-
公开(公告)号：CN110945431A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880048752.1
申请日：2018-08-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: G03F7/20 , G03F1/74 , H01L21/027
Abstract: 一种对衬底进行图案化的方法可包括：在所述衬底上提供毯覆式光致抗蚀剂层；向所述毯覆式光致抗蚀剂层中执行植入物质的离子植入程序，所述植入物质在极紫外光(EUV)范围中的波长下包括增强的吸收效率；以及在所述执行所述离子植入程序之后，执行图案化曝光，以将所述毯覆式光致抗蚀剂层曝光于极紫外光辐射。
-
公开(公告)号：CN107658201A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710893518.6
申请日：2014-12-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种控制提供至基板的离子束的处理装置。处理装置可包括电浆源、提取板、偏转电极与偏转电极电源，其中所述电浆源耦接至电浆腔室以在电浆腔室中产生电浆，所述提取板具有沿着电浆腔室的一侧配置的孔隙，所述偏转电极配置为接近于孔隙，且当电浆腔室中存在电浆时所述偏转电极经设置以界定一对电浆半月区，所述偏转电极电源用于相对于电浆施加偏压至偏转电极，其中施加至偏转电极的第一偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第一入射角，且施加至偏转电极的第二偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第二入射角，所述第二入射角不同于所述第一入射角。本发明对离子角分布的进一步的控制可以更有效率地处理基板。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107004584A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580065761.8
申请日：2015-11-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/263 , H01L27/11524
Abstract: 一种制作多层式结构的方法包括：在安置于基板上的元件堆叠上提供掩模，所述元件堆叠包括由第一层类型及第二层类型构成的第一多个层；沿第一方向射出第一离子，所述第一方向相对于所述基板的平面的法线形成第一非零入射角度，其中形成具有侧壁角度的第一侧壁，所述侧壁角度相对于所述法线形成第一非零倾斜角度，所述第一侧壁包括第二多个层，所述第二多个层来自于所述第一多个层的至少一部分且由所述第一层类型及所述第二层类型构成；以及使用第一选择性蚀刻来蚀刻所述第二多个层，其中相对于所述第二层类型而选择性地蚀刻所述第一层类型。
-
公开(公告)号：CN101681820B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200880015242.0
申请日：2008-04-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 爱德温·A·阿雷瓦洛 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 安东尼·雷诺 , 乔纳森·吉罗德·英格兰
IPC: H01L21/265 , H01J37/317
CPC classification number: H01L21/26506 , H01J2237/2001 , H01J2237/31701 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/26593
Abstract: 本发明揭示形成浅接合的技术。在一个特定示范性实施例中，技术可被实现为形成浅接合的方法。此方法可包括生成包括分子离子的离子束，分子离子基于由下列各物所构成的群族中选出的一种或多种物质：二锗烷(Ge2H6)、氮化锗(Ge3N4)、锗-氟化合物(GeFn，其中n＝1、2或3)，以及其它含锗化合物。此方法亦可包括使离子束冲击半导体晶片。
-
公开(公告)号：CN101680087A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200780052552.5
申请日：2007-03-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司 , 东北大学
Inventor： 维克拉姆·辛 , 哈勒德·M·波辛 , 艾德蒙德·J·温德 , 杰弗里·A·后普沃德 , 安东尼·雷诺
IPC: C23C16/24 , C23C16/452 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/24 , C23C16/452 , C23C16/45527 , C23C16/4554
Abstract: 揭示一种原子层沉积技术。在一个特定例示性实施例中，可通过用于原子层沉积的装置来实现此技术。所述装置可包括一处理腔室，其具有一用以固持至少一个基板的基板平台。所述装置亦可包括一前驱物质的供应源，其中前驱物质包括至少一种第一种类的原子以及至少一种第二种类的原子，且其中供应源提供前驱物质以使至少一个基板的表面饱和。所述装置可还包括至少一种第三种类的介稳态原子的等离子源，其中介稳态原子能够自至少一个基板的饱和表面脱附至少一种第二种类的原子以形成至少一种第一种类的一个或多个原子层。
-
公开(公告)号：CN101427350A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780006744.2
申请日：2007-01-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J27/02 , C23C14/48
CPC classification number: H01J37/08 , C23C14/48 , H01J27/02 , H01J37/3171
Abstract: 本发明提供离子布植方法以及该方法使用的离子源。该方法包含：自包含多种元素的源进料气体产生离子。举例而言，源进料气体可包含硼以及至少两种其它元素(例如，XaBbYc)。使用此等源进料气体较某些公知过程而言可产生若干优点，包含能够在形成具有超浅接合深度的布植区域时使用较高布植能量以及离子束电流。又，在某些实施例中，源进料气体的成分可经选择以在相对高温(例如，大于350℃)下为热稳定的，此允许在使用期间产生此等温度的许多公知离子源中(例如，间接加热阴极(IHC)，Bernas)使用此等气体。
-
公开(公告)号：CN101120427A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200680004939.9
申请日：2006-02-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/244
CPC classification number: H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/004 , H01J2237/24405 , H01J2237/31703 , H01J2237/31705
Abstract: 本发明提供一种静电抑制型的法拉第筒与能量污染监测器的混合装置及使用所述装置的相关方法。本发明的装置可选择性地测量离子束的两种特性，例如测量减速离子束的电流及能量污染程度。根据本发明一方面，本发明提供的离子束测量装置包括：用来接收离子束的光圈；配置在光圈旁的负偏压电极；配置在负电压电极旁的正偏压电极；配置在正偏压电极旁的选择偏压电极；以及收集器。其中，选择偏压电极可选择性地选定为负偏压或正偏压。
-
-
-
-
-
-
Search Results
37
records
(took 0.027 seconds)
