公开(公告)号：CN102683183A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210151879.0

申请日：2012-05-16

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  张克基 ,  张玉明 ,  张凤祁 ,  赵艳黎 ,  雷天民

IPC: H01L21/04 ,  B82Y10/00 ,  C23C14/48 ,  C23C14/30 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种基于Ni膜退火向SiC注Si的石墨烯纳米带制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好，且导致制作器件时由于光刻工艺使石墨烯中的电子迁移率降低的问题。其实现步骤是：先对SiC样片进行标准清洗；再在清洗后的SiC样片上选取注入区，并注入Si离子；然后将SiC样片置于外延炉中，加热至1200-1300℃，保持恒温时间为30-90min,注入区的SiC热解生成碳膜；然后在Si基体上电子束沉积350-600nm厚的Ni膜；再将生成的碳膜样片置于Ni膜上，并将它们一同置于Ar气中，在温度为900-1200℃下退火10-20min，使碳膜重构成石墨烯纳米带。本发明工艺简单，安全性高，注入区的SiC热解温度降低，且生成的石墨烯纳米带表面光滑，连续性好，可用于制作微电子器件。

公开(公告)号：CN102530936A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210007340.8

申请日：2012-01-03

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  吕晋军 ,  张玉明 ,  张克基 ,  邓鹏飞 ,  雷天民

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明公开了一种基于Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、层数不均匀的问题。其实现过程是：先对SiC样片进行标准清洗；将清洗后的SiC样片置于石英管中，向石英管中通入Ar气和Cl2的混合气体，在700-1100℃下SiC与Cl2反应3-8min，生成碳膜；将生成的碳膜置于Ar气中，在温度为1000-1200℃下退火10-30min生成石墨烯。用本发明工艺简单，安全性高，生成的石墨烯表面光滑，孔隙率低，可用于对气体和液体的密封。

公开(公告)号：CN102509569A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110318293.4

申请日：2011-10-19

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  张克基 ,  张玉明 ,  张玉娟 ,  韩超 ,  石彦强

IPC: G21H1/00 ,  H01L31/115

Abstract: 本发明公开了一种I层钒掺杂的碳化硅肖特基结型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中能量转换效率降低的问题。本发明的肖特基结型核电池自下而上依次包括n型欧姆接触电极(8)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底样片(7)、n型SiC外延层(6)、SiO2钝化层(5)、肖特基金属接触层(4)、肖特基接触电极(3)、键合层(2)和放射性同位素源层(1)，其中n型SiC外延层(6)通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×1013～1×1015cm-2的钒离子形成掺杂浓度为1×1013～5×1014cm-3的n型SiC外延层。本发明具有电子空穴对收集率，器件的开路电压和能量转换效率高的优点，可作为微系统的片上电源、心脏起搏器的电源和手机备用电源。

公开(公告)号：CN101325093A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810150436.3

申请日：2008-07-23

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张林 ,  郭辉 ,  张义门 ,  韩超 ,  张玉明

IPC: G21H1/08

Abstract: 本发明公开了一种微型核电池，主要解决制作核电池易于SiC工艺实现的问题。该微型核电池是在N型高掺杂SiC衬底(1)的上下分别设有低掺杂外延层(2)和欧姆接触电极(3)，其中，低掺杂外延层(2)的上面淀积圆形肖特基接触层(4)，该肖特基接触层的外边缘圆周上设有SiO2钝化层(5)和键合层(7)。该肖特基接触层(4)和肖特基接触电极(6)的形成采用同一工艺，即在SiO2钝化层(5)的中间位置采用湿法腐蚀出肖特基接触窗口，并在该窗口上及窗口周边的SiO2钝化层上淀积厚度为5～20nm的Ni或Pt或Au，剥离后分别形成肖特基接触层(4)和肖特基电极(6)。本发明具有工艺简单，转换效率高的优点，可用于将同位素放射的核能直接转换为电能。

公开(公告)号：CN117672839A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311667732.1

申请日：2023-12-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 胡彦飞 ,  马云诚 ,  张玉明 ,  王佳硕 ,  郭辉

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种碳化硅的沟槽刻蚀方法，涉及半导体技术领域。其中，碳化硅的沟槽刻蚀方法包括：根据第一刻蚀条件在第一碳化硅基片上刻蚀沟槽，得到第二碳化硅基片，测定第二碳化硅基片的第一温度，在第一温度为第一预设温度时，根据第二刻蚀条件在第二碳化硅基片上刻蚀沟槽，得到具有第二沟槽的第三碳化硅基片，测定第三碳化硅基片的第二温度，在第二温度为第二预设温度时，判断第二沟槽的尺寸不是预设尺寸时，需要循环执行上述操作。本发明技术方案对碳化硅的沟槽刻蚀，需重复对刻蚀后的SiC基片进行冷却刻蚀以实现对SiC的沟槽底部和金属掩膜层的有效降温，使得沟槽形貌不发生变化，对沟槽进行光滑处理的耗时短，处理成本较小。

公开(公告)号：CN117524865A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311562267.5

申请日：2023-11-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 胡彦飞 ,  马云诚 ,  张玉明 ,  王佳硕 ,  郭辉

