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公开(公告)号:CN106392369A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201610355993.3
申请日:2016-05-26
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor: 福田和博
IPC: B23K35/30 , B23K35/362 , B23K35/368 , C22C19/05
Abstract: 本发明提供在焊接时不易产生高温裂纹、即使在焊接金属含有大量氢的情况下也能得到拉伸延展性良好的焊接金属的Ni基合金药芯焊丝。本发明的Ni基合金药芯焊丝为焊剂内包于外皮中的Ni基合金药芯焊丝,焊丝整体的组成如下:相对于焊丝总质量,含有规定量的Ni、Cr、Mo、Mn、W、Fe、Al,B化合物及B合金中的任意一者或两者的B换算量的合计为0.005质量%以上且0.030质量%以下,且C、Si、P、S、Ti、Nb分别为规定值以下。
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公开(公告)号:CN104024792B
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201280054650.3
申请日:2012-10-02
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G01M17/02 , B60C13/003 , G01B11/245 , G01B11/25 , G01B11/2522 , G01M17/027 , G01N21/9515 , G01N2021/8887 , G06T7/001 , G06T2207/30108
Abstract: 即使在以重叠于凹凸标记上的方式存在凹凸缺陷的情况下,扣除凹凸标记的高度部分的量而计算/取得仅仅凹凸缺陷的高度。在使用具有形成有凹凸标记的侧壁面的样品轮胎的图像,对检查轮胎的侧壁面的形状缺陷进行检查的轮胎形状检查方法中,执行以下工序。首先,作为教导作业工序,在样品轮胎的样品原始图像中,检测凹凸标记的边界线,生成示出边界线的掩模图像,从样品原始图像去除与掩模图像所示出的边界线对应的区域,生成由一个或者多个偏移值表示残留的区域的高度的高度偏移图像。接着,作为检查作业工序,从检查轮胎的检查图像扣除高度偏移图像,并且除去掩模图像表示的边界区域,基于所得到的凹凸除去图像,对检查轮胎的侧壁面的形状缺陷进行检查。
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公开(公告)号:CN103493209B
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201280019557.9
申请日:2012-04-19
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/1368 , H01L27/1222 , H01L29/78693
Abstract: 提供一种在有机EL显示器或液晶显示器等显示装置中,在形成保护膜等时无需氧化处理层,就能使薄膜晶体管的电特性稳定的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管构造在基板上至少从基板侧依次具备氧化物半导体层、源/漏电极和保护膜,该薄膜晶体管构造的主旨在于:上述氧化物半导体层为第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层的层叠体,上述第1氧化物半导体层中的Zn占金属元素整体的含有量为50原子%以上且形成在源/漏电极以及保护膜侧,上述第2氧化物半导体层包括从由In、Ga以及Zn构成的组中选择的至少一种元素和Sn并形成在基板侧,而且上述第1氧化物半导体层、与上述源/漏电极及保护膜直接接触。
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公开(公告)号:CN106356343A
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:CN201610518471.0
申请日:2016-07-04
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L23/367
CPC classification number: H01L23/3672
Abstract: 本发明提供一种散热基板、装置及散热基板的制造方法,其散热基板具备以铝或铝合金作为主成分的基材、及积层在该基材的一面且具有绝缘性的导热层,并且所述导热层具备无机物层,该无机物层含有以氧化铝作为主成分的填料及以磷酸盐玻璃作为主成分的粘合剂。本发明翘曲小且绝缘性及散热性优异。
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公开(公告)号:CN106351705A
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:CN201610557700.X
申请日:2016-07-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: F01K27/00
Abstract: 本发明提供能够抑制在运转开始时在蒸发器中产生的热应力的急剧增大的热能回收装置及其起动方法。前述热能回收装置具备蒸发器10)、预热器(12)、能量回收部(13)、循环流路22)、泵(20)、加热介质流路(30)、流量调整部40)、控制部(50),前述加热介质流路(30)对于蒸发器(10)及预热器(12)供给加热介质,前述流量调整部(40)设置于加热介质流路(30)的比蒸发器(10)更靠上游侧的部位,控制部(50)在使泵20)停止直到蒸发器(10)的温度变成规定值的状态下,控制流量调整部(40),使得气相的加热介质向蒸发器(10)的流入量逐渐地增加。
