本发明提供一种射频模组超薄堆叠工艺，包括：(a)、提供第一硅片，在第一硅片上刻蚀TSV孔，金属充满TSV孔；(b)、在第一硅片上临时键合载片，将第一硅片做减薄处理；(c)、第一硅片刻蚀第一凹槽，嵌入芯片，拆临时键合得到芯片嵌入结构；(d)、第二硅片上形成第二凹槽，第三硅片上形成第三凹槽和第四凹槽；(e)、第二硅片和第三硅片键合得到微流道芯片，微流道芯片贴装在芯片的下方，得到模组结构；(f)、将多层模组结构堆叠得到多层微流道模组；(g)、提供微流道支架；(h)、将多层微流道模组焊接在微流道支架上并固定，得到多层堆叠的射频模组结构。本发明的技术方案能够满足不同层的功率模组的散热需求。