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公开(公告)号：CN111640683A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010514199.5
申请日：2020-06-08
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 孙彬
Abstract: 本申请公开了一种驱动芯片上凸块的制备方法，该方法包括：在驱动芯片的功能面上的沟槽线路区表面形成可去除的保护层，沟槽线路区周围的至少一个焊盘从保护层中露出，且保护层在功能面上的正投影大于其与功能面接触的一端在功能面上的正投影；在功能面以及保护层远离功能面一侧形成金属层，且位于功能面上的金属层与保护层的一端之间具有间隔；在每个焊盘位置处分别形成金属凸块；去除保护层以及保护层表面的金属层；去除金属凸块周围未被金属凸块覆盖的金属层。通过上述方式，本申请能够使驱动芯片功能面上沟槽线路区内无金属残留，避免因沟槽线路区与残留金属电连接导致驱动芯片短路，提高驱动芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN111627838A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010499152.6
申请日：2020-06-04
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 刘伟
Abstract: 本发明提供一种湿制程系统用喷淋装置、一种湿制程系统以及一种半导体处理设备，属于湿制程技术领域。其中，湿制程系统包括槽体与盖设在槽体上的盖板，喷淋装置包括：进液管、以及与进液管连通的喷淋件，其中，喷淋件穿设在盖板的中央区域处，喷淋件朝向槽体的一侧设置有至少一个喷淋孔，并且，至少一个喷淋孔在槽体内形成的喷淋区域与待处理工件重合或落在其外侧。本发明提供的喷淋装置结构简单，可以对待处理工件进行无盲区、全覆盖的彻底清洗，清洗效率高，有效降低机台对待处理工件的不良影响以及减少待处理工件上的残留颗粒，从而提高待处理工件的良率以及刻蚀效果，进而提高待处理工件质量，以及极大简化了对操作员工的要求。
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公开(公告)号：CN111617888A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010511367.5
申请日：2020-06-08
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 刘伟
Abstract: 本公开提供一种湿制程系统用颗粒物收集装置和湿制程系统，所提出的一种装置包括：处理腔室，所述处理腔室设置有入口、第一出口以及第二出口，所述第二出口比所述第一出口远离所述处理腔室的中心；旋转组件，所述旋转组件设置在所述处理腔室内，所述旋转组件能够使得经由所述入口引入至所述处理腔室内的液体旋转，以将所述液体中的颗粒物引导至所述第二出口处；收集组件，所述收集组件与所述第二出口相连。本公开实施例中的装置，通过旋转组件使得进入该装置的药液旋转，通过离心力的作用将药液中的颗粒物与药液分离，将颗粒物聚集在收集组件中，从而将药液中的颗粒物分离出来，提高湿制程工艺的制备精度，提高湿制程工艺制备出的产品的质量。
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公开(公告)号：CN111554585A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010501967.3
申请日：2020-06-04
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 张文斌
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本申请公开了一种晶圆级封装方法，该方法包括：将包括多个芯片的晶圆设置在承载片上，每个芯片的功能面上设置有多个焊盘，且每个芯片的功能面朝向承载片；在晶圆远离承载片的一侧形成多个第一凹槽，分属于不同芯片的相邻的至少两个焊盘具有从同一个第一凹槽中露出区域；在晶圆远离承载片的一侧以及第一凹槽内形成再布线层，再布线层与从第一凹槽中露出的焊盘电连接。通过上述方式，本申请在开设第一凹槽时，第一凹槽横跨两个芯片上相邻的焊盘，第一凹槽的尺寸较大能够降低开设凹槽时对精度的要求，减小了芯片在加工过程中断裂的风险。
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公开(公告)号：CN111554582A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010532022.8
申请日：2020-06-11
