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公开(公告)号：CN107063427A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710070080.1
申请日：2017-02-08
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G01H1/00
Abstract: 旋转机的异常探测系统具备：两个以上的异常探测装置和计算机。各异常探测装置具备：传感器，检测被分配的旋转机的振动并生成表示检测到的振动的信号；和发送部，向计算机发送该信号。计算机具备：采样部，针对从各发送部发送的信号，以规定采样频率对信号所表示的振动采样后检测，每隔规定期间集中输出在该期间内检测到的多个采样数据；存储部，存储从采样部输出的多个采样数据；频率分析部，对从采样部输出的多个采样数据进行频率分析；异常判定部，基于已进行频率分析的与各旋转机对应的频率分析结果，判定各旋转机中是否产生了异常；和显示部，按时间序列实时显示与各旋转机对应的频率分析结果，且显示判定结果。还提供旋转机的异常探测方法。
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公开(公告)号：CN104885229B
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201380067811.7
申请日：2013-12-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , C01G19/00 , H01L21/306 , H01L21/316 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/45 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/32134 , H01L21/44 , H01L21/46 , H01L21/465 , H01L29/66969 , H01L29/78636 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型TFT，TFT的氧化物半导体层对源‑漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异，且应力耐受性优异。该TFT的特征在于，是具有氧化物半导体层由Sn及In、以及选自Ga和Zn中的至少1种和O构成的第1氧化物半导体层；以及由选自In、Zn、Sn及Ga中的1种以上的元素和O构成的第2氧化物半导体层的层叠体，按照所述栅极绝缘膜、所述第2氧化物半导体层、所述第1氧化物半导体层的顺序形成，且在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源‑漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚‑第1氧化物半导体层中央部的膜厚)/源‑漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚]求出的值为5％以下。
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公开(公告)号：CN104769407B
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201380058807.4
申请日：2013-11-08
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G01M17/022 , G01M17/024
Abstract: 在将负荷转鼓(4)推压至轮胎(T)的基础上，测量轮胎(T)的均匀性波形和负荷转鼓(4)的旋转相位。在对均匀性波形进行频率变换后得到的频域的波形中，求取负荷转鼓(4)的转速的整数倍数分量处的振幅以及相位，作为校正参数来存储。通过从均匀性波形中减去基于该校正参数计算出的轮胎测量时的负荷转鼓(4)的旋转相位范围中的校正波形，从而计算出被校正后的轮胎(T)的均匀性波形。
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公开(公告)号：CN105339072B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201480034581.9
申请日：2014-06-20
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: B01D53/18 , B01D53/14 , B01D2252/103 , B01D2252/204 , B01D2257/504 , B01J19/00
Abstract: 吸收方法包括：准备微细流路的步骤；使作为第一流体的气体以及作为第二流体的吸收液在所述微细流路中流通，以利用所述吸收液从包含被吸收成分的所述气体中吸收所述被吸收成分的主流通步骤；以及在使所述气体以及所述吸收液流动至所述微细流路的状态下，使用于提高该微细流路内的压力的第三流体在该微细流路中流通的副流通步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107020335A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611248434.9
申请日：2016-12-29
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供一种用于更理想地获得所希望的形状的冲压成形件的制造方法。冲压成形件的制造方法包括如下工序：将被冲压构件(30)配置于第一模具(10)与第二模具(20)之间；以及通过使第一模具和第二模具相对移动而彼此接近，对被冲压部(31)进行冲压成形，以使得被冲压部的高度变小。在冲压成形的工序中，利用在第二模具中设为彼此分离的槽状的一对保持部(20B)来保持在被冲压部中朝向第二模具弯曲成凸状的一对第一弯曲部(31A)，并且利用第一模具的按压部(14)对在被冲压部中从一对第一弯曲部之间的位置朝向第一模具弯曲成凸状的第二弯曲部(31B)进行冲压，使第二弯曲部发生变形。
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公开(公告)号：CN107020056A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710057030.X
申请日：2017-01-26
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: B01J19/24 , B01J2219/00018 , B01J2219/24 , F28D9/00 , F28D2021/0022 , F28F3/083 , F28F3/086 , F28F3/10 , F28F21/04 , F28F2275/205 , B01J19/00 , B01J19/0053 , B01J19/0073 , B01J19/02 , B01J2219/00042
Abstract: 本发明提供能够防止被在流路中流通的流体腐蚀的流路构造体。流路构造体（1）具备：多个流路层（2），为陶瓷制，在内部形成有流路（20），被彼此层叠；两个最外层（4），在多个流路层（2）的层叠方向上被配置在该多个流路层（2）的两侧；外侧弹性片材（6）被夹装在各最外层（4）和与该最外层（4）相邻的流路层（2）之间，由弹性体构成；紧固连结部件（15），在两个最外层（4）将多个流路层（2）从该层叠方向的两侧夹入的状态下将该两个最外层（4）彼此紧固连结。
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公开(公告)号：CN105247097B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201480030615.7
申请日：2014-05-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/50
CPC classification number: C23C14/541 , C23C14/505
Abstract: 本发明提供一种制冷剂泄漏的风险大幅度降低且能够提高冷却效率的成膜装置以及成膜方法。成膜装置(1)包括冷却部(4)、旋转台主体(11)、升降机构(5)以及制冷剂配管(6)，其中，冷却部(4)在腔室(2)的空间(2e)内冷却工件(W)，旋转台主体(11)在工件(W)被载置的状态下以垂直轴为中心旋转，且具有载置冷却部(4)的冷却部载置部(21)和被配置成包围该冷却部载置部(21)的周围且载置工件(W)的工件载置部(22)，升降机构(5)使冷却部(4)在空间(2e)内在第一位置与第二位置之间升降，第一位置是冷却部(4)被载置于旋转台主体(11)位置，第二位置是冷却部(4)从该旋转台主体(11)向上方隔开距离且与被载置于工件载置部(22)的工件(W)的侧面相向的位置，制冷剂配管(6)被安装于腔室(2)，且以能够装拆的方式连接于冷却部(4)，向该冷却部(4)供给制冷剂。
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公开(公告)号：CN107000039A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580065146.7
申请日：2015-11-10
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 堤一之
Abstract: 本发明提供一种浮力传递夹具，能够抑制填充到泡沫模型的内部的型砂上浮，从而铸造成品状态良好的铸件。浮力传递夹具(1、101)具有：棒状的棒部(2)，其经由设于泡沫模型(12)而使铸型(11)的外部与空腔部(13)连通的开口部(14)从铸型(11)的外部配置至空腔部(13)的内部，并且配置在填充到空腔部(13)以及开口部(14)的硬化性的砂内；以及板状的叶片部(3)，其被设为与棒部(2)连续，且配置在型砂(15)内。
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公开(公告)号：CN106996708A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201710042327.9
申请日：2017-01-20
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 野一色公二
IPC: F28D9/02
Abstract: 本发明防止热交换器的大型化并提高传热性能，且防止压力损失变得过大。热交换器具备流路构造体，该流路构造体具有第一基板和第二基板，该第一基板排列有第一流路，该第二基板被相对于该第一基板层叠，排列有第二流路，第一流路具有有效区域，从第一基板与第二基板的层叠方向观察，该有效区域与第二基板的设有第二流路的范围重叠，有效区域具有基准传热流路部和高传热流路部，该基准传热流路部包括高温端，该高传热流路部相当于该有效区域的除基准传热流路部以外的部分并包括低温端，高传热流路部具有弯曲的流路形状，使得该高传热流路部的两端间的间隔的每单位距离的流路长度比基准传热流路部的两端间的间隔的每单位距离的流路长度大。
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