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公开(公告)号：CN112768363A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110375144.5
申请日：2021-04-08
申请人： 浙江集迈科微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/488
摘要： 本发明提供一种曲面芯片贴装结构及其制备方法，制备包括：在曲面芯片上制备焊球，控制模具的柔性面具有第一曲面状态，将焊球焊接在柔性面上，熔融焊球并控制柔性面具有第二曲面状态，固化焊球，使得固化后焊球的顶部与柔性面的第二曲面状态相同。本发明通过引入柔性面的模具，在曲面芯片贴装过程中发生不同曲面状态的变化，使曲面芯片表面的熔融的焊球发生形状变换，使固化后焊球顶部形成需要的状态，使原本不平整的焊球重新熔融冷却后形成平滑平整的共面或根据终端的曲面形状重新固化形状。为曲面芯片、曲面玻璃等不平整电子器件解决贴片过程中脱焊的问题，使得曲面屏和曲面基板等曲面芯片结构适用各种形状的安装面，利于可穿戴电子产品发展。
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公开(公告)号：CN112701071A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202110304969.8
申请日：2021-03-23
申请人： 浙江集迈科微电子有限公司
摘要： 本发明提供一种多芯片贴装结构及制备方法，制备包括：在基板上贴装多个芯片，在芯片上制备填充辅助层以形成腔体，对应所述腔体具有气体进口和气体出口，在气体进口涂底填胶材料，在气体出口处施加负压，基于空气压力使底填胶材料流入芯片底部形成底部填充胶。对于多个芯片模组的封装结构，本发明在待封装芯片与基板之间构建腔体，在气体进口涂底填胶材料，在气体出口施加负压，使底部填胶在气压作用下被压入芯片底部，能够减小多芯片结构底填胶的填充难度，有利于解决填充气泡的问题。还可解决多芯片小间距的结构中，填胶头难以放置、填胶工艺复杂及对前续步骤结构影响大的问题。本发明工艺简单，还可解决多个芯片集成难时以按需进行填充的问题。
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公开(公告)号：CN110010543B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201811176817.9
申请日：2018-10-10
申请人： 浙江集迈科微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种射频芯片扇出型系统级封装工艺，包括如下步骤：101）载板处理步骤、102）底座处理步骤、103）封装步骤；本发明提供避免二次加工对芯片造成伤害的一种射频芯片扇出型系统级封装工艺。
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公开(公告)号：CN110010490B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201811593344.2
申请日：2018-12-25
申请人： 浙江集迈科微电子有限公司
发明人： 冯光建
摘要： 本发明公开了一种纵向互联的射频立方体结构的制作工艺，包括以下步骤：在射频芯片转接板表面做凹槽，凹槽内填充金属；在转接板正面开空腔，埋入射频芯片；在射频芯片一面做RDL，焊盘，减薄转接板背面，在背面做焊盘；通过晶圆级键合把射频芯片转接板焊接在一起；机械切割得到单一立方体；在立方体上面贴装天线，在立方体侧面贴互联转接板和电源驱动芯片完成立方体的电性互联得到最后的功能射频立方体。
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公开(公告)号：CN110010500B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201811176981.X
申请日：2018-10-10
申请人： 浙江集迈科微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种高度集成的射频芯片系统级封装工艺，包括如下步骤：101）中间层初步处理步骤、102）中间层开凹槽步骤、103）底座处理步骤、104）顶层处理步骤、105）封装步骤；本发明提供节省了封装体的占用面积、提高适用性的一种高度集成的射频芯片系统级封装工艺。
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公开(公告)号：CN111968944A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010855311.1
申请日：2020-08-24
申请人： 浙江集迈科微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/48 , H01L23/473 , H05K1/02 , H05K3/30
摘要： 本发明提供一种射频模组超薄堆叠工艺，包括：(a)、提供第一硅片，在第一硅片上刻蚀TSV孔，金属充满TSV孔；(b)、在第一硅片上临时键合载片，将第一硅片做减薄处理；(c)、第一硅片刻蚀第一凹槽，嵌入芯片，拆临时键合得到芯片嵌入结构；(d)、第二硅片上形成第二凹槽，第三硅片上形成第三凹槽和第四凹槽；(e)、第二硅片和第三硅片键合得到微流道芯片，微流道芯片贴装在芯片的下方，得到模组结构；(f)、将多层模组结构堆叠得到多层微流道模组；(g)、提供微流道支架；(h)、将多层微流道模组焊接在微流道支架上并固定，得到多层堆叠的射频模组结构。本发明的技术方案能够满足不同层的功率模组的散热需求。
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公开(公告)号：CN111968942A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010855286.7
申请日：2020-08-24
申请人： 浙江集迈科微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H05K3/34
摘要： 本发明提供一种转接板侧壁互联射频模组的互联工艺，包括以下步骤：(a)、提供硅片，在硅片上表面形成RDL和焊盘；(b)、在硅片下表面形成RDL和焊盘，拆临时键合得到转接板；(c)、提供第一电路板，在第一电路板的一面设置焊盘，另一面设置焊球，将焊球进行压扁处理，得到第二电路板；(d)、将第二电路板和转接板焊接在第一PCB板的空腔内，得到第二PCB板；(e)、提供芯片，将芯片焊接在第二PCB板上方形成导通结构。本发明的转接板侧壁互联射频模组的互联工艺，通过形成带互联线的转接板，将电路板贴在转接板上使转接板有足够的面积容纳焊接点，芯片和转接板焊接，转接板与PCB焊接，减小PCB板的面积。
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公开(公告)号：CN111968919A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010855285.2
申请日：2020-08-24
申请人： 浙江集迈科微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/473 , H05K3/30
摘要： 本发明提供一种射频模组散热工艺，包括以下步骤：(a)、提供衬底，衬底正面形成侧壁焊盘，制作TSV导电柱、RDL和互联焊盘；(b)、在衬底背面形成侧壁焊盘，形成第二衬底；(c)、在衬底背面干法刻蚀凹槽，使TSV导电柱顶部金属露出，形成第三衬底；(d)、在第三衬底背面凹槽嵌入芯片，在第三衬底背面制作RDL和互联焊盘，形成第四衬底；(e)、提供PCB板和散热导管，切割第四衬底成单一模组，在模组背面贴装散热导管，将模组的侧壁焊盘和PCB板一侧的互联焊盘做贴片，散热导管内充入循环液体做散热，得到具有散热能力的射频模组。本发明的射频模组散热工艺，既能实现高可靠性的散热功能，还能有助于模组的稳定焊接。
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公开(公告)号：CN111710650B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010840348.7
申请日：2020-08-20
申请人： 浙江集迈科微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/8252 , H01L27/088 , H01L29/45 , H01L29/778
摘要： 本发明提供一种基于双沟道栅的GaN器件及其制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，形成外延结构，形成源极电极及漏极电极，刻蚀部分外延结构的势垒层和外延帽层，得到交替排布的凹槽结构和凸出结构，形成栅介质层及栅极层。本发明在GaN沟道层上形成交替排布的第一器件和第二器件，可以是交替排布的MOS器件结构和HEMT器件结构，从而可以基于二者提高整体GaN器件的线性度。本发明栅氧采用BeO，同时增强极化效应及散热，源极电极及漏极电极的材料采用TixAly层，通过不含金的Ti‑Al合金薄膜实现直接接触的欧姆接触，有利于保持高导电性2DEG，有助于获得较低的接触电阻和较平坦的接触界面，同时与Si工艺兼容。
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