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/29 , H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 本申请公开了一种芯片封装方法和芯片封装器件，属于封装技术领域。本申请公开的芯片封装方法先在芯片功能面上的焊盘位置处形成金属凸块，然后在金属凸块的外围形成绝缘层，且绝缘层远离功能面的表面低于金属凸块的远离功能面的表面，再利用导电胶将金属凸块远离焊盘的一侧表面与衬底表面的导电部电连接。电连接之后，导电胶中的至少部分树脂材料和绝缘层包裹金属凸块的侧壁，从而降低金属凸块的侧壁与其他金属凸块或者芯片封装器件之外的其他器件横向导通的几率，降低芯片封装器件内部发生短路的几率，提高芯片封装器件内部电连接的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111485276A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010507504.8
申请日：2020-06-05
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电镀设备电连接单元及电镀设备，其中所述电连接单元包括：顶部开口的溶液槽，所述溶液槽内设置有导电件，所述导电件具有电接触部，所述电接触部低于所述开口；还包括保护液输入口和保护液流出口，所述保护液输入口用于向所述溶液槽输入保护液，所述保护液流出口用于排出所述溶液槽内的所述保护液；通过将导电件设置在溶液槽内，并通过保护液输入口输入保护液，通过循环的保护液对导电件进行保护，使导电件的电接触部始终处于清洁的状态，保证了导电件的导电效果，不会对电镀设备产生影响，从而保证了电镀设备的电镀效果，保证了电镀设备的工作效率，提高电镀质量。
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公开(公告)号：CN111463181A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010243848.2
申请日：2020-03-31
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 孙彬
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本申请公开了一种晶圆单元凸块防脱落的方法及晶圆单元，所述晶圆单元包括晶圆，所述晶圆上形成有凸块下金属层，所述凸块下金属层上生长有凸块；所述方法包括：对所述晶圆单元加热到预定温度；并以等离子体态的氮气作为工作气体；至少使凸块下金属层的裸露边缘形成金属氮化物，通过该方法将晶圆单元的凸块下金属处理形成金属氮化物隔离层，对下金属层进行保护，防止凸块的脱落。
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公开(公告)号：CN111312602A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010121113.2
申请日：2020-02-26
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 孙彬
IPC: H01L21/60
Abstract: 本申请公开了一种封装方法，该方法包括：提供晶圆，晶圆包括晶圆本体、设置在晶圆本体同一侧且均裸露的焊盘以及敏感元器件；形成覆盖敏感元器件的保护层；在裸露的焊盘上形成与焊盘电连接的金属凸柱；去除保护层。本申请所提供的封装方法能够在制备金属凸柱的过程中保护敏感元器件，避免对敏感元器件造成损伤。
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公开(公告)号：CN110544638A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910668083.4
申请日：2019-07-23
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本申请公开一种芯片封装结构的制作方法、芯片封装结构及半导体器件，该方法提供的晶圆中具有用于形成硅通孔的沟槽，所述沟槽的侧壁、底壁以及晶圆面上覆盖有金属层，所述金属层上覆盖有保护层；形成覆盖于每个所述沟槽底壁和至少部分侧壁上保护层的胶块，在后续功能凸点的制程能够对沟槽内的保护层形成防护，阻止蚀刻药液渗入，所述胶块的高度平齐于或低于所述晶圆面，不会影响功能凸点的平整性。
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公开(公告)号：CN110504193A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910663243.6
申请日：2019-07-22
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本申请公开了一种半导体的烘烤装置及获取半导体在烤盘上的位置的方法。该烘烤装置包括：烤盘，烤盘的第一表面用于放置半导体，第一表面上设置有多个温度监测点；多个温度传感器，温度传感器对应于温度监测点设置于烤盘上，用于检测温度监测点的温度；处理器，用于接收多个温度监测点的温度，得到多个温度监测点的温度曲线，并根据多个温度曲线得到半导体和烤盘的位置关系。通过此种方式可以较为准确地判断半导体是否全部位于烤盘上，从而能够提高半导体制造的合格率。
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