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/033 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及一种基于复合掩膜的SiC深刻蚀方法，包括：在SiC基片上淀积第一掩膜层；在第一掩膜层上溅射种子金属层；在种子金属层上制备第二掩膜层；刻蚀第二掩膜层和种子金属层，以形成若干间隔排列的预设沟槽；去除剩余的光刻胶，刻蚀预设沟槽内的第一掩膜层至暴露SiC基片的上表面；利用等离子体刻蚀方式刻蚀预设厚度的预设沟槽内的SiC基片，以形成若干间隔排列的SiC初始沟槽；去除剩余的第二掩膜层和种子金属层；利用气体刻蚀SiC初始沟槽，以制备SiC最终沟槽；去除剩余的所述第一掩膜层，完成SiC基片沟槽的刻蚀。本发明通过制备复合掩膜层以及两次刻蚀工艺，有效避免出现金属层脱落导致的微掩膜现象，降低SiC沟槽侧壁的粗糙度，减少侧壁竖条纹。

公开(公告)号：CN113990548B

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202111177383.6

申请日：2021-10-09

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 韩超 ,  袁飞霞 ,  郭辉 ,  钱驰文 ,  张玉明 ,  袁昊

IPC: G21H1/06

Abstract: 本发明涉及一种具有栅电极表面场的沟槽PiN型β辐照电池及制备方法，辐照电池包括：PiN单元和位于PiN单元上的放射性同位素单元，PiN单元包括N型掺杂4H‑SiC衬底、N型掺杂4H‑SiC外延层、P型掺杂4H‑SiC外延层、N型欧姆接触电极、隔离钝化层、沟槽钝化层、P型欧姆接触电极、若干沟槽区域和栅电极，若干沟槽区域贯穿P型掺杂4H‑SiC外延层且间隔分布在N型掺杂4H‑SiC外延层中，使得P型掺杂4H‑SiC外延层形成分布式P型区；沟槽钝化层覆盖沟槽区域的表面；P型欧姆接触电极位于分布式P型区上，且与隔离钝化层相邻；栅电极位于沟槽钝化层的上方，与P型欧姆接触电极交错分布。该辐照电池达到了提升β辐照电池能量转换效率的目的。

公开(公告)号：CN117303501A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311509862.2

申请日：2023-11-13

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王雨田 ,  洪凡平 ,  洪欣迪 ,  郭辉 ,  彭博 ,  张玉明

IPC: C02F1/30 ,  C02F1/72 ,  H03K3/53 ,  C02F101/30

Abstract: 本发明提供的一种基于光导开关的低温等离子体污水处理装置，包括：光路系统和基于光导开关的N级Marx发生器；基于光导开关的N级Marx发生器包括：储能单元、限流隔离单元、光导开关单元以及污水反应器；光路系统，用于控制光导开关单元的通断；储能单元，用于储存能量并在光导开关单元导通时向污水反应器释放能量；限流隔离单元，用于隔离储能单元向污水反应器释放能量过程中所产生的电路回流；光导开关单元，用于受光路系统的控制导通或关断，从而控制控制储能单元释放能量或储存能量；污水反应器，用于在储能单元的能量作用下和污水产生辐射和氧化反应，以对污水中的有机污染物进行降解。

公开(公告)号：CN113990550B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202111177392.5

申请日：2021-10-09

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  钱驰文 ,  韩超 ,  袁飞霞 ,  张玉明 ,  袁昊

IPC: G21H1/06

Abstract: 本发明涉及一种具有钝化层表面场的平面PiN型β辐照电池及制备方法，该辐照电池包括PiN单元和位于PiN单元上的放射性同位素单元，PiN单元包括N型掺杂4H‑SiC衬底、N型掺杂4H‑SiC外延层、P型离子注入区、N型欧姆接触电极、第一钝化层、第二钝化层和P型欧姆接触电极，P型离子注入区位于N型掺杂4H‑SiC外延层的表层中，形成分布式P型区；第一钝化层位于N型掺杂4H‑SiC外延层上且覆盖隔离台面的表面；第二钝化层位于隔离台面处的第一钝化层上；P型欧姆接触电极位于P型离子注入区上，且与第一钝化层相间设置。该辐照电池降低了β射线在P型区中的能量沉积，提升了短路电流Isc、开路电压Voc以及填充因子FF，达到了提升β辐照电池能量转换效率的目的。

公开(公告)号：CN116260340A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202310153829.4

申请日：2023-02-22

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张艺蒙 ,  孙世凯 ,  郭辉 ,  孙乐嘉 ,  张玉明

IPC: H02M3/335 ,  H02M1/088 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明公开了一种分级驱动的有源钳位反激电路，包括：有源钳位反激变换器，在副边设有并联的同步整流MOS管M1M2，在原边设有并联的原边低端MOS管M3和M5，以及并联的原边高端MOS管M4M6；分级驱动电路，根据有源钳位反激变换器的带载条件，输出各MOS管的驱动信号；有源钳位反激变换器响应于各MOS管的驱动信号，在轻载条件下原边低端MOS管M3、原边高端MOS管M4以及同步整流MOS管M1工作，与此同时其他MOS管不工作，在重载条件下所有MOS管均工作。本发明解决了有源钳位反激电路在轻载条件下同时驱动并联的多个器件所造成器件的驱动损耗增加大于导通损耗减少的问题。