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公开(公告)号：CN118275025A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410531765.1
申请日：2024-04-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种低串扰多冗余薄膜压力传感器芯体及制备方法，属于微纳传感器技术领域，传感器芯体包括连接在一起的上层应变结构和下层弹性结构；所述上层应变结构包括至少两个应变单元和外接于应变单元外的环形键合结构，所述应变单元包括依次连接的扇形键合结构、一组受拉应变梁和一组受压应变梁；所述下层弹性结构包括压力腔壁，所述压力腔壁内设置有环形弹性膜片，所述环形弹性膜片上方设置有岛状键合结构；环形弹性膜片下方具有压力槽；所述压力腔壁、环形弹性膜片与圆形岛状键合结构间形成环形凹槽。该压力传感器芯体能有效降低电阻间的串扰，不同应变单元间串扰极低，每个应变单元均能独立实现压力测量。该结构能够保证传感器具有较高的冗余度。
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公开(公告)号：CN116493234A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310467430.3
申请日：2023-04-26
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于KNN和应力释放凹槽的TFT‑PMUTs及其制备方法和应用，该TFT‑PMUTs包括压电式微机械超声换能器和薄膜晶体管，压电式微机械超声换能器中每个单元的底电极的轴心设有单元中心支柱，每个压电式微机械超声换能器阵元的中心设置阵元中心支柱；KNN压电层在压电式微机械超声换能器阵元的中心位置空白区域设置阵元中心支柱；结构层上设有应力释放凹槽；阵元中心支柱和单元中心支柱与薄膜晶体管的电压开关一一正对连接，每个阵元中心支柱处的顶电极、以及每个单元中心支柱对应的底电极与薄膜晶体管上和他们位置相对的电压开关电连接；单元边界支柱与薄膜晶体管表面键合连接。本发明传感器能够进行触觉感知和轨迹检测，且灵敏度较高，可进行批量化制造。
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公开(公告)号：CN114204846A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111447188.0
申请日：2021-11-30
IPC: H02N2/18
Abstract: 本发明公开了一种可滑动磁耦合限幅综合拓频的压电振动能量收集器，能量收集器，包括框架、磁体质量块和压电双晶片，压电双晶片的两端与框架连接，磁体质量块套设于压电双晶片上且能够在压电双晶片上滑动；框架在压电双晶片中心的两侧位置对称设有第一磁体和第二磁体，磁体质量块与第一磁体以及与第二磁体相互吸引，框架内侧和磁体质量块的间距为限幅间距。本发明具有非线性振动的特点，合理控制磁力大小和限幅间距能够使系统达到三稳态，将大幅拓展谐振频带，因此在较宽频带有大幅压电输出，适应环境随机宽频的振动特点。同时本发明可滑动磁耦合限幅综合拓频的压电振动能量收集器结构紧凑，可提升压电振动发电功率密度。
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公开(公告)号：CN111422861A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010382893.6
申请日：2020-05-08
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B32/194 , H01L21/04 , H01L21/027 , G01L9/00 , G01L1/00
Abstract: 本发明公开了一种悬浮式石墨烯薄膜结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1，在铜基石墨烯薄膜表面涂PMMA，获得铜基/石墨烯/PMMA结构；步骤2，将步骤1获得的铜基/石墨烯/PMMA结构置入铜腐蚀液中，刻蚀去掉铜基底，获得PMMA/石墨烯结构；步骤3，将步骤2获得的PMMA/石墨烯结构转移到硅基空腔结构上，获得PMMA/石墨烯/硅结构；步骤4，在步骤3获得的PMMA/石墨烯/硅结构的PMMA表面旋涂光刻胶，光刻显影，氧等离子体图形化石墨烯结构，用丙酮去除光刻胶，获得悬浮式石墨烯薄膜结构。本发明能够低悬浮式石墨烯的加工制作难度，保证悬浮式石墨烯薄膜结构的覆盖完整性，成功率较高。
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