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公开(公告)号：CN101370749A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780002611.8
申请日：2007-01-08
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: C04B35/50 , C09K11/77 , C04B35/645 , G01T1/202
CPC classification number: C04B35/547 , C04B35/645 , C04B2235/3203 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3287 , C04B2235/3418 , C04B2235/442 , C04B2235/443 , C04B2235/445 , C04B2235/446 , C04B2235/448 , C04B2235/449 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/664 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/9646 , C04B2235/9653 , C09K11/7771
Abstract: 本发明涉及掺杂有M的具有通式Gd2O2S的荧光陶瓷的制备方法，其中M代表至少一种选自Ce、Pr、Eu、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的元素，所述方法包括在烧结剂和/或助熔剂的存在下进行单轴热压制步骤。
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公开(公告)号：CN102483461B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201080039976.X
申请日：2010-08-05
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: G01T1/2985 , G01T1/2018 , G01T1/242 , G01T1/249
Abstract: 提供了低成本大面积光探测器阵列。在第一实施例中，光探测器包括形成于单个厚层材料中的无机光电转换材料。在第二实施例中，光探测器包括若干薄层无机光电转换材料的层压结构，其组合厚度足够大，从而以高的探测器量子效率吸收进入的X射线。在第三实施例中，光探测器包括几层无机或有机光电转换材料的层压结构，其中每层具有复合闪烁体涂层。
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公开(公告)号：CN102483461A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039976.X
申请日：2010-08-05
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: G01T1/2985 , G01T1/2018 , G01T1/242 , G01T1/249
Abstract: 提供了低成本大面积光探测器阵列。在第一实施例中，光探测器包括形成于单个厚层材料中的无机光电转换材料。在第二实施例中，光探测器包括若干薄层无机光电转换材料的层压结构，其组合厚度足够大，从而以高的探测器量子效率吸收进入的X射线。在第三实施例中，光探测器包括几层无机或有机光电转换材料的层压结构，其中每层具有复合闪烁体涂层。
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公开(公告)号：CN101903801A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200880122267.0
申请日：2008-12-12
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: G01T1/2018 , G01T1/202
Abstract: 辐射敏感探测包括光电传感器元件(122)和光耦合至光电传感器元件(122)的闪烁体(116)。闪烁体(116)包括粉状闪烁体和与粉状闪烁体混合的树脂。粉状闪烁体和树脂之间的折射率不匹配小于7％。在一个非限制性的实例中，复合闪烁体材料可以用于形成布置为常规CT或光谱CT中的高分辨率探测器阵列的光纤叶片。
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公开(公告)号：CN102906596B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201180025456.8
申请日：2011-04-25
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: G01T1/2018 , G01T1/2985
Abstract: 形成并且光学固化包括未固化闪烁体材料（112）的闪烁体元件（114）以生成固化闪烁体元件（122,122”）。所述未固化闪烁体材料适当地至少组合了闪烁体材料粉末和未固化聚合物宿主。在卷到卷处理中，将柔性光学探测器阵列从源卷（100）传送至收起卷（106），并且所述未固化闪烁体材料（112）被设置在所述柔性阵列上，并在所述传送期间被光学固化。这种探测器层（31,32,33,34,35）是能堆叠的以限定多层计算机断层摄影（CT）探测器阵列（20）。探测器元件通路（50,50’,50”）包括前置放大器（52）和切换电路（54,54’,54”），并具有将所述前置放大器至少与第一探测器阵列层（31,32）相连接的第一模式，以及将所述前置放大器至少与第二探测器阵列层（33,34,35）相连接的第二模式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101903801B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN200880122267.0
申请日：2008-12-12
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: G01T1/2018 , G01T1/202
Abstract: 辐射敏感探测包括光电传感器元件(122)和光耦合至光电传感器元件(122)的闪烁体(116)。闪烁体(116)包括粉状闪烁体和与粉状闪烁体混合的树脂。粉状闪烁体和树脂之间的折射率不匹配小于7％。在一个非限制性的实例中，复合闪烁体材料可以用于形成布置为常规CT或光谱CT中的高分辨率探测器阵列的光纤叶片。
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公开(公告)号：CN102119000B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN200980130356.4
申请日：2009-07-22
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Abstract: 一种系统包括：辐射源(110)，所述辐射源包括阳极(112)和阳极(114)；高电压发生器(202)，所述高电压发生器产生被施加在所述阳极(112)和所述阴极(114)两端的源电压，其中，所述源电压将来自所述阴极(114)的电子向所述阳极(112)加速；以及调制波发生器(204)，所述调制波发生器产生具有非零振幅的调制电压波，所述调制电压波与源电压组合并在至少两个不同电压之间调制源电压。
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公开(公告)号：CN102906596A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025456.8
申请日：2011-04-25
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: G01T1/2018 , G01T1/2985
Abstract: 形成并且光学固化包括未固化闪烁体材料（112）的闪烁体元件（114）以生成固化闪烁体元件（122,122”）。所述未固化闪烁体材料适当地至少组合了闪烁体材料粉末和未固化聚合物宿主。在卷到卷处理中，将柔性光学探测器阵列从源卷（100）传送至收起卷（106），并且所述未固化闪烁体材料（112）被设置在所述柔性阵列上，并在所述传送期间被光学固化。这种探测器层（31,32,33,34,35）是能堆叠的以限定多层计算机断层摄影（CT）探测器阵列（20）。探测器元件通路（50,50’,50”）包括前置放大器（52）和切换电路（54,54’,54”），并具有将所述前置放大器至少与第一探测器阵列层（31,32）相连接的第一模式，以及将所述前置放大器至少与第二探测器阵列层（33,34,35）相连接的第二模式。
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公开(公告)号：CN102137913A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200980130526.9
申请日：2009-07-14
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: G01T1/202 , C09K11/7771 , G21K4/00
Abstract: 本发明提供主晶格改性的GOS闪烁材料和主晶格改性的GOS闪烁材料的使用方法。所述的主晶格改性的GOS闪烁材料具有比常规的GOS闪烁材料更短的余辉。此外，本发明还提供包括主晶格改性的GOS闪烁材料的辐射检测器和成像装置。可将滤光片与所述GOS闪烁材料联合使用。
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公开(公告)号：CN102119000A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200980130356.4
申请日：2009-07-22
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Abstract: 一种系统包括：辐射源(110)，所述辐射源包括阳极(112)和阳极(114)；高电压发生器(202)，所述高电压发生器产生被施加在所述阳极(112)和所述阴极(114)两端的源电压，其中，所述源电压将来自所述阴极(114)的电子向所述阳极(112)加速；以及调制波发生器(204)，所述调制波发生器产生具有非零振幅的调制电压波，所述调制电压波与源电压组合并在至少两个不同电压之间调制源电压。
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