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公开(公告)号：CN101371163A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780002434.3
申请日：2007-01-08
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: G01T1/2002 , G01T1/202
Abstract: 本发明提供一种闪烁元件，其包含闪烁材料和反射层，其中所述反射层以所述闪烁材料的内在部分形成。优选地，可设置多个闪烁元件以形成闪烁阵列。本发明还提供闪烁元件的制备方法，其包括提供闪烁材料，通过将所述闪烁材料暴露于物理和/或化学条件下以使得由所述闪烁材料的一部分形成反射层而在闪烁材料上形成反射层。
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公开(公告)号：CN101370749A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780002611.8
申请日：2007-01-08
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: C04B35/50 , C09K11/77 , C04B35/645 , G01T1/202
CPC classification number: C04B35/547 , C04B35/645 , C04B2235/3203 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3287 , C04B2235/3418 , C04B2235/442 , C04B2235/443 , C04B2235/445 , C04B2235/446 , C04B2235/448 , C04B2235/449 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/664 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/9646 , C04B2235/9653 , C09K11/7771
Abstract: 本发明涉及掺杂有M的具有通式Gd2O2S的荧光陶瓷的制备方法，其中M代表至少一种选自Ce、Pr、Eu、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的元素，所述方法包括在烧结剂和/或助熔剂的存在下进行单轴热压制步骤。
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公开(公告)号：CN102137913B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN200980130526.9
申请日：2009-07-14
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: G01T1/202 , C09K11/7771 , G21K4/00
Abstract: 本发明提供主晶格改性的GOS闪烁材料和主晶格改性的GOS闪烁材料的使用方法。所述的主晶格改性的GOS闪烁材料具有比常规的GOS闪烁材料更短的余辉。此外，本发明还提供包括主晶格改性的GOS闪烁材料的辐射检测器和成像装置。可将滤光片与所述GOS闪烁材料联合使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101678211B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN200880006139.X
申请日：2008-02-22
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: A61N5/10
CPC classification number: A61N5/1048 , A61B6/483 , A61N5/103 , A61N2005/1056 , A61N2005/1094
Abstract: 散射辐射具有非直观的性质。提出一种发信号系统(28)，其提供指示所预测或者所测量的散射辐射的空间分布的可感知信号(34)。实施例为在暴露于散射辐射的环境中工作的人员提供了对散射辐射暴露的个人危险的简便的评估。一种用于预测散射辐射的分布的方法考虑至少一个对象相关参数(18)和至少一个辐射相关参数(22)，以及对其作出响应，预测散射辐射的分布。
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公开(公告)号：CN102105557B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN200980128751.9
申请日：2009-07-13
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: C09K11/7771 , C04B35/547 , C04B35/645 , C04B2235/3203 , C04B2235/3224 , C04B2235/445 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/663 , C04B2235/725 , G21K4/00
Abstract: 本发明涉及用于CT应用中的Gd2O2S材料。具体地说，本发明涉及Gd2O2S:Nd荧光材料以及Nd3+在合适的材料中作为发射体的用途。
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公开(公告)号：CN102137913A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200980130526.9
申请日：2009-07-14
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: G01T1/202 , C09K11/7771 , G21K4/00
Abstract: 本发明提供主晶格改性的GOS闪烁材料和主晶格改性的GOS闪烁材料的使用方法。所述的主晶格改性的GOS闪烁材料具有比常规的GOS闪烁材料更短的余辉。此外，本发明还提供包括主晶格改性的GOS闪烁材料的辐射检测器和成像装置。可将滤光片与所述GOS闪烁材料联合使用。
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公开(公告)号：CN102105557A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128751.9
申请日：2009-07-13
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: C09K11/7771 , C04B35/547 , C04B35/645 , C04B2235/3203 , C04B2235/3224 , C04B2235/445 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/663 , C04B2235/725 , G21K4/00
Abstract: 本发明涉及用于CT应用中的Gd2O2S材料。具体地说，本发明涉及Gd2O2S:Nd荧光材料以及Nd3+在合适的材料中作为发射体的用途。
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公开(公告)号：CN101678211A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880006139.X
申请日：2008-02-22
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: A61N5/10
CPC classification number: A61N5/1048 , A61B6/483 , A61N5/103 , A61N2005/1056 , A61N2005/1094
Abstract: 散射辐射具有非直观的性质。提出一种发信号系统(28)，其提供指示所预测或者所测量的散射辐射的空间分布的可感知信号(34)。实施例为在暴露于散射辐射的环境中工作的人员提供了对散射辐射暴露的个人危险的简便的评估。一种用于预测散射辐射的分布的方法考虑至少一个对象相关参数(18)和至少一个辐射相关参数(22)，以及对其作出响应，预测散射辐射的分布。
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