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公开(公告)号:CN103986223A
公开(公告)日:2014-08-13
申请号:CN201410197954.6
申请日:2014-05-12
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种储能供电电路及应用其的持续供电方法,包括负载开关和第一储能电容,所述的储能供电电路还包括双向直流-直流变换器和第二储能电容,所述的双向直流-直流变换器一端连接于给负载供电的输出端,另一端与第二储能电容连接;在输入电压正常供电时,双向直流-直流变换器工作在升压模式,自给负载供电的输出端经双向直流-直流变换器给第二储能电容充电;重载或输入电压掉电时,双向直流-直流变换器工作在降压模式,由第二储能电容经双向直流-直流变换器给输出端供电。本发明能够在重载限流或输入电压掉电时,对负载持续一定时间供电,以保证负载有足够时间完成数据存储。
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公开(公告)号:CN102594118B
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201210048426.5
申请日:2012-02-29
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H02M1/42
CPC classification number: H02M1/42 , H02M1/4225 , Y02B70/126 , Y02P80/112
Abstract: 依据本发明的一种升压型PFC控制器,通过导通信号发生电路和关断信号发生电路来控制功率开关管的导通和关断,从而控制功率开关管以恒频或变频方式工作。通过内部的控制电路而无需内置时钟信号即可实现功率开关管定频工作或抖频工作,降低了EMI滤波器的设计难度。另外,本发明通过输入电压前馈电路实现输出电压反馈变量与输入功率相关而与输入电压无关,有利于全球电网电压输入设计要求。
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公开(公告)号:CN103533721A
公开(公告)日:2014-01-22
申请号:CN201310534611.X
申请日:2013-10-31
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
CPC classification number: H05B33/08 , H05B33/0812
Abstract: 本发明提供一种脉冲式电流LED驱动电路,所述脉冲式电流LED驱动电路包括交流电源、整流电路、采样电路、比较电路、信号处理电路、反馈补偿电路、开关管和负载。本发明提供的脉冲式电流LED驱动电路在现有LED驱动电路的信号处理电路中增加了滤波电路,电路设计简单,占用体积小,制造成本低,在不增加电路复杂性、体积及成本的基础上通过其信号处理电路解决了其EMC较差的问题。
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公开(公告)号:CN102594135B
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201210048989.4
申请日:2012-02-29
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
CPC classification number: Y02B70/126 , Y02P80/112
Abstract: 依据本发明的一种升压型PFC控制器,通过导通信号发生电路和关断信号发生电路来控制功率开关管的导通和关断,且所述PFC控制器无需内部时钟信号即可控制所述功率开关管的开关频率,可根据实际需要实现恒频工作或变频工作。降低了EMI滤波器的设计难度。另外,本发明通过输入电压前馈电路实现输出电压反馈变量与输入功率相关而与输入电压无关,有利于全球电网电压输入设计要求。
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公开(公告)号:CN102323841B
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:CN201110117069.9
申请日:2011-05-06
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Abstract: 依据本发明的一种新型的电流滞环控制电路,通过一误差信号发生电路接收所述功率级电路的输出电压和一基准电压,并产生一误差信号;通过一电流检测电路,用以检测功率级电路中的电流,以产生表征所述功率级电路中的电流信息的检测电压信号;通过补偿信号发生电路在检测电压信号上升时间段内产生一上升斜率为第一斜率的斜坡补偿信号;通过一控制信号发生电路接收所述误差信号、检测电压信号和所述斜坡补偿信号;通过一增加的斜坡补偿信号来补偿检测电流信息,以有效的稳定不同输入电压条件下的工作频率,并实现对输出负载的瞬态响应补偿,提高瞬态响应。
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公开(公告)号:CN102882377A
公开(公告)日:2013-01-16
申请号:CN201210353150.1
申请日:2012-09-20
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
CPC classification number: H02M3/33523 , H02M3/33592 , Y02B70/1475
Abstract: 本发明公开了应用于隔离式开关电源中的同步整流控制方法以及同步整流控制电路。依据本发明实施例的同步整流控制方法通过一基于同步整流器的第一功率端和第二功率端之间的电压的斜坡电压的峰值来准确判断原边侧的主功率器件关断时刻,来及时开启所述同步整流器,尽可能的减小主功率器件的关断时刻和同步整流器的开通时刻之间的间隔时间,来减小功率损耗,保证获得最大的工作效率。
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公开(公告)号:CN102832792A
公开(公告)日:2012-12-19
申请号:CN201210303541.2
申请日:2012-08-24
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H02M1/08 , H02M1/00 , H02M3/155 , H02M2001/0058 , Y02B70/1491
Abstract: 依据本发明的一种源极驱动控制电路及其控制方法,克服了现有技术中由于辅助绕组的存在而难以集成以及准谐振控制的精确度不高的问题。具体包括箝位电路、谷底电压检测电路和源极电压控制电路,并具有以下优点:由于主功率开关管的开启时刻具有最小的漏源电压,可以减小甚至消除导通电流尖峰,因此这种设计能够提供较低的导通损耗。另外,对于集成电路而言,如现有技术的准谐振控制方法,需要一个单独的引脚来检测漏源电压的谷底。而对本发明而言,通过对源极驱动内部电路信号的检测,就可以精确检测漏源电压的谷底电压,进而精确的实现对主功率开关管的准谐振软开关控制,同时节省了芯片的尺寸,使得芯片结构更加紧凑,并且封装和外围电路的设计也相对简单。
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公开(公告)号:CN111463188B
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202010369001.9
申请日:2020-05-03
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种适用于功率变换器的封装结构,其中,第一功率晶体管和控制和驱动电路集成于同一颗晶片,可以更好地实现第一功率晶体管的高频开关动作,提高第一功率晶体管的工作频率,降低开关损耗。第二功率晶体管集成于独立的第二晶片中,第一晶片和第二晶片分立于封装结构中,对第二功率晶体管的控制和驱动动作不会对第一晶片产生干扰或者其他负面影响,提高了可靠性。第一晶片和第二晶片之间可以通过大面积的连接结构进行连接,实现了较低的互连电阻,提升了大电流处理能力。
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公开(公告)号:CN116613189A
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN202310599220.X
申请日:2023-05-23
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/205 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 公开了一种高电子迁移率晶体管及其制造方法,所述晶体管包括:衬底;沟道层,位于所述衬底上方;势垒层,位于所述沟道层上;漏极电极和源极电极,至少与所述势垒层接触;栅极导体,位于所述势垒层上方,以及限流结构,被配置为至少与所述源极电极靠近所述栅极导体一侧的侧表面接触,且位于所述势垒层上,用于减小饱和电流。
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