公开(公告)号：CN108292706A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680065408.4

申请日：2016-11-09

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 托马斯·卡里兹 ,  弗朗索瓦·卡尔迪纳利 ,  杰罗姆·加尼耶 ,  乌韦·戈尔弗特 ,  维金塔斯·扬库什 ,  卡斯滕·罗特 ,  本杰明·舒尔策 ,  斯特芬·维尔曼

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/0021 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24 ,  C23C28/00 ,  H01L51/001 ,  H01L51/002 ,  H01L51/441 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5203 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及一种与包含基本上共价基质材料的半导体层相邻的金属层，包含所述材料的电子器件及其制备方法，所述金属层包含至少一种第一金属和至少一种第二金属，其中a)所述第一金属选自Li、Na、K、Rb、Cs；并且b)所述第二金属选自Zn、Hg、Cd、Te。

公开(公告)号：CN105358652B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201480032443.7

申请日：2014-06-06

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 ,  欧姆莱恩·法德尔 ,  迈克·策尔纳 ,  卡斯滕·罗特 ,  莫罗·富尔诺

IPC: C07F9/53 ,  H01L51/50 ,  C09K11/06

CPC classification number: H01L51/0077 ,  C07F9/58 ,  C07F9/60 ,  C07F9/64 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1014 ,  C09K2211/1029 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/5076

Abstract: 本发明涉及一种有机电子器件，其包含第一电极，第二电极，以及在所述第一和所述第二电极之间的包含根据式(I)的化合物的基本上有机的层：。

公开(公告)号：CN104247070A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201280067206.5

申请日：2012-11-30

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 欧姆莱恩·法德尔 ,  拉莫娜·普雷奇 ,  卡斯滕·洛特 ,  鲁道夫·莱斯曼 ,  弗朗索瓦·卡尔迪纳利

IPC: H01L51/50 ,  C07D471/00 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0054 ,  C07D221/18 ,  C07F9/64 ,  C09B15/00 ,  H01L27/3206 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/5076

Abstract: 显示器，其包含至少一个有机发光二极管，其中所述至少一个有机发光二极管包含阳极、阴极、在所述阳极和所述阴极之间的发光层和在所述阴极与所述发光层之间的至少一个包含式(I)化合物的层：其中A1和A2独立地选自卤素，CN，取代或未取代的C1至C20烷基或杂烷基，C6至C20芳基或C5至C20杂芳基，C1至C20烷氧基或C6至C20芳氧基，A3选自取代或未取代的C6至C40芳基或C5至C40杂芳基，m＝0、1或2，n＝0、1或2。

公开(公告)号：CN113508113B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202080011511.7

申请日：2020-01-30

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 伊莱纳·加兰 ,  本杰明·舒尔策 ,  弗朗索瓦·卡尔迪纳利 ,  金亨宣 ,  李承宰

IPC: C07D405/14 ,  C07D403/14 ,  C07D409/14 ,  C07D493/04 ,  H10K85/60 ,  H10K50/16

Abstract: 本发明涉及一种组合物，特别涉及一种包含组合物的有机半导体层，其适合用作用于电子器件的有机半导体层，以及其制造方法，其中所述组合物包含：a)式1的化合物；和b)至少一种有机金属络合物，其中所述有机金属络合物的金属选自以下：碱金属、碱土金属或稀土金属。#imgabs0#

公开(公告)号：CN111491924B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201880073388.4

申请日：2018-10-10

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 伊莱纳·加兰 ,  弗朗索瓦·卡尔迪纳利 ,  本杰明·舒尔策

IPC: C07D219/02 ,  C07D401/10 ,  C07D405/04 ,  C07D409/04 ,  C07D417/10 ,  C07D251/24 ,  C07F9/28 ,  C09K11/06

公开(公告)号：CN107978684B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201711005583.7

申请日：2017-10-24

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 朱莉恩·弗雷 ,  多玛果伊·帕维奇科 ,  卡斯滕·罗特 ,  沃洛季米尔·森科维斯基 ,  弗朗索瓦·卡尔迪纳利 ,  金亨宣 ,  金炳求