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公开(公告)号:CN106337171A
公开(公告)日:2017-01-18
申请号:CN201610490806.2
申请日:2016-06-28
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C18/32 , C23C18/1637 , C23C18/165 , C23C28/021 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 提供了一种在Ni镀覆工艺中使用的沉积有底层的基板,其允许Ni镀覆层在应用NiP镀覆工艺期间充分生长,使其可以有效地形成均匀的Ni镀覆层,并且此外展现出对Ni镀覆层的良好粘附性。所述在Ni镀覆工艺中使用的沉积有底层的基板包括在用于磁性记录介质的铝基板表面上沉积的底层,并且所述底层是Al合金膜,所述Al合金膜含有Zn或Ni作为合金元素。
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公开(公告)号:CN104315738B
公开(公告)日:2017-01-18
申请号:CN201410538235.6
申请日:2009-08-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor: 壶井升
CPC classification number: F25B31/004 , F25B1/047
Abstract: 一种冷冻装置,包括:由马达驱动的压缩机;包含油分离回收器、冷凝器、膨胀阀、及蒸发器的制冷剂循环流路;以及将油分离回收器内的油向所述压缩机内的轴承引导的油流路,收纳马达的马达壳上设有供油口,且设有从压缩机的排出侧的制冷剂循环流路内的储油器向供油口供油的供油路,通过供油路向供油口供给油,使油遍布马达的绕组的表面。在此,所述马达壳的内部压力低于所述压缩机的排出侧的所述制冷剂循环流路内的储油器的压力,从而可更容易地使油遍布马达壳内全体。这样的冷冻装置即使经过长时间,马达的绝缘性能也不会降低。
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公开(公告)号:CN106319303A
公开(公告)日:2017-01-11
申请号:CN201610497900.0
申请日:2016-06-29
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C22C21/06 , C22C21/08 , C22F1/047 , G11B5/7315
Abstract: 本发明提供了用于磁盘的铝合金坯料和用于磁盘的铝合金基板,其具有足够的抗冲强度至这样的程度,即,使得它们即使在变薄时也不会由于在下落时的冲击而变形,并且其中微波纹不太可能在电镀后的电镀表面上出现,并且其具有很少的表面缺陷。所述用于磁盘的铝合金坯料包括:Mg:4.5质量%以上且6.0质量%以下,Mn:0.10质量%以上且0.55质量%以下,Si:0.025质量%以下和Fe:0.025质量%以下,余量为Al和不可避免的杂质,并且铝合金坯料的表面上的平均晶粒尺寸为27μm以下,铝合金坯料表面上的平均晶粒尺寸的纵横比为1.2以下且铝合金坯料的屈服强度为140MPa以上。
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公开(公告)号:CN104421142B
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201410447493.3
申请日:2014-09-04
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor: 中西海
Abstract: 本发明提供一种使运转周期变短能够将加载运转时的升压抑制得较小而进行节能运转的压缩机及其控制方法。本发明的压缩机具备吸入流路(2)、在规定的运转期间经过后被维护的吸气调整阀(4)、维护时间测量机构(11)、工作次数测量机构(13)、加载运转时间测量机构(12)和将吸气调整阀切换为开启或关闭的控制机构(18);控制机构在以比在吐出侧需要的所需最低压力大的吐出压力加载运转中,如果由加载运转时间测量机构测量出的从加载运转开始起的持续时间超过可卸载最短时间,则切换为卸载运转,所述可卸载最短时间基于到吸气调整阀的维护为止的剩余时间、吸气调整阀的容许工作次数和吸气调整阀的累计工作次数决定。
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公开(公告)号:CN104250696B
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201410244840.2
申请日:2014-06-04
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明是既维持抗拉强度,焊接裂纹性和耐应力腐蚀裂纹性又优异的焊接结构构件用铝合金锻造材,含有Mg:0.4~4.0质量%、Zn:3.5~7.0质量%、Cu:0.1~0.5质量%、超过Mn:0.3质量%并在0.8质量%以下、Ti:0.001~0.15质量%,还含有Cr:0.1~0.5质量%、Zr:0.05~0.25质量%之中至少一种以上,Si:限制在0.5质量%以下,Fe:限制在0.5质量%以下,余量由Al和不可避免的杂质构成,设ST方向的晶粒长度为G(ST)μm和LT方向的晶粒长度为G(LT)μm时,满足下式(1)和式(2)或式(1)和式(3)。50≤G(LT)≤500…(1),(0.35×G(LT)+5)<G(ST)≤(0.35×G(LT)+85)…(2),G(ST)≤(0.35×G(LT)+5)…(3)。
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