种改善硅片PID的抛光方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：将硅片放置到振动水洗槽内进行振动清洗表面。对硅片进行纯水冲洗。在硅片进行抛光前，先进行‑15～‑5℃度的冷凝，接着吹氮气使得硅片表面的杂质及氧化皮进行脱落。对硅片表面进行除杂，同时便于后续硅片挑选。第一步：进行粗抛，硅片加工中经过两次粗抛。第二步：进行中抛，硅片加工中经过两次中抛。第三步：进行精抛，硅片加工中经过两次精抛。具有操作便捷和效果好的特点。解决了硅片PID在清洗过程中无法被去除的问题。降低PID产生，达到提高硅片质量的效果。
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公开(公告)号：CN117735236A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311600352.6
申请日：2023-11-28
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 王烨华
Abstract: 本发明涉及材料科学技术领域，具体涉及一种硅片氧化层的X射线衍射测量位错系统，包括用于对硅片材料氧化层进行错位测量的检测器本体、固定设在检测器本体正面的承载台和用于承载硅片材料的承载盒，还包括设置在承载台顶部的转运机构和设置在承载台顶部左侧用于对装有硅片材料的承载盒进行输送的传输组件，本发明通过使转运机构采用磁吸的方式对承载硅片材料的承载盒在传输过程中进行限位，提高传输的稳定性的同时，便于对不同尺寸的承载盒进行限位，进而便于对不同尺寸的硅片材料进行传输，方便对不同规格尺寸的硅片材料进行检测，且通过传输组件与转运机构配合，便于对不同规格尺寸的承载盒进行传输，便于实际使用。
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公开(公告)号：CN117711912A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311546684.0
申请日：2023-11-20
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 朱墨涵
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种提升最终洗净后表面金属的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅片在清洗槽中采用HF和DIW的混合药液进行清洗，HF为49 wt%的浓氢氟酸，DIW为纯水，同时结合超声波清洗。第二步：通过臭氧为强氧化剂进行清洗，再进行超纯水的洗净。第三步：采用NH4OH和H2O2组成的SC1溶液进行两次清洗。第四步：进行两次超纯水的清洗。第五步：中采用HF、H2O2和DIW组成的DHF溶液进行清洗。第六步：通过臭氧为强氧化剂进行清洗，再进行超纯水和超声波脉冲的洗净。通过改良后的清洗工艺，不仅使得颗粒清洗能力大幅提升，且有效的避免了药物残留等面检外观不良，与此同时，也实现了制成能力提升和产能优化。
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公开(公告)号：CN117589673A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311493761.0
申请日：2023-11-10
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Abstract: 本发明公开了避免人工检验划伤硅片的旋转台结构及目检方法，包括支撑台和硅片，所述支撑台顶部设有转动杆，所述转动杆贯穿支撑台并与支撑台转动连接，所述支撑台顶端活动连接有支撑件，所述转动杆外侧设置有固定环，所述固定环顶部设有用于对硅片吸附的吸附件，所述固定环底部设置有转动盘，传动板通过固定连接的多个弹簧带动转动环进行转动，从而使人员对硅片进行旋转观察，并且在转动环底部固定连接有支板，通过支板底部转动连接的转动轮与支撑台顶部的弧形凸块相接触，进而使转动环一侧抬起，到达一个上升下降的变化，使硅片绕吸盘进行波动，从而改变观察的角度，提高人工目检的观察范围，避免出现漏检的情况。
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公开(公告)号：CN117548371A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311493759.3
申请日：2023-11-10
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Abstract: 本发明公开了对硅片卷边或刀口形貌的快检挑拣流水线及方法，包括分拣台，所述分拣台的内部通过转向机构使得分拣板进行转动操作，且分拣台的前后侧均安装有装料箱，分拣台的顶部设置有检测机构，本发明涉及硅片加工技术领域。该对硅片卷边或刀口形貌的快检挑拣流水线及方法，通过设置有转向机构，利用驱动组件的驱动使得驱动板转动，并配合旋转组件的驱使带动齿条的移动，以此实现了支撑杆带动驱动板进行顺时针转动90°或逆时针转动90°的操作，完成下料口的转换，以此在识别完成后同步实现卷边形貌NG或刀口形貌NG产品的区分，提高准确性和操作的效率，防止过程中抽检和非定量目视检查的不足，提升防流出方案管控的有效性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117524847A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311407409.0
申请日：2023-10-27
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 邝梦杰
