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公开(公告)号：CN118655949A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410581185.3
申请日：2024-05-11
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种无三极管的低压带隙基准源电路，属于集成电路技术领域，包括电压预调整电路、带隙基准核心电路、偏置电路及曲率补偿电路。本发明利用耗尽型MOS管抑制电压预调整电路进入简并态并为其它功能模块提供工作电源电压，提高电路抑制电源噪声的能力，利用高阈值与中阈值NMOS管的阈值电压具有不同温度特性实现一阶带隙基准参考电压，利用NMOS管M25和M29的不同栅源电压产生的电流在曲率补偿电路的电阻R6上产生随温度升高而增加的压降，进而PMOS管M34产生温度分段的曲率补偿电流在电阻R4上产生温度高阶补偿电压，实现对一阶带隙基准参考电压进行温度补偿，从而获得高阶温度补偿的带隙基准参考电压。
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公开(公告)号：CN118054785A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410057005.1
申请日：2024-01-15
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种用于锁相环的宽摆幅低失配电荷泵电路，包括放电电流补偿电路、电荷泵主体电路及充电电流补偿电路。本发明采用PMOS管和NMOS管构成互补开关以及单位增益连接放大器A3等技术来抑制电荷注入和电荷共享引起电荷泵输出抖动，采用复合MOS管电流镜结构有效地抑制沟道调制效应，提高电流镜的镜像精度，采用PMOS管M17、PMOS管M18、放大器A2实现充电电流技术以及NMOS管M13、NMOS管M14、放大器A1实现放电电流技术提高充电‑放电电流的匹配精度，采用充电电流补偿电路及放电电流补偿电路技术提高电荷泵的充电电流及放电电流的匹配范围，从而实现一种用于锁相环的宽摆幅低失配电荷泵电路。
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公开(公告)号：CN117873268A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410020724.6
申请日：2024-01-05
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种基于BCD工艺的高阶温度补偿的带隙基准电路，包括偏置电路、温度补偿电路及一阶带隙基准电路。本发明采用两个NPN三极管的基极发射极电压之差以及NPN三极管Q3的基极发射极电压分别在电阻R1及电阻R2上产生正负温度系数电流并给温度补偿电路提供偏置，采用NPN三极管Q7与NPN三极管Q8的基极发射极电压以及放大器A1的箝位技术产生一阶带隙基准电压，采用线性环技术以及NPN三极管Q4与NPN三极管Q5的基极‑发射极箝位技术产生一个高阶温度非线性电流来补偿一阶带隙基准电压的温度高阶非线性，提高带隙基准电压的温漂性能，从而实现一种基于BCD工艺的高阶温度补偿的带隙基准电路。
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公开(公告)号：CN111030680B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201911355896.4
申请日：2019-12-25
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03L7/089
Abstract: 本发明请求保护一种用于延迟锁相环的电荷泵电路，包括充放电流偏置电路及电荷泵核心电路。充放电流偏置电路采用工作在线性区MOS管作源极负反馈阻抗结构来提高电流精度；电荷泵核心电路采用NMOS管M20栅极与PMOS管M19栅极相连且NMOS管M20源极接外部地线GND结构、PMOS管M21栅极与NMOS管M22栅极相连且PMOS管M21源极接外部电源VDD结构等技术抑制电路电荷共享效应，采用放电反馈电路及充电反馈电路来提高电荷泵充/放电电流匹配性能，采用PMOS管M17及NMOS管M18分别构成MOS电容抑制电荷泵开关阶段由于馈通引起输出端抖动问题，从而实现一种用于延迟锁相环的电荷泵电路。
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公开(公告)号：CN116207981A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310207265.8
申请日：2023-03-06
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种用于片上时钟产生电路的电荷泵电路，包括偏置电路、补偿电路及电荷泵核心电路。本发明采用MOS管M11～M36以及运算放大器OP2组成动态补偿电流结构，并通过PMOS管M12、PMOS管M18、NMOS管M28、NMOS管M30等MOS管的电流对电荷泵充/放电流进行动态补偿，增大电荷泵的充/放电电流的匹配范围，采用PMOS管M50抑制沟道调制效应影响PMOS管M51电流以及NMOS管M57抑制沟道调制效应影响NMOS管M58电流的技术，提高电荷泵充放电电流的匹配性，从而实现一种用于片上时钟产生电路的高性能电荷泵电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116073659A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211650431.3