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明涉及用于有机发光二极管的电子传输层叠层。具体地，本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)，其制造方法和包含所述OLED的装置，所述有机发光二极管(OLED)包括至少两个电子传输层的ETL叠层，其中第一电子传输层包含电荷传输化合物且第二电子传输层包含吖啶化合物和碱金属盐和/或碱金属有机络合物。

公开(公告)号：CN113508113A

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN202080011511.7

申请日：2020-01-30

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 伊莱纳·加兰 ,  本杰明·舒尔策 ,  弗朗索瓦·卡尔迪纳利 ,  金亨宣 ,  李承宰

IPC: C07D405/14 ,  C07D403/14 ,  C07D409/14 ,  C07D493/04 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明涉及一种组合物，特别涉及一种包含组合物的有机半导体层，其适合用作用于电子器件的有机半导体层，以及其制造方法，其中所述组合物包含：a)式1的化合物；和b)至少一种有机金属络合物，其中所述有机金属络合物的金属选自以下：碱金属、碱土金属或稀土金属。

公开(公告)号：CN109314191B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201780029624.8

申请日：2017-04-07

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 ,  弗朗索瓦·卡尔迪纳利 ,  朱莉恩·弗雷 ,  多玛果伊·帕维奇科

IPC: H01L51/54 ,  C07F9/53

Abstract: 本发明涉及一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包含阳极，阴极，至少一个发光层和有机半导体层，其中所述有机半导体层布置在所述阳极与所述阴极之间，并且所述有机半导体层包含碱金属有机络合物和式1化合物，其中X选自O、S或Se；并且R1和R2独立地选自C6至C18芳基基团和C5至C18杂芳基基团，其中R1和R2中的每一个可独立地是未被取代的或被至少一个C1至C12烷基基团或C1至C12烷氧基基团，优选C1至C4烷基基团或C1至C4烷氧基基团取代；并且各R3、R4、R5和R6独立地选自H、C1至C12烷基基团或C1至C12烷氧基基团，优选H、C1至C4烷基基团或C1至C4烷氧基基团；并涉及制备所述有机发光二极管的方法以及所述有机发光二极管中包含的式1化合物。

公开(公告)号：CN111491924A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201880073388.4

申请日：2018-10-10

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 伊莱纳·加兰 ,  弗朗索瓦·卡尔迪纳利 ,  本杰明·舒尔策

IPC: C07D219/02 ,  C07D401/10 ,  C07D405/04 ,  C07D409/04 ,  C07D417/10 ,  C07D251/24 ,  C07F9/28 ,  C09K11/06

Abstract: 本发明涉及用作电子器件的层材料的包含TAE结构的化合物，并涉及包含所述层材料的有机电子器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN110386920A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910313003.3

申请日：2019-04-18

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 本杰明·舒尔策 ,  弗朗索瓦·卡尔迪纳利 ,  杰罗姆·加尼耶 ,  沃洛季米尔·森科维斯基

IPC: C07D401/10 ,  C07D405/14 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 本申请涉及一种化合物和包含所述化合物的有机半导体层、有机电子器件、显示装置和照明装置。具体地，本申请涉及一种式(I)的化合物、包含所述化合物的半导体层、包含所述半导体层的有机电子器件以及包含所述有机电子器件的显示器或照明装置，其中R1至R10和/或Ar4中的至少一者是式(II)的基团，其中式(II)中的星号符号“*”表示具有式(II)的基团的结合位置；L选自取代或未取代的C6至C18芳亚基；Ar1选自取代或未取代的C3至C24杂芳基，其中所述杂芳基包含至少两个N原子；Ar2和Ar3独立地选自取代或未取代的C6至C24芳基和/或取代或未取代的C4至C24杂芳基，其中彼此不同地选择Ar2和Ar3；Ar4选自取代或未取代的C1至C16烷基、取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C2至C24杂芳基和具有通式(II)的基团；R1至R10独立地选自H、D、F、C1至C20烷基、C6至C20芳基、C2至C20杂芳基和具有式(II)的基团；并且R1和R2，或者R2和R3，或者R3和R4，或者R5和R6，可彼此独立地形成稠环或稠环体系。