公开(公告)号：CN116613189A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310599220.X

申请日：2023-05-23

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 张力 ,  黄秋凯 ,  赵晨 ,  吴文杰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/205 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 公开了一种高电子迁移率晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：衬底；沟道层，位于所述衬底上方；势垒层，位于所述沟道层上；漏极电极和源极电极，至少与所述势垒层接触；栅极导体，位于所述势垒层上方，以及限流结构，被配置为至少与所述源极电极靠近所述栅极导体一侧的侧表面接触，且位于所述势垒层上，用于减小饱和电流。

公开(公告)号：CN116864530A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310872727.8

申请日：2023-07-14

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 张力 ,  吴文杰 ,  张凌芳 ,  黄秋凯 ,  赵晨

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10

Abstract: 本申请提供一种半导体器件，包括第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极、第二栅极、第一漏极以及第一源极。第二晶体管包括第二漏极、第三栅极以及第二源极。第二漏极电连接第一源极，并作为半导体器件的源极。第三栅极电连接第二栅极，并作为半导体器件的栅极。第二源极电连接第一栅极。第一漏极作为半导体器件的漏极。透过第一晶体管的第一栅极和第二栅极配置及第一晶体管的第一栅极和第二晶体管的第二源极连接，消除第一晶体管的栅极浮空，进而稳定第一晶体管的阈值电压，同时有效防止第一晶体管的误开启且不会带来整体电阻和栅电流的增加。可透过调节第二晶体管的阈值电压，调节整体半导体器件的阈值电压。

公开(公告)号：CN116779671A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310887251.5

申请日：2023-07-18

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 张力 ,  吴文杰 ,  赵晨 ,  黄秋凯

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种半导体结构，包括：半导体器件和功率器件，所述半导体器件包括两个栅极、一个源极和一个漏极；所述功率器件包括一个栅极、一个源极和一个漏极；所述半导体器件的第一栅极与所述半导体器件的源极连接，作为所述半导体结构的栅极；所述半导体器件的第二栅极与所述功率器件的源极连接，作为所述半导体结构的源极；所述半导体器件的漏极与所述功率器件的栅极连接；所述功率器件的漏极作为所述半导体结构的漏极。在半导体结构的栅极施加电压，该电压需要先开通半导体器件的第一栅极G1下方的沟道的阈值电压，然后该电压才能用于开通功率器件栅极下方沟道阈值电压，因此，半导体结构的实际栅极阈值电压就被提高了。

公开(公告)号：CN118645520A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410832316.0

申请日：2024-06-25

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 赵博 ,  金津 ,  吴文杰 ,  张凌芳

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种电平移位器件结构，其特征在于，包括：位于一半导体区域内的电平移位MOS晶体管，包括源极区域，漏极区域和掺杂区域；隔离结构，从所述掺杂区域的两侧分别延伸，以共同呈环形闭合形状，将所述半导体区域划分为被所述隔离结构包围的高压侧区域，和位于所述隔离结构外围的低压侧区域；漏极区域，设置于所述高压侧区域中；以及源极区域，设置于所述低压侧区域中。本发明通过设置隔离结构的的形状和厚度以提高器件的耐压。