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公开(公告)号：CN112034921A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010909584.X
申请日：2020-09-02
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种基于跨导线性环路技术的高阶带隙基准电路，包括启动电路、一阶带隙基准电路、高温区域分段补偿电路以及低温区域分段平方电流产生电路。本发明的高温区域分段补偿电路在高温区域产生正温度系数的分段曲率电流I14并提供补偿电压VNL1，低温区域分段平方电流产生电路在低温区域产生负温度系数的分段曲率电流I28，利用NMOS管M30、NMOS管M31、NMOS管M36及NMOS管M37构成的跨导线性环路电路以及电流I28在低温区域产生正比于 的分段平方电流I43并提供补偿电压VNL2，电压VNL1与电压VNL2分别对带隙基准电压进行高阶温度补偿，提高了带隙基准电压的温度特性，从而实现一种基于跨导线性环路技术的高阶带隙基准电路。
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公开(公告)号：CN112034921B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202010909584.X
申请日：2020-09-02
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种基于跨导线性环路技术的高阶带隙基准电路，包括启动电路、一阶带隙基准电路、高温区域分段补偿电路以及低温区域分段平方电流产生电路。本发明的高温区域分段补偿电路在高温区域产生正温度系数的分段曲率电流I14并提供补偿电压VNL1，低温区域分段平方电流产生电路在低温区域产生负温度系数的分段曲率电流I28，利用NMOS管M30、NMOS管M31、NMOS管M36及NMOS管M37构成的跨导线性环路电路以及电流I28在低温区域产生正比于的分段平方电流I43并提供补偿电压VNL2，电压VNL1与电压VNL2分别对带隙基准电压进行高阶温度补偿，提高了带隙基准电压的温度特性，从而实现一种基于跨导线性环路技术的高阶带隙基准电路。
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公开(公告)号：CN111158421B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202010023088.4
申请日：2020-01-09
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种分段补偿的带隙基准电压源电路，包括启动电路、一阶带隙基准电压源电路及温度分段补偿产生电路。本发明采用两个PNP型三极管发射极‑基极电压之差在电阻R3上产生的电流以及PNP型三极管Q1的发射极‑基极电压VEB1在电阻R2上产生的电流进行加权产生一阶温度补偿电流，一阶温度补偿电流在电阻R5与R4上产生一阶温度补偿带隙电压，同时一阶温度补偿电流为温度分段补偿产生电路提供偏置电流，温度分段补偿产生电路产生四种不同温度区域的分段温度补偿电流并在电阻R4上产生分段温度补偿电压对一阶温度补偿带隙电压进行高阶温度补偿，从而获得高性能的带隙基准参考电压。
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公开(公告)号：CN111158421A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010023088.4
申请日：2020-01-09
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种分段补偿的带隙基准电压源电路，包括启动电路、一阶带隙基准电压源电路及温度分段补偿产生电路。本发明采用两个PNP型三极管发射极-基极电压之差在电阻R3上产生的电流以及PNP型三极管Q1的发射极-基极电压VEB1在电阻R2上产生的电流进行加权产生一阶温度补偿电流，一阶温度补偿电流在电阻R5与R4上产生一阶温度补偿带隙电压，同时一阶温度补偿电流为温度分段补偿产生电路提供偏置电流，温度分段补偿产生电路产生四种不同温度区域的分段温度补偿电流并在电阻R4上产生分段温度补偿电压对一阶温度补偿带隙电压进行高阶温度补偿，从而获得高性能的带隙基准参考电压。
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