Abstract: 本发明涉及一种高平坦度外延片的调试方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：前值形貌多为“碗型”，即边缘上翘具有深度，导致ESFQR较差。第二步：在外延工艺加工过程中改变灯管的功率，硅片从750℃升温到900℃，接着升温至1130℃保温45秒，使得硅表面长膜2um；在抛光晶圆的表面通过外延沉积反应生长一层外延层以制备得到外延晶圆。第三步：接着温度从1130℃度降温至900℃；利用物理气相沉积法在外延晶圆的外延层表面沉积一层薄膜层。第四步：利用等离子刻蚀法去除外延晶圆表面的薄膜层和局部外延层。具有操作便捷和改善效果好的特点。通过调整外延灯管功率可以得到平坦度增量为负的，高平坦度外延片，更利于后续半导体芯片的生产。
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公开(公告)号：CN117457485A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310633573.7
申请日：2023-05-31
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
IPC: H01L21/304 , C30B29/06 , C30B25/16 , C30B33/00 , H01L21/306 , H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种改善硅片外延后平坦度的方法，所属硅片加工工艺技术领域，包括如下操作步骤：第一步：通过选取纯度高的多晶材料、高纯度的石英坩埚及洁净的拉晶环境拉制出低污染高质量的单晶棒。第二步：通过截断、滚磨得到尺寸合适的晶段，然后通过控制线切割工艺的过程稳定性，如出刀和入刀稳定性的控制，得到平坦度参数如Warp、Bow、TTV较优异，边缘无严重形变的线切割片。第三步：切割片再经过抛光处理工序得到镜面抛光片，包括磨片、倒角、腐蚀、双面抛光、单面抛光、平坦度测定、最终洗净。具有操作便捷和质量稳定性好的特点。测定硅片边缘是否均一，实现过滤掉边缘不均一硅片功能，筛选出厚度均一性较好的硅片用于外延生长，达到高平坦度要求。
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公开(公告)号：CN117368220A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311350154.9
申请日：2023-10-18
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种单晶硅应力缺陷的无损检测方法，所属硅片检测技术领域，包括如下操作步骤：第一步：在透射模式下使用偏振光检查由硅样品中的机械应力场引起的双折射，获取具有清晰可见应力场的完整晶圆图。第二步：得到突出显示缺陷区域的缺陷图和包含各个缺陷的坐标和大小的缺陷清单文件。第三步：以偏振应力成像方法为基础，使用交叉偏振片扫描全晶圆，通过测试晶圆上的应力场来检测晶体缺陷。第四步：根据缺陷查找算法进行自动缺陷分析，计算以平方毫米为单位的总缺陷面积和每个晶圆的缺陷面积的百分比BFA。实现对应力缺陷进行测试表征，具有操作简单、数据处理方便和结果可靠的特点，同时对待测样品无损。
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公开(公告)号：CN117359479A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311471371.3
申请日：2023-11-07
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 张文军
IPC: B24B37/04 , B24B37/08 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种获得高平坦度双面抛光片的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：加工开始前需要确保抛光液电导率维持在2.5±0.2的范围。第二步：程序开始时，抛光压力不断从0到1500dan，压力上升阶段时间为5分钟，抛光液流量6L/min。第三步：减薄阶段是硅片厚度去除，损伤层修复；压力维持1500dan，流量需要维持在8L/min。第四步：进行平坦度优化，此时抛光压1200dan，抛光液流量6.5L/min。第五步：在1200dan压力下去除约1μm厚度后，进一步降低压力至800dan，流量4L/min，完成硅片平坦度达到目标水平的抛光过程。具有操作便捷、运行稳定性好和安全可靠性高的特点。解决硅片抛光过程中出现缺陷的问题。通过对抛光液流量和抛光压力调整，获得高平坦度双面抛光片。
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公开(公告)号：CN114192423B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202111481313.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 高洪涛
Abstract: 本发明公开了一种外延硅片翘曲度的检测修正装置及工作方法，包括主机体，主机体上设置有主输送线，主输送线的上方等间距设置有若干硅片架，用来输送产线上生产出来的外延硅片，然后在主输送线靠近生产线的一端上设置扫描组件，用来扫描判断外延硅片是符合格，同时判定异常的外延硅片的翘曲度，在主输送线的一侧位于扫描组件的后方设置有翻转组件，然后在主输送线的另一侧设置副输送线，在主输送线和副输送线的上方设置有平移组件，用来将异常的外延硅片由主输送线上移动至副输送线上，最后在副输送线的一端设置修正箱用来对异常的外延硅片进行修正。
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