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公开(公告)号：CN119806272A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411979424.7
申请日：2024-12-31
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种无三极管的低压低功耗带隙基准源电路，包括启动与偏置电路、带隙基准核心电路以及温度补偿电路。本发明采用工作在亚阈值区PMOS管M6和PMOS管M7的栅源电压之差产生正温度系数电压以及工作在亚阈值区NMOS管M8的栅源电压等技术实现一阶温度补偿的带隙基准电压，利用工作在饱和区MOS管的阈值电压绝对值具有负温度系数的技术实现温度高阶非线性电流INL，进而补偿带隙基准核心电路提供的一阶温度补偿的带隙基准电压的温度高阶非线性，进而获得高阶温度补偿的带隙基准电压，从而实现一种无三极管的低压低功耗带隙基准源电路。
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公开(公告)号：CN116048171B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202310063743.2
申请日：2023-02-06
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明请求保护一种用于低压差线性稳压器芯片的高阶温度补偿带隙基准电路，包括(μn)‑1偏置电流产生电路、(μn)‑3(VTHn)‑2偏置电流产生电路及带隙基准核心电路。本发明采用MOS管M7‑M8、MOS管M12‑M13及MOS管M10构成负反馈环路，采用MOS管M7‑M9构成正反馈环路，电阻R2和电容C2构成低通滤波器并降低正反馈环路增益，确保电路稳定；偏置电流产生电路为带隙基准核心电路提供偏置电流，产生具有温度高阶特性的电流IQ2，有效地补偿VEB1温度高阶非线性，从而获得高阶补偿的带隙基准参考电压，进而实现高阶温度补偿带隙基准电路。
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公开(公告)号：CN114489223B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202210157647.X
申请日：2022-02-21
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种用于DC‑DC开关电源芯片的高PSRR带隙电压源电路，包括电压预调整器及带隙基准核心电路(2)。本发明采用三极管Q8、三极管Q9、电阻R9及NMOS管M15构成负反馈环路使带隙基准核心电路稳定，采用三极管基极‑发射极嵌位技术产生正温度系数电压并与三极管基极‑发射极电压实现带隙基准电压，采用二极管反偏饱和电流的温度非线性对带隙基准电压进行温度补偿来实现低温漂带隙基准电压；采用电压预调整器为带隙基准核心电路提供工作电源电压、电压预调整器与带隙基准核心电路构成负反馈环路等技术来提高电路的电源抑制比PSRR，从而获得用于DC‑DC开关电源芯片的高PSRR低温漂的带隙基准参考电压。
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公开(公告)号：CN114489222B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202210125137.4
申请日：2022-02-10
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种用于电源芯片的带隙基准电路，包括启动电路、带隙基准核心电路及温度补偿电路。本发明采用电流镜及电流源的嵌位技术使得NPN三极管Q1及NPN三极管Q4具有相同的集电极电压及相同的基极电压，使得电阻R5支路及电阻R6支路上流过相等的正温度系数电流，进而在电阻R4与电阻R5上产生正温度系数电压并与NPN三极管Q2的基极‑发射极电压产生一阶带隙基准电压；采用NPN三极管的基极与发射极短接技术获得反偏PN结，利用反偏PN结的饱和电流产生高阶温度补偿电流并对一阶带隙基准电压进行高阶温度补偿，从而实现一种用于电源芯片的高性能带隙基准电路。
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公开(公告)号：CN118034438A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410060812.9
申请日：2024-01-15
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567 , H03K19/003
Abstract: 本发明请求保护一种温度补偿的无运放电流源电路，包括偏置电路、电流源核心电路及温度补偿电路。本发明采用低压共源共栅电流镜来抑制MOS管的沟道调制效应，从而提高镜像电流的精度，采用NPN三极管Q1与NPN三极管Q2的基极‑发射极电压差在电阻R1产生正温度系数电流并在NPN三极管Q2的基极产生一阶带隙基准电压并在电阻R3上产生一阶带隙基准电流，采用温度补偿电路产生补偿一阶带隙基准电流温度非线性的高阶补偿电流，进而获得低温漂电流，从而实现一种温度补偿的无运放电流源电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117749098A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311463169.6
