公开(公告)号：CN101370749A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200780002611.8

申请日：2007-01-08

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： C·R·龙达 ,  H·施赖讷马赫尔 ,  G·蔡特勒 ,  N·康拉茨 ,  S·莱韦内

IPC: C04B35/50 ,  C09K11/77 ,  C04B35/645 ,  G01T1/202

CPC classification number: C04B35/547 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/448 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/9646 ,  C04B2235/9653 ,  C09K11/7771

Abstract: 本发明涉及掺杂有M的具有通式Gd2O2S的荧光陶瓷的制备方法，其中M代表至少一种选自Ce、Pr、Eu、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的元素，所述方法包括在烧结剂和/或助熔剂的存在下进行单轴热压制步骤。

公开(公告)号：CN101107206A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200580015618.4

申请日：2005-05-12

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： L·波利亚斯尼科瓦 ,  V·德米登科 ,  E·戈罗克霍瓦 ,  O·奥夫延尼科瓦 ,  O·克里斯蒂奇 ,  H·维措勒克 ,  C·R·隆达 ,  G·蔡特勒

IPC: C04B35/547 ,  C09K11/77 ,  C04B35/053 ,  C04B35/50

CPC classification number: C04B35/645 ,  C04B35/547 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/9653 ,  C09K11/7771

Abstract: 本发明涉及用M掺杂的具有通式Gd2O2S的荧光陶瓷，其中M代表至少一种选自Ce、Pr、Eu、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的元素，其中所述荧光陶瓷在其体积内包括单相；本发明还涉及采用单轴热压制备荧光陶瓷的方法；用于检测电离辐射的检测器和所述检测器用于检测电离辐射的用途。所述采用单轴热压制造荧光陶瓷材料的方法包括下列步骤：a)选择用M掺杂的Gd2O2S颜料粉末，且M代表至少一种选自Eu、Tb、Yb、Dy、Sm、Ho、Ce和/或Pr的元素，其中所述用于热压的粉末的晶粒大小为1μm，且所述热压在1000－1400℃温度下进行；和/或在100MPa－300MPa压力下进行；在700℃－1200℃下空气退火0.5小时至30小时。

公开(公告)号：CN101978289B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN200980109788.7

申请日：2009-03-12

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： C·博伊默 ,  T·弗拉奇 ,  C·赫尔曼 ,  G·普雷舍尔 ,  T·佐尔夫 ,  R·斯特德曼布克 ,  G·蔡特勒

IPC: G01T1/17 ,  G01T1/20

CPC classification number: G01T1/2018 ,  G01T1/17

Abstract: 本发明涉及一种尤其适用于在CT扫描器中的能量分辨单X射线光子探测的辐射探测器(100)。在优选实施例中，探测器(100)包括闪烁体元件(Sk)的阵列，在闪烁体元件中将入射的X射线光子(X)转换成光学光子的脉冲猝发(hn)。与闪烁体元件(Sk)相关联的像素(Pk)确定在预定采集时段之内像素接收的光学光子数量。然后可以对这些数量进行数字处理以探测单X射线光子(X)并确定它们的能量。尤其可以由连通用于数据处理的关联数字电子电路的雪崩光电二极管来实现像素。

公开(公告)号：CN102105557B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN200980128751.9

申请日：2009-07-13

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： C·R·龙达 ,  G·蔡特勒 ,  H·施赖讷马赫尔 ,  N·康拉茨 ,  D·U·维歇特

IPC: G01T1/202 ,  C09K11/77 ,  G21K4/00

CPC classification number: C09K11/7771 ,  C04B35/547 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/725 ,  G21K4/00

Abstract: 本发明涉及用于CT应用中的Gd2O2S材料。具体地说，本发明涉及Gd2O2S:Nd荧光材料以及Nd3+在合适的材料中作为发射体的用途。

公开(公告)号：CN101542315B8

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN200780042651.5

申请日：2007-11-12

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： K·J·恩格尔 ,  G·蔡特勒 ,  C·博伊默 ,  C·赫尔曼 ,  J·维格特 ,  R·普罗克绍 ,  E·勒斯尔 ,  R·斯特德曼布克

IPC: G01T1/29

Abstract: 本发明涉及一种辐射探测器(200)，具体而言是一种X射线探测器，其包括至少一个用于将入射光子(X)转换成电信号的敏感层(212)。电极(213)的二维阵列位于该敏感层(212)的正面，而其背面携带对电极(211)。电极(213)的尺寸可在辐射方向(y)上变化以适应电极的计数工作量。此外，电极(213)相对于辐射方向(y)的位置提供关于所探测到的光子(X)的能量的信息。

