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公开(公告)号：CN102507608A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110291333.0
申请日：2011-09-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种确定中低能电子非弹性散射的方法，包括确定与电子互相作用的等离子体激元的中心频率上限的步骤；确定离散能量点上等离子体激元与电子相互作用的权重函数的步骤；确定各等离子体激元与电子相互作用的0阶贡献和1阶贡献的步骤；和确定非弹性散射的散射截面和散射角的步骤。采用本发明所述方法可以快速、精确的获得电子与固体相互作用发生非弹性散射的散射截面和散射角。
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公开(公告)号：CN113919191B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202110988305.8
申请日：2021-08-26
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种微波低气压放电的分析方法，针对微波低气压放电对场敏感且电子雪崩效应明显的特点，采用时域有限差分法精确计算微波场分布，再联合粒子连续性方程流体模拟微波场环境下低气压放电的过程，能够通过控制电磁场计算的精确度保证了放电分析的精度，通过流体算法，解决了带电粒子数目繁多时微波低气压放电计算效率较低的难题。
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公开(公告)号：CN117410695A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311216810.6
申请日：2023-09-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01Q1/38
Abstract: 本发明提供一种基于磁电复合材料的磁电天线，为多层复合结构，包括压电层、磁致伸缩层、电极、永磁膜层，磁致伸缩层包括第一磁致伸缩层和第二磁致伸缩层，分别设置在压电层上下两侧；电极分布在压电层与磁致伸缩层之间，分上下两侧两个电极，所述压电层与磁致伸缩层通过环氧树脂胶粘接形成复合结构。在单侧或双侧磁致伸缩层一侧设置永磁膜层实现偏置磁场的加载，永磁膜层与磁致伸缩层紧密连接。永磁薄膜加载的方式实现偏置磁场，既降低了磁电天线的体积、重量，利于小型化集成，又提高了偏置磁场的均匀性，有效提高了磁电天线的性能。
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公开(公告)号：CN115639236A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211288248.3
申请日：2022-10-20
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/2251
Abstract: 一种基于扫描电子显微镜平台的二次电子产额测试方法，借助已有扫描电子显微镜及法拉第杯，将原来用于聚焦扫描的电子束进行过聚焦后再散斑，得到所需二次电子产额的电子束照射面积，在该照射面积下测试待测样品上的电流，同时在保证扫描电子枪处于相同聚焦参数下通过法拉第杯测试入射电子电流，通过两次测试电流的简单计算即可得到该电子束能量下的二次电子产额。该方法实现了二次电子产额的简便、快捷、可靠的测试，其不仅对于二次电子发射领域的相关研究如空间微波部件微放电效应、电子倍增管性能优化、介质窗微波击穿等具有重要意义，也是对现有测试方法的有效补充。
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公开(公告)号：CN115391737A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210869636.4
申请日：2022-07-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种判断不同表面处理下微波部件微放电风险的方法，包括：测试微波部件不同表面处理的二次电子产额数据；根据测试的二次电子产额数据拟合出入射电子能量下的二次电子产额曲线；根据入射电子能量与二次电子产额关系计算不同入射电子能量的出射电子数目概率；根据出射电子数目概率计算不同入射电子能量下的归一化电子累积出射概率；计算不同二次电子产额曲线对应的临界微放电阈值点；判断不同表面处理发生微放电的风险大小。本发明方法不需要计算微放电阈值，预测结果准确，具有快速、直观的优势，该方法可用于筛选抑制微放电效应的表面镀层，为快速评估抑制微放电效应的表面镀层提供了新方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113792471A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110962547.X
申请日：2021-08-20
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F30/25
Abstract: 一种多粒子多碰撞微放电阈值蒙特卡罗计算方法，属于空间微波技术领域。本发明提出了一种高效准确的计算星载微波部件微放电阈值的蒙特卡罗方法，该方法对多个初始电子的出射能量、角度及相位进行随机化处理，按照碰撞电子产生的实际二次电子个数及对应能量参与碰撞时刻后的微放电过程，该多粒子‑多碰撞过程更加客观、准确地表征了微放电效应发生的物理过程。计算结果表明，以商用粒子模拟软件结果为参考，所提出的方法相对于已有的蒙特卡罗方法计算精度显著提升，同时比粒子模拟方法的计算效率显著提升。
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公开(公告)号：CN108387597B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201711374694.5
申请日：2017-12-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/2208
Abstract: 一种测量低能量范围金属材料二次电子发射系数的装置及方法，其中装置包括收集极、两只电流表和电子枪；收集极为两层且开口朝下的结构，结构顶部开有预留孔；样品的上表面置于收集极内部且位于预留孔的正下方，电子枪通过预留孔将入射电子打到样品上；一只电流表记为电流表A连接在样品与地之间；另一只电流表记为电流表B连接在收集极内表面与地之间，收集极的外表面接地。
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公开(公告)号：CN105069206B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201510442593.1
申请日：2015-07-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种确定微波部件的无源互调产物的方法，从影响无源互调的因素出发，建立电磁场、温度场、应力应变场的耦合分析模型，构建相应的耦合边界条件，在此基础上采用偏微分方程解算器求解分析模型，获得微波部件的无源互调电平。本发明结合星载环境中对微波部件的影响因素，考虑了电磁功率、温度梯度、应力分布等因素的多维变化趋势，通过多维耦合的方法建立空间微波部件无源互调多场耦合分析模型，能够确定温度和应力影响下的无源互调电平，实现对微波部件无源互调产物较准确地分析评价。
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公开(公告)号：CN105069247A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510519174.3
申请日：2015-08-21
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种基于时域有限差分的微波部件无源互调数值分析方法，提出引入微波部件金属接触处的微观形貌和接触状态的金属接触非线性模型的方法，实现了考虑金属接触非线性的微波部件的电磁场分析，再采用时域有限差分法计算了不考虑金属接触非线性的微波部件输出端口的电磁场，将两个信号进行时域对消，降低了数值计算误差的干扰，突出了无源互调小信号，使得微波部件的无源互调产物的计算结果更加精确，解决了微波部件无源互调缺乏数值分析手段的难题。
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公开(公告)号：CN103323477B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201310264119.5
申请日：2013-06-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 本发明涉及一种确定气体吸附状态下的二次电子发射特性的方法，基于现有的电子入射到理想表面在材料内部的散射过程和电子的轨迹追踪过程，加入了功函数的变化和电子与吸附气体的各种散射过程，根据电子运动到不同的位置，例如电子处于气体吸附层厚度h内、或者电子从气体吸附层进入材料层或者电子从材料层向气体吸附层出射、或者电子处于材料内部等，采用不同的方法确定电子的能量和角度，获得二次电子发射系数，从而确定气体吸附状态下的二次电子发射特性，本发明方法为获得金属表面实际气体吸附下的二次电子发射特性提供了一种有效手段。
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