申请日：2023-11-06
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种温度补偿的时钟电路，属于集成电路技术领域，包括偏置电路及振荡电路。本发明采用PMOS管M1阈值电压、电阻R1以及PNP三极管Q1发射极‑基极电压VEB1等温度特性进行温度补偿并产生一个低温度漂移的电流，采用高增益放大器A1、NMOS管M4、NMOS管M3等构成的负反馈回路使得PMOS管M2与PMOS管M1具有相同电流等且具有相同温漂特性，并通过NMOS管M4以及PMOS管M7为振荡电路的放大器提供低温漂的偏置电流，进而获得具有温度补偿的时钟信号，同时采用偏置电路中LDO稳压器为偏置电路的其它电路以及振荡电路提供工作电源，提高时钟电路抑制电源噪声能力，从而实现一种温度补偿的时钟电路。
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公开(公告)号：CN116846356A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310570194.8
申请日：2023-05-19
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种交流增强‑差分反馈补偿技术的三级放大器，包括放大级A1、放大级A2、放大级A3、前馈放大级Af1、前馈放大级Af2、交流放大级Aa、差分反馈放大级Afb、有源反馈放大级Ac、补偿电容Ca以及补偿电容Cf。本发明利用放大级A1、放大级A2以及放大级A3等实现高增益，采用前馈放大级Af1、前馈放大级Af2等电路来实现多路径技术，提高三级放大器的速度，采用交流放大级Aa与补偿电容Ca构成交流增强补偿结构以及差分反馈放大级Afb、有源反馈放大级Ac与补偿电容Cf构成差分反馈补偿结构等补偿技术来提高三级放大器的稳定性，从而实现一种交流增强‑差分反馈补偿技术的三级放大器。
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公开(公告)号：CN114705919A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210209200.2
申请日：2022-03-04
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种用于电源管理芯片的电感电流检测电路，包括偏置电路、预放大级电路、第二放大级电路、第三放大级电路及输出级电路。本发明采用三极管Q1与三极管Q3、三极管Q2与三极管Q4分别构成达林顿输入管，减少所述预放大级电路的输入失调电压；采用传输门T1、传输门T2、传输门T3及传输门T4技术，且外部电感电流方向决定此4个传输门开启，使得所述第二放大级电路实现双端输入单端输出，同时采用所述第三放大级电路与所述预放大级电路、所述第二放大级电路构成负反馈系统且采样外部电感电流信号的技术，提高电路对电感电流的采样精度，从而在所述输出级电路的输出端VOUT产生用于电源管理芯片的电感电流的检测信号。
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公开(公告)号：CN111930169B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202010733435.2
申请日：2020-07-27
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种负反馈分段曲率补偿带隙基准电路，包括启动电路、中温区域负反馈补偿电路、一阶带隙基准电路及高温区域负反馈补偿电路。本发明采用中温区域负反馈补偿电路与高温区域负反馈补偿电路分别与一阶带隙基准电路构成负反馈环路，提高带隙基准电路的稳定性，利用中温区域负反馈补偿电路中PMOS管M11的电流在电阻R5及电阻R6上产生电压VNL1以及高温区域负反馈补偿电路中PMOS管M16的电流在电阻R6上产生电压VNL2分别对带隙基准参考电压进行温度补偿，从而实现一种负反馈分段曲率补偿带隙基准电路。
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公开(公告)号：CN112034921A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010909584.X
申请日：2020-09-02
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种基于跨导线性环路技术的高阶带隙基准电路，包括启动电路、一阶带隙基准电路、高温区域分段补偿电路以及低温区域分段平方电流产生电路。本发明的高温区域分段补偿电路在高温区域产生正温度系数的分段曲率电流I14并提供补偿电压VNL1，低温区域分段平方电流产生电路在低温区域产生负温度系数的分段曲率电流I28，利用NMOS管M30、NMOS管M31、NMOS管M36及NMOS管M37构成的跨导线性环路电路以及电流I28在低温区域产生正比于 的分段平方电流I43并提供补偿电压VNL2，电压VNL1与电压VNL2分别对带隙基准电压进行高阶温度补偿，提高了带隙基准电压的温度特性，从而实现一种基于跨导线性环路技术的高阶带隙基准电路。
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