公开(公告)号：CN1748313A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200380109754.0

申请日：2003-12-26

Applicant: 江藤刚治 ,  株式会社岛津制作所

Inventor： 江藤刚治 ,  武藤秀树

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L27/148

CPC classification number: H04N5/335 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14806 ,  H01L27/14831 ,  H01L27/14843 ,  H01L27/14875 ,  H01L27/14887 ,  H01L31/02164

Abstract: 一种背面照射型摄像元件，其包括转换层(23)、电荷收集部(24)以及抑制区域(23、29)。转换层(23)设于入射线射入的入射面(102)侧，将入射线转换成信号电荷并且分别关于构成二维排列的多个像素进行设置。电荷收集部(24)从所述转换层(23)向与所述入射面(8)相反的表面(22)侧延伸，收集在转换层(23)产生的信号电荷。抑制区域(23、29)设于转换层(23)与周边电路(26)之间，抑制信号电荷从转换层(21)向周边电路(26)流入。

公开(公告)号：CN1417803A

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：CN02156356.X

申请日：2002-11-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 浅尾吉昭

IPC: G11C11/15 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L31/02164 ,  H01L31/18

Abstract: 一种磁存储器，包括：备有第1半导体层、在该第1半导体层上边形成的第1绝缘膜、和该第1绝缘膜上边形成的第2半导体层的SOI衬底；具有从上述第2半导体层表面到达上述第1绝缘膜的深度并在上述第2半导体层内选择地形成的元件隔离绝缘膜；在上述第2半导体层上形成的开关元件；与上述开关元件连接的磁阻效应元件；在上述磁阻效应元件下方，与上述磁阻效应元件分离地配置并在第1方向延伸的第1布线；以及在上述磁阻效应元件上边形成、且在与上述第1方向不同的第2方向延伸的第2布线。

公开(公告)号：CN1346146A

公开(公告)日：2002-04-24

申请号：CN01137232.X

申请日：2001-09-22

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 平林幸哉

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  H01L31/02164

Abstract: 一种电光装置衬底(10)的制造方法,包含步骤:在透光衬底的一个表面上形成光屏蔽层;布图该光屏蔽层,从而至少在每个要形成晶体管元件(30)的形成区中形成布图的光屏蔽层(11a);在其上已经形成了布图的光屏蔽层的透光衬底的一个表面上形成第一绝缘层(12A);在第一绝缘层上形成第二绝缘层(12B),具有比第一绝缘层更低的抛光率;抛光第二绝缘层的表面;在第二绝缘层的抛光表面上层叠单晶硅层(206);利用单晶硅层形成每个晶体管元件。

公开(公告)号：CN1050938C

公开(公告)日：2000-03-29

申请号：CN95121194.3

申请日：1995-12-20

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 佐野义和 ,  重田阳子 ,  青木裕光

IPC: H01L27/148 ,  H01L21/70 ,  H01L31/14 ,  H01L31/18 ,  H01L31/00

CPC classification number: H01L27/14868 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14806 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/02327

Abstract: 一种固态成像器件，采用具有高熔点的金属或者一种金属硅化物作为光屏蔽膜7。在使光屏蔽膜变薄之后，在整个表面上涂覆一层硼酸-磷-硅化物-玻璃(BPSG)膜6。然后，在具有包含SiO2、SiON和SiN的表面防护覆层5的元件上面直接形成第二微透镜2，并在它的上部形成一层滤色层4和一层中间透明膜3，之后在其上形成第一微透镜1。位于下部的第二微透镜2是采用折射率比中间透明膜3或者BPSG膜6大的材料构成。

公开(公告)号：CN1134040A

公开(公告)日：1996-10-23

申请号：CN95121194.3

申请日：1995-12-20

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 佐野义和 ,  重田阳子 ,  青木裕光

IPC: H01L27/148 ,  H01L21/70 ,  H01L31/14 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L27/14868 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14806 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/02327

Abstract: 一种固态成像器件，采用具有高熔点的金属或者一种金属硅化物作为光屏蔽膜7。在使光屏蔽膜变薄之后，在整个表面上涂覆一层硼酸-磷-硅化物-玻璃(BPSG)膜6。然后，在具有包含SiO2、SiON、和SiN的表面防护覆层5的元件上面直接形成第二微透镜2，并在它的上部形成一层滤色层4和一层中间透明膜3，之后在其上形成第一微透镜1。位于下部的第二微透镜2是采用折射率比中间透明膜3或者BPSG膜6大的材料构成。

公开(公告)号：CN106605130B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201580039107.X

