公开(公告)号：CN119921752A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411998922.6

申请日：2024-12-31

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 张力 ,  赵起越 ,  王霄 ,  柏鹏翔

IPC: H03K17/687 ,  H02M1/08 ,  H10D84/60 ,  H10D84/83 ,  H10D84/03 ,  H03K17/567

Abstract: 本申请提供了一种驱动芯片、双向功率装置及制造方法，涉及集成电路设计技术领域。驱动芯片，用于驱动双向功率器件和调制双向功率器件的衬底电位，双向功率器件包括第一功率端、第二功率端、控制端和衬底电位端；驱动芯片包括：驱动电路和衬底电位调制电路，驱动电路和衬底电位调制电路形成于同一衬底中；衬底电位调制电路接收控制端，第一功率端和/或第二功率端中的信号，并与衬底电位端相连接，以使双向功率器件的衬底电位端的电压与控制端、第一功率端和第二功率端处的电压中较低的电压基本一致。本申请用于提供一种不会增加双向功率器件额外的成本和寄生参数，且能够实现对双向功率器件衬底电位进行管控的技术方案。

公开(公告)号：CN116613189A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310599220.X

申请日：2023-05-23

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 张力 ,  黄秋凯 ,  赵晨 ,  吴文杰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/205 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 公开了一种高电子迁移率晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：衬底；沟道层，位于所述衬底上方；势垒层，位于所述沟道层上；漏极电极和源极电极，至少与所述势垒层接触；栅极导体，位于所述势垒层上方，以及限流结构，被配置为至少与所述源极电极靠近所述栅极导体一侧的侧表面接触，且位于所述势垒层上，用于减小饱和电流。

公开(公告)号：CN117913133A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311777071.8

申请日：2023-12-21

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 张力 ,  王霄 ,  柏鹏翔 ,  韩澳华 ,  忽培青 ,  黄秋凯

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明实施例公开了一种双向开关晶体管，包括：绝缘衬底；沟道层，覆盖所述绝缘衬底的上表面；势垒层，至少覆盖所述沟道层的部分上表面；至少一个栅极导体，位于所述势垒层上，以及两个相同类型的第一电极，位于所述势垒层的上，并位于所述栅极导体的两侧，其中，两个第一电极与所述栅极导体间隔设置，所述绝缘衬底的晶格与所述沟道层的晶格接近。本发明的绝缘衬底不会有整体相同的电势，因此不会在开关过程中造成器件动态性能的退化。

公开(公告)号：CN117727757A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311778415.7

申请日：2023-12-21

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 张力 ,  黄秋凯 ,  赵晨

IPC: H01L27/085 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请提供一种半导体器件，括绝缘衬底、沟道层、势垒层、第一栅极、第一源极、第一漏极、第二栅极、第二源极以及第二漏极。沟道层、势垒层、第一栅极、第一源极以及第一漏极形成第一晶体管，沟道层、势垒层、第二栅极、第二源极以及第二漏极形成第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管设置于绝缘衬底上。透过绝缘衬底的配置，抑制第一晶体管和第二晶体管之间的串扰，使第一晶体管和第二晶体管不会受到衬偏效应的影响，而无需第一源极和衬底的短接和第二源极和衬底的短接。

公开(公告)号：CN116864530A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310872727.8

申请日：2023-07-14

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 张力 ,  吴文杰 ,  张凌芳 ,  黄秋凯 ,  赵晨

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10

Abstract: 本申请提供一种半导体器件，包括第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极、第二栅极、第一漏极以及第一源极。第二晶体管包括第二漏极、第三栅极以及第二源极。第二漏极电连接第一源极，并作为半导体器件的源极。第三栅极电连接第二栅极，并作为半导体器件的栅极。第二源极电连接第一栅极。第一漏极作为半导体器件的漏极。透过第一晶体管的第一栅极和第二栅极配置及第一晶体管的第一栅极和第二晶体管的第二源极连接，消除第一晶体管的栅极浮空，进而稳定第一晶体管的阈值电压，同时有效防止第一晶体管的误开启且不会带来整体电阻和栅电流的增加。可透过调节第二晶体管的阈值电压，调节整体半导体器件的阈值电压。

公开(公告)号：CN116779671A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310887251.5

申请日：2023-07-18

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 张力 ,  吴文杰 ,  赵晨 ,  黄秋凯

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种半导体结构，包括：半导体器件和功率器件，所述半导体器件包括两个栅极、一个源极和一个漏极；所述功率器件包括一个栅极、一个源极和一个漏极；所述半导体器件的第一栅极与所述半导体器件的源极连接，作为所述半导体结构的栅极；所述半导体器件的第二栅极与所述功率器件的源极连接，作为所述半导体结构的源极；所述半导体器件的漏极与所述功率器件的栅极连接；所述功率器件的漏极作为所述半导体结构的漏极。在半导体结构的栅极施加电压，该电压需要先开通半导体器件的第一栅极G1下方的沟道的阈值电压，然后该电压才能用于开通功率器件栅极下方沟道阈值电压，因此，半导体结构的实际栅极阈值电压就被提高了。

公开(公告)号：CN117728816A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311538613.6

申请日：2023-11-16

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 陈威 ,  张力 ,  郑家禄

IPC: H03K17/94 ,  H03K17/687 ,  H01M10/42

Abstract: 本发明公开了一种新的双向开关装置及其应用其的电池管理系统，该双向开关装置采用双向导通氮化镓开关管以及两个二极管代替传统电池管理系统中两个背靠背晶体管组成的开关组，该双向开关装置具有更低的复杂度和更小的体积，且该双向开关装置在电池管理系统中能满足安全稳定的工作要求。