申请日：2022-12-21
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种用于DC‑DC变换器的自适应导通时间产生电路，包括自适应导通时间产生核心电路及输出整形电路。本发明采用NMOS管M1、电阻R1～R2、放大器A1及受控电阻R3产生自适应于DC‑DC变换器输入电压及输出电压且不随电容极板电压变化的电流IR3，采用电阻R4及PMOS管M3构成源跟随器使电流IR4与电流IR3相关，采用电阻R4～R5、PMOS管M3、NMOS管M4构成电流比较器并比较电流IR4与参考电流IR6，降低了系统功耗且提高了比较速度，采用反相器INV1、反相器INV2、NMOS管M5～M6构成输出整形电路，提高电路整形效率与翻转速度，从而实现高性能的自适应导通时间产生电路。
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公开(公告)号：CN115657781A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211381675.6
申请日：2022-11-04
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种自缓冲环路控制技术的带隙基准源电路，包括启动电路、偏置电路及带隙基准核心电路。本发明利用PNP三极管Q5、PNP三极管Q6等相关电路产生正温度系数电压并与NPN三极管Q4的基极‑发射极电压进行加权产生低温漂带隙基准输出电压，利用自缓冲环路控制的负反馈环路技术来抑制带隙基准源电路输出端电压变化，提高带隙基准源电路环路的调整速度，利用电流补偿电路来增加流过电阻R13与电阻R14的电流，有效地抑制不同工艺角、温度下PNP三极管的电流放大倍数不同导致的失配对带隙基准输出电压的影响，进而获得高性能的带隙基准电压，从而实现一种自缓冲环路控制技术的带隙基准源电路。
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公开(公告)号：CN112787503B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110017481.7
申请日：2021-01-07
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种电流可修调的自适应自偏置电荷泵，包括可修调自适应偏置电路及电荷泵核心电路等。本发明可修调自适应偏置电路采用NMOS管M3栅极与电荷泵输出端相连接产生自适应电荷泵输出电压的偏置电流，采用输入端SL1、输入端SL2及输入端SL3分别控制NMOS管M8、NMOS管M9及NMOS管M10的栅极进而产生可修调的偏置电流；电荷泵核心电路中误差放大器op1与误差放大器op2均采用单位增益连接且与4个NMOS开关管及4个PMOS开关管实现自举技术消除电荷泵的电荷共享效应，同时误差放大器op1与误差放大器op2采用并联连接提高电流驱动能力，从而实现一种电流可修调的自适应自偏置电荷泵。
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公开(公告)号：CN112034921B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202010909584.X
申请日：2020-09-02
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种基于跨导线性环路技术的高阶带隙基准电路，包括启动电路、一阶带隙基准电路、高温区域分段补偿电路以及低温区域分段平方电流产生电路。本发明的高温区域分段补偿电路在高温区域产生正温度系数的分段曲率电流I14并提供补偿电压VNL1，低温区域分段平方电流产生电路在低温区域产生负温度系数的分段曲率电流I28，利用NMOS管M30、NMOS管M31、NMOS管M36及NMOS管M37构成的跨导线性环路电路以及电流I28在低温区域产生正比于的分段平方电流I43并提供补偿电压VNL2，电压VNL1与电压VNL2分别对带隙基准电压进行高阶温度补偿，提高了带隙基准电压的温度特性，从而实现一种基于跨导线性环路技术的高阶带隙基准电路。
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公开(公告)号：CN112379717B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202011331994.7
申请日：2020-11-24
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种全MOS管的基准参考电路，包括启动电路、基准参考核心电路及电源抑制比提升电路等。本发明采用负反馈技术的电压调整器结构的电源抑制比提升电路为基准参考核心电路提供工作电源电压而不是外部电源VDD电压来提高基准参考电路输出电压的电源抑制比，基准参考核心电路采用MOS管阈值电压补偿技术来获得温度补偿的高性能参考电压，PMOS管MD1、PMOS管MD2、PMOS管MD3、PMOS管MD4及PMOS管MD5等均采用栅极与源极结构来补偿高温区的基准参考电路的漏电电流，从而实现一种全MOS管的基准参考电路。
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