申请日：2015-05-19

Applicant: IDT欧洲有限责任公司

Inventor： T·雷谢尔 ,  L·西弗纳 ,  M·加尔扎罗利 ,  M·桑迪格 ,  L·格普费特

IPC: G01J1/02 ,  G01J5/02 ,  G01J5/04 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0216

CPC classification number: G01J1/0214 ,  G01J1/0295 ,  G01J1/429 ,  G01J1/44 ,  G01J5/0285 ,  G01J5/045 ,  G01J2001/0276 ,  G01J2001/446 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02164 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及在CMOS方法中产生的紫外光传感器，包括带有表面的基底，设计在上述基底中并检测射线的一个或多个传感器元件，至少一个置于上述基底表面上方的钝化层，以及置于上述钝化层上方并以至少一个滤光层形式设计的功能层。根据配置，通过直接设计在平坦钝化层上的滤光层，以及上述至少一个传感器元件周围和/或所述紫外光传感器周围的杂散光抑制装置，解决了通过本发明提供专门在紫外线波长范围内灵敏的紫外光传感器所处理的问题。根据上述方法，通过测量来自至少两个适用不同滤光层的光敏二极管的两个输出信号，并通过确定上述两个输出信号之间的数学关系，解决了上述问题。

公开(公告)号：CN108701726A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680065148.0

申请日：2016-11-15

Applicant: 新加坡恒立私人有限公司

Inventor： Q·余 ,  H·路德曼 ,  J·王 ,  K·S·吴 ,  S·古布泽 ,  J·埃勒斯坦 ,  S·R·吉那那山姆班达姆

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/18 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L31/0203 ,  H01L24/00 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/16 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1876 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099

Abstract: 晶圆级制造方法，可以制造诸如光电模组的超薄光学装置。将透明封装施加到初始晶圆，其包括主动式光学元件和晶圆尺寸的基板，其上产生包括孔径的可光结构化的不透明涂层。接着，产生沟槽，所述沟槽延伸穿过透明封装，并且建立中间产物的侧壁。然后，将不透明封装施加到中间产物，因此填充所述沟槽。切穿存在于所述沟槽中的不透明封装材料，产生切单的光学模组，其中中间产物的侧壁被不透明封装材料覆盖。

公开(公告)号：CN104081527B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201380006945.8

申请日：2013-01-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 小林正治 ,  工藤义治 ,  佐野拓也

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/02327 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件和电子设备，其使得能够提供能够最小化由于漏入的光而生成的噪声的半导体器件。配置该半导体器件，以便提供有光接收元件(34)、用于信号处理的有源元件、以及光接收元件(34)和有源元件之间的、由在有源元件之上提供覆盖的布线(45、46)构成的光遮挡结构。半导体器件进一步提供有例如其上形成光接收元件的第一基底、其上形成有源元件第二基底、以及具有在第二基底上由布线构成的光遮挡结构的布线层。第二基底可以经由布线层连接到第一基底。

公开(公告)号：CN107068782A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610920614.0

申请日：2016-10-21

Applicant: 拉碧斯半导体株式会社

Inventor： 冲原将生

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02165 ,  G02B5/283 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/103 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种能够比以往准确地进行UV－A波与UV－B波的分离的半导体装置以及其制造方法。半导体装置包括一对光电变换元件，输出与接受到的光的强度对应的光电流；以及第一滤光膜，被设置在上述一对光电变换元件中的一方的光入射侧，并通过交替地层叠折射率彼此不同的高折射率层以及低折射率层而构成，且使紫外线所包含的UV－A波以及UV－B波中的任意一方以比另一方高的透过率透过。

公开(公告)号：CN106847842A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201610873625.8

申请日：2012-04-28

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 山口哲司

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/307 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/02165 ,  H01L31/0232 ,  H01L51/442 ,  H01L51/447

Abstract: 本发明公开了一种摄像器件和包括该摄像器件的电子装置。所述摄像器件包括：基板，其具有第一侧和作为光入射侧的第二侧，所述基板包括第一光电转换单元和第二光电转换单元；配线层，其布置成邻近所述基板的所述第一侧；以及光电转换膜，其布置在所述基板的所述第二侧上，其中，所述第二光电转换单元的至少一部分布置在所述第一光电转换单元与所述光电转换膜之间，且所述基板布置在所述光电转换膜与所述配线层之间。根据本发明，能够减小由于光电转换膜与光电转换层在入射光的光轴方向上的布置位置的差异所引起的灵敏度相对于F值的变化，所以能够降低各颜色的灵敏度的F值依赖。