公开(公告)号：CN101099110A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200580046029.2

申请日：2005-12-23

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： M·T·约翰逊 ,  E·I·哈斯克尔 ,  A·G·纳普

IPC: G02F1/167 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/167 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/134363 ,  G02F2201/124

Abstract: 一种无源矩阵面内切换双稳态显示器(1)，具有第一和第二电极(20、30)，以及与第一电极(20)和第二电极(30)的交叉有关的像素(10)。显示器(1)包括相同基板上包括第一电极(20)以及每个像素(10)的与第二组电极(G2)交错的第一组电极(G1)。第一和第二组电极(G1、G2)在相同的第一方向上延伸，并且在第一方向上相对于彼此进行设置，以在第一方向上获得仅存在所述第一组电极(G1)的第一区域(A1)、仅存在所述第二组电极(G2)的第二区域(A2)、以及在第一和第二区域(A1、A2)之间的所述第一和第二组电极(G1、G2)都存在的第三区域(A3)。绝缘区(40)至少位于第二电极(30)必须与第一电极(20)交叉的交叉位置处。第二电极(30)在第二方向上延伸并设置成在交叉位置处与第一电极(20)交叉，并且在第二区域(A2)中接触第二组电极(G2)。每个像素(10)的子电极(S1)设置在第二方向上以在第一区域中使第一组电极(G1)互连，并且将所述第一组(G1)连接到第一电极(20)中的相关第一电极。

公开(公告)号：CN102483461B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201080039976.X

申请日：2010-08-05

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： S·莱韦内 ,  A·阿尔特曼 ,  N·魏纳 ,  C·R·龙达 ,  E·I·哈斯克尔 ,  D·M·德里兀

IPC: G01T1/20 ,  G01T1/24 ,  G01T1/29

CPC classification number: G01T1/2985 ,  G01T1/2018 ,  G01T1/242 ,  G01T1/249

Abstract: 提供了低成本大面积光探测器阵列。在第一实施例中，光探测器包括形成于单个厚层材料中的无机光电转换材料。在第二实施例中，光探测器包括若干薄层无机光电转换材料的层压结构，其组合厚度足够大，从而以高的探测器量子效率吸收进入的X射线。在第三实施例中，光探测器包括几层无机或有机光电转换材料的层压结构，其中每层具有复合闪烁体涂层。

公开(公告)号：CN102483461A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080039976.X

申请日：2010-08-05

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： S·莱韦内 ,  A·阿尔特曼 ,  N·魏纳 ,  C·R·龙达 ,  E·I·哈斯克尔 ,  D·M·德里兀

IPC: G01T1/20 ,  G01T1/24 ,  G01T1/29

CPC classification number: G01T1/2985 ,  G01T1/2018 ,  G01T1/242 ,  G01T1/249

Abstract: 提供了低成本大面积光探测器阵列。在第一实施例中，光探测器包括形成于单个厚层材料中的无机光电转换材料。在第二实施例中，光探测器包括若干薄层无机光电转换材料的层压结构，其组合厚度足够大，从而以高的探测器量子效率吸收进入的X射线。在第三实施例中，光探测器包括几层无机或有机光电转换材料的层压结构，其中每层具有复合闪烁体涂层。