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公开(公告)号：CN1897219A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610101859.7
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , H01L21/84 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种剥离方法和相应的转移方法，包括：从基板剥离脱离件，其中：剥离所述脱离件包括以多束连续实施的光束照射；以及以所述多束光束中的第一光束照射的第一区域与以所述多束光束中的第二光束照射的第二区域部分重叠。还提供一种采用所述剥离或转移方法制造薄膜器件的方法。
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公开(公告)号：CN1270389C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN03107749.8
申请日：1997-06-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 井上聪
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/13454
Abstract: 本发明提供一种具有可减少Vgs-Ids特性的变坏的结构的薄膜晶体管。该薄膜晶体管(16)具有由N型杂质扩散区构成的源区(17)、漏区(18)和栅电极(19)，栅电极(19)的正下方成为沟道区(30)。此外，在源区(17)、漏区(18)中，通过多个接触孔(20)分别与源电极(21)、漏电极(22)连接。而且在沟道区(30)的内部，在多个部位并隔开一定间隔地形成P型杂质扩散区(23)。
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公开(公告)号：CN1734749A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510087997.X
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/762 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 一种转移方法，包括：提供基板；在上述基板上形成被转移层；使转移体与上述被转移层结合；和将上述被转移层从上述基板移走，而将上述被转移层转移到上述转移体；再使用上述基板于另一转移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1238898C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN99800210.0
申请日：1999-02-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/00
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L21/8221 , H01L21/84 , H01L23/48 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0694 , H01L27/1108 , H01L27/12 , H01L29/78603 , H01L29/78675 , H01L29/78678 , H01L31/101 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2225/06513 , H01L2225/06565 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , Y10S438/977 , H01L2924/00
Abstract: 存储器IC10a包括衬底(转移侧衬底)21，和在该衬底21上层积的存储器单元阵列71、存储器单元阵列72及存储器单元阵列73。将各存储器单元阵列71、72和73分别按照薄膜结构的转移方法从图21中的下侧按该顺序层积。所述转移法包括在原衬底上通过分离层形成薄膜器件层(存储器单元阵列)后，对所述分离层照射照射光，在所述分离层的层内和/或界面上产生剥离，将所述原衬底上的薄膜器件层转移到衬底21侧。
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公开(公告)号：CN1707795A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510007770.X
申请日：2005-02-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/8239 , G11C11/22
CPC classification number: H01L27/11502 , G11C11/22 , G11C11/223 , H01L21/84 , H01L27/11507 , H01L27/12 , H01L29/516 , H01L29/78391
Abstract: 本发明提供一种存储单元，其特征在于将半导体衬底自身的导电率变化作为不同的数据而使用。
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公开(公告)号：CN1536616A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN200410033468.7
申请日：2004-04-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 井上聪
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02667 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L21/78 , H01L27/1266 , H01L27/1281 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78675 , H01L2221/68368
Abstract: 一种半导体器件的制造方法、集成电路、电光装置和电子仪器，所述半导体器件制造方法包括：在第一基板(10)上形成剥离层(12)的剥离层形成工序；在剥离层上形成绝缘膜(14)的绝缘膜形成工序；在绝缘膜(14)上形成多个微孔(16)的微孔形成工序；在绝缘膜上和微孔(16)内形成半导体膜(18)的成膜工序；通过热处理，熔融结晶化半导体膜，形成结晶性半导体膜(20)的结晶化工序；使用各结晶性半导体膜形成半导体元件(T)的元件形成工序；在剥离层(12)的层内和/或界面上产生剥离，将半导体元件转移到第二基板上的转移工序。根据本发明，可在大面积基板上容易形成细微且高性能的薄膜半导体元件。
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公开(公告)号：CN1160800C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN99800173.2
申请日：1999-02-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/12 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F2001/13613 , H01L21/6835 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/66757 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511
Abstract: 在基板(100)预先设置分离层(120)，在该基板上形成TFT等的薄膜器件(140)。在该薄膜器件(140)的形成过程中，对分离层(120)注入促进剥离用离子、例如氢离子。在薄膜器件(140)的形成后，最好在通过粘接层(160)将薄膜器件(140)接合到转移体(180)后，从基板一侧照射激光。由此，在分离层(120)中利用促进剥离用离子的作用，使剥离发生。使该薄膜器件(140)从基板(100)脱离。由此，可将所希望的薄膜器件转移到任一种基板上。
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公开(公告)号：CN1447421A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03107529.0
申请日：2003-03-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/1281 , H01L27/3244 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。该方法是：在玻璃基板(10)上形成由多个的像素电路排列而成的薄膜电路的情况下，首先，在玻璃基板(10)上，以成为多个像素电路的排列间隔(P1)的自然数倍(在本图为1倍)的间隔，形成应成为半导体膜结晶化时的起点的多个的凹部(112)。然后，在形成了凹部(112)的基板(10)上形成非结晶的硅膜，通过对该硅膜进行热处理，使其结晶化，在以凹部(112)大致作为中心的范围内形成基本单结晶的硅膜。利用以各个的凹部(112)为大致中心而形成的各个基本单结晶的硅膜形成像素电路。从而，能够提高构成半导体装置的半导体元件的特性，并抑制其特性的不一致性。
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