公开(公告)号：CN101542315B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200780042651.5

申请日：2007-11-12

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： K·J·恩格尔 ,  G·蔡特勒 ,  C·博伊默 ,  C·赫尔曼 ,  J·维格特 ,  R·普罗克绍 ,  E·勒斯尔 ,  R·斯特德曼布克

IPC: G01T1/29

CPC classification number: G01T1/2928

Abstract: 本发明涉及一种辐射探测器(200)，具体而言是一种X射线探测器，其包括至少一个用于将入射光子(X)转换成电信号的敏感层(212)。电极(213)的二维阵列位于该敏感层(212)的正面，而其背面携带对电极(211)。电极(213)的尺寸可在辐射方向(y)上变化以适应电极的计数工作量。此外，电极(213)相对于辐射方向(y)的位置提供关于所探测到的光子(X)的能量的信息。

公开(公告)号：CN101296786B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200680039851.0

申请日：2006-10-17

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： G·蔡特勒 ,  H·施赖讷马赫尔 ,  C·R·龙达

IPC: B28B3/02 ,  B30B15/34 ,  C04B35/547 ,  C04B35/645 ,  C09K11/77

CPC classification number: B28B3/025 ,  B30B15/34 ,  C04B35/547 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/6581

Abstract: 本发明涉及用于制备陶瓷材料的单轴冲压和加热装置，其包括加热器(4)、模具(5)和模头(3)，其中，模具(5)设置在加热器(4)内部，模具(5)在至少一个开口处接纳模头(3)，其中，模头(3)在压力下驱动进入模具(5)中，其中，加热器(4)的长度与模具(5)的长度的比例为≥1.5至≤4，并且其中模具(5)的材料是石墨或包括碳化钛和碳化锆的固溶体硬化和颗粒加强的钼基合金。本发明还涉及陶瓷的制备方法和陶瓷材料。

公开(公告)号：CN102137913A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200980130526.9

申请日：2009-07-14

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： C·龙达 ,  H·施赖讷马赫尔 ,  G·蔡特勒 ,  N·康拉茨 ,  S·莱韦内

IPC: C09K11/77 ,  G01T1/202

CPC classification number: G01T1/202 ,  C09K11/7771 ,  G21K4/00

Abstract: 本发明提供主晶格改性的GOS闪烁材料和主晶格改性的GOS闪烁材料的使用方法。所述的主晶格改性的GOS闪烁材料具有比常规的GOS闪烁材料更短的余辉。此外，本发明还提供包括主晶格改性的GOS闪烁材料的辐射检测器和成像装置。可将滤光片与所述GOS闪烁材料联合使用。

公开(公告)号：CN102105557A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200980128751.9

申请日：2009-07-13

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： C·R·龙达 ,  G·蔡特勒 ,  H·施赖讷马赫尔 ,  N·康拉茨 ,  D·U·维歇特

IPC: C09K11/77 ,  G21K4/00

CPC classification number: C09K11/7771 ,  C04B35/547 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/725 ,  G21K4/00

Abstract: 本发明涉及用于CT应用中的Gd2O2S材料。具体地说，本发明涉及Gd2O2S:Nd荧光材料以及Nd3+在合适的材料中作为发射体的用途。

公开(公告)号：CN101573309A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200780046903.1

申请日：2007-12-19

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： G·蔡特勒 ,  H·施赖讷马赫尔 ,  C·R·龙达

IPC: C04B35/547 ,  C04B35/645 ,  C04B35/50 ,  C09K11/84

CPC classification number: C04B35/645 ,  B30B15/0017 ,  C04B35/547 ,  C04B2235/3224

Abstract: 一种用于烧结陶瓷粉末、尤其是掺杂的Gd2O2S的轴向热压方法，包括以下步骤：将第一多孔体(7)、陶瓷粉末(9)和第二多孔体(7)放入由支撑件(13，14)支撑的型壳(5)中。陶瓷粉末(9)位于多孔体(7)之间。气态组分被从陶瓷粉末(9)中抽出，达到小于0.8bar的环境压力。多孔体(7)和陶瓷粉末(9)被加热到至少900℃的最高温度、并且被施加压力达到至少75MPa的最大压力。根据本发明，加热步骤的时间变化与施加压力步骤的时间变化被相互调整，使得所述型壳(5)被所述多孔体(7)和/或所述陶瓷粉末(9)保持在相对于所述支撑件(13，14)的分开状态。