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公开(公告)号：CN101002369A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200580005245.2
申请日：2005-04-14
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： B82Y20/00 , G02B6/12002 , G02B6/12004 , G02B6/122 , G02B6/131 , G02B2006/12104 , G02F1/01708 , G02F2202/102 , H01S5/005 , H01S5/0071 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/0683 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1021 , H01S5/1032 , H01S5/22 , H01S5/34306
摘要： 激光器和电吸收调制器(EAM)通过蚀刻刻面过程被整体集成。晶片上的外延层包括用于激光器结构的第一层和用于EAM结构的第二层。激光器和EAM之间的强光耦合使用两个45度旋转反射镜实现，以便使光从激光器波导垂直路由到EAM波导。使用定向有角度的蚀刻过程来形成两个有角度的刻面。
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公开(公告)号：CN1871753A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200480030790.2
申请日：2004-10-05
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
发明人： A·A·贝法尔
IPC分类号： H01S5/00
摘要： 一种表面发射激光器(10)，其中光在一端从45°成角面(22)垂直地发射，该激光器包括具有从中水平地发射光的垂直面的第二端(28)，用于监视。
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公开(公告)号：CN105207053A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510541116.0
申请日：2006-02-17
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
发明人： A·A·贝希尔
CPC分类号： H01S5/323 , G02F1/17 , H01S5/0042 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0203 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S5/2214
摘要： 本发明公开了高可靠性的蚀刻小面光子器件。半导体光子器件表面被覆盖以电介质或金属保护层。保护层覆盖整个器件，包括在有源区小面附近的区域，以保护裸露或未经保护的半导体区，由此形成非常高可靠性蚀刻小面的光子器件。
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公开(公告)号：CN103222137A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180047881.7
申请日：2011-10-25
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
IPC分类号： H01S5/20
CPC分类号： H01S5/10 , B82Y20/00 , H01S5/1003 , H01S5/1039 , H01S5/1082 , H01S5/22 , H01S5/34313
摘要： 通过使用由蚀刻面形成的全内反射(TIR)表面，长半导体激光器腔体被放置在相对较短长度的芯片里。在一个实施例中，通过使用成三个45度角的TIR表面来连接界定激光腔的四段脊波导或掩埋异质结构(BH)波导，沿着矩形半导体芯片的周边边界形成激光腔。在其他实施例中，甚至使用更多TIR表面和波导段或节段，制造矩形或四边形螺旋结构形状的更长的激光腔。这些结构被限制在邻近波导部分的间隙中，如果其中间隙太小，会引起节段之间的不被期望的耦合。但是，使用邻近部分之间的蚀刻凹槽已被证明可减少这种耦合效应。
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公开(公告)号：CN101656397A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910161176.4
申请日：2004-10-14
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
发明人： A·A·贝法尔
摘要： 一种表面发射激光器，其中光在一端从接近45°的成角面垂直地发射，该激光器包括具有从其中水平发射光的垂直面的第二端，用于监视。该表面发射激光器包括在接近45°的成角面上方的表面上的发散补偿透镜。
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公开(公告)号：CN1537349A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN02815123.2
申请日：2002-06-25
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
发明人： A·贝赫法
CPC分类号： H01S5/1071 , Y10S438/94
摘要： 一种包括行波腔体的环型激光器，该腔体包括至少第一和第二直的腔体分段和至少一个弯曲腔体分段。对应的直的腔体分段的两个第一端部在第一发射光的小面处相互连接，而直的分段的第二端部与弯曲波导相互连接。可把额外的弯曲和直的分段连接起来以提供各种环形结构。
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