公开(公告)号：CN102680503B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201210130956.4

申请日：2012-04-27

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 张娜 ,  曹猛 ,  张海波 ,  崔万照

IPC: G01N23/22

Abstract: 本发明涉及一种确定粗糙金属表面二次电子发射特性的方法，该方法给出了判断电子是否入射到材料内部的方法，并利用该方法判断电子从材料内部出射后，是否再次入射，从而充分考虑了电子与粗糙金属表面的多次相互作用，并通过对大量电子的统计分析获得金属材料的二次电子发射特性，本发明由于充分考虑电子出射材料表面时与粗糙表面的多次相互作用，获得的二次电子发射特性与实验结果更加吻合，并且采用本发明方法可以对任意表面形貌的二次电子发射特性进行分析，可用于研究表面形貌与二次电子发射特性的规律，为探索可抑制二次电子发射的表面形貌提供理论指导。

公开(公告)号：CN102680503A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210130956.4

申请日：2012-04-27

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 张娜 ,  曹猛 ,  张海波 ,  崔万照

IPC: G01N23/22

Abstract: 本发明涉及一种确定粗糙金属表面二次电子发射特性的方法，该方法给出了判断电子是否入射到材料内部的方法，并利用该方法判断电子从材料内部出射后，是否再次入射，从而充分考虑了电子与粗糙金属表面的多次相互作用，并通过对大量电子的统计分析获得金属材料的二次电子发射特性，本发明由于充分考虑电子出射材料表面时与粗糙表面的多次相互作用，获得的二次电子发射特性与实验结果更加吻合，并且采用本发明方法可以对任意表面形貌的二次电子发射特性进行分析，可用于研究表面形貌与二次电子发射特性的规律，为探索可抑制二次电子发射的表面形貌提供理论指导。