公开(公告)号：CN102680503B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201210130956.4

申请日：2012-04-27

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 张娜 ,  曹猛 ,  张海波 ,  崔万照

IPC: G01N23/22

Abstract: 本发明涉及一种确定粗糙金属表面二次电子发射特性的方法，该方法给出了判断电子是否入射到材料内部的方法，并利用该方法判断电子从材料内部出射后，是否再次入射，从而充分考虑了电子与粗糙金属表面的多次相互作用，并通过对大量电子的统计分析获得金属材料的二次电子发射特性，本发明由于充分考虑电子出射材料表面时与粗糙表面的多次相互作用，获得的二次电子发射特性与实验结果更加吻合，并且采用本发明方法可以对任意表面形貌的二次电子发射特性进行分析，可用于研究表面形貌与二次电子发射特性的规律，为探索可抑制二次电子发射的表面形貌提供理论指导。

公开(公告)号：CN102680503A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210130956.4

申请日：2012-04-27

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 张娜 ,  曹猛 ,  张海波 ,  崔万照

IPC: G01N23/22

Abstract: 本发明涉及一种确定粗糙金属表面二次电子发射特性的方法，该方法给出了判断电子是否入射到材料内部的方法，并利用该方法判断电子从材料内部出射后，是否再次入射，从而充分考虑了电子与粗糙金属表面的多次相互作用，并通过对大量电子的统计分析获得金属材料的二次电子发射特性，本发明由于充分考虑电子出射材料表面时与粗糙表面的多次相互作用，获得的二次电子发射特性与实验结果更加吻合，并且采用本发明方法可以对任意表面形貌的二次电子发射特性进行分析，可用于研究表面形貌与二次电子发射特性的规律，为探索可抑制二次电子发射的表面形貌提供理论指导。

公开(公告)号：CN103323477B

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201310264119.5

申请日：2013-06-27

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 张娜 ,  崔万照 ,  张洪太 ,  王瑞 ,  曹猛

IPC: G01N23/22

Abstract: 本发明涉及一种确定气体吸附状态下的二次电子发射特性的方法，基于现有的电子入射到理想表面在材料内部的散射过程和电子的轨迹追踪过程，加入了功函数的变化和电子与吸附气体的各种散射过程，根据电子运动到不同的位置，例如电子处于气体吸附层厚度h内、或者电子从气体吸附层进入材料层或者电子从材料层向气体吸附层出射、或者电子处于材料内部等，采用不同的方法确定电子的能量和角度，获得二次电子发射系数，从而确定气体吸附状态下的二次电子发射特性，本发明方法为获得金属表面实际气体吸附下的二次电子发射特性提供了一种有效手段。

公开(公告)号：CN103323477A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310264119.5

申请日：2013-06-27

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 张娜 ,  崔万照 ,  张洪太 ,  王瑞 ,  曹猛

IPC: G01N23/22

Abstract: 本发明涉及一种确定气体吸附状态下的二次电子发射特性的方法，基于现有的电子入射到理想表面在材料内部的散射过程和电子的轨迹追踪过程，加入了功函数的变化和电子与吸附气体的各种散射过程，根据电子运动到不同的位置，例如电子处于气体吸附层厚度h内、或者电子从气体吸附层进入材料层或者电子从材料层向气体吸附层出射、或者电子处于材料内部等，采用不同的方法确定电子的能量和角度，获得二次电子发射系数，从而确定气体吸附状态下的二次电子发射特性，本发明方法为获得金属表面实际气体吸附下的二次电子发射特性提供了一种有效手段。