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公开(公告)号：CN119400697A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411552548.7
申请日：2024-11-01
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及半导体技术领域，公开了一种晶圆背面欧姆接触制备方法、装置、设备和存储介质，包括：对经过正面工艺处理后的晶圆的背面进行金属化处理，以在晶圆的背面形成欧姆金属，其中，晶圆的背面包括芯片区域与划片道区域；基于预设的区域定位条件，对与划片道区域对应的欧姆金属不进行激光退火，同时对与芯片区域对应的欧姆金属进行激光退火，以在欧姆金属与晶圆之间形成欧姆合金；对与划片道区域对应的欧姆金属剥除。本申请公开的晶圆背面欧姆接触制备方法，解决了激光退火方式易导致激光的产能和寿命降低，且导致划片刀轮的寿命降低的问题，使得在后续切割时有效地延长了划片刀轮的寿命，并且激光退火的产能和激光寿命得到提高。
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公开(公告)号：CN119069538A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411565547.6
申请日：2024-11-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，包括至少一个元胞结构，元胞结构包括：衬底；漂移层，位于衬底的一侧；第一源区结构，位于漂移层背离衬底的一侧；第二源区结构，位于漂移层背离衬底的一侧，且第一源区结构背离衬底的一侧表面位于第二源区结构靠近衬底一侧的表面中；屏蔽区，位于漂移层和第二源区结构之间，屏蔽区包括多个第一屏蔽区，第一屏蔽区沿第一方向间隔分布，第一方向为衬底指向漂移层的方向。多个第一屏蔽区沿着第一方向的方向分别对器件中的载流子进行耗尽，进而降低了MOS器件中的内建电场，使得器件更加稳定，进而解决了相关技术中由于MOS器件在拐角处电场集中，易导致被击穿的问题。
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公开(公告)号：CN118969820A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411438312.0
申请日：2024-10-15
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 李理
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本申请提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体器件，该半导体结构包括：衬底；第一外延层，位于衬底的表面上，第一外延层包括外延层本体和沟槽，沟槽位于外延层本体中；第二外延层，至少位于部分的沟槽中，第二外延层的掺杂类型与第一外延层的掺杂类型不同。本申请解决了现有技术中SIC二极管通过离子注入形成的掺杂区的掺杂浓度分布不均匀导致器件的耐高压能力较弱的问题。
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公开(公告)号：CN119890080A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411914133.X
申请日：2024-12-24
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开的本发明提供的超薄片晶圆的解键合方法及设备，属于半导体加工技术领域。本发明在晶圆送入清洗腔室前，先将所述清洗腔室与所述供料腔室及解键合腔室连通，使三腔室气压均为常压；将完成解键合后的晶圆传送至清洗腔室内后，将清洗腔室与所述供料腔室及解键合腔室隔断，使得晶圆在没有压差的环境下进行清洗，晶圆转动清洗时更稳定，不会发生漂移，同时也避免清洗液外溅；当完成对晶圆的清洗时，对所述清洗腔室抽气，使得清洗腔室与供料腔室再次连通时，供料腔室及解键合腔室与所述清洗腔室形成压差，避免取出晶圆时，清洗腔室残留的清洗液外溅，直到取出晶圆后停止抽气。本发明能够有效解决晶圆解键合工艺中清洗环节的晶圆漂移问题。
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公开(公告)号：CN119421454A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411769477.6
申请日：2024-12-04
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 李理
Abstract: 本申请公开了一种沟槽功率器件及沟槽功率器件的制备方法，该沟槽功率器件包括衬底和外延层，还包括至少一个沟槽栅结构，位于外延层中，沟槽栅结构包括栅极和栅氧层，栅极在第二方向上具有相对设置的第一侧面和第二侧面，栅氧层分别位于栅极在第一侧面上和栅氧层位于栅极靠近衬底的一侧，第二方向平行于第一表面；肖特基二极管结构，至少与第二侧面和第一外延层接触，肖特基二极管结构位于栅极的第二侧面上，肖特基二极管结构包括多个掺杂区，多个掺杂区包括沿第二方向交替设置的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区与第二掺杂区具有不同的掺杂类型。以解决相关技术中沟槽功率器件栅极抗静电击穿能了和器件在高频工作条件下开关损耗高的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119325269A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411440274.2
申请日：2024-10-15
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 李理
Abstract: 本申请提供了一种半导体结构以及功率二极管。该半导体结构包括：衬底；外延层，位于衬底的表面上；第一沟槽，位于外延层中；第一注入区，位于第一沟槽的侧壁上以及底面上，第一注入区与外延层的掺杂类型不同；第二沟槽，位于外延层中，与第一沟槽间隔设置，第二沟槽的深度与第一沟槽的深度不同；第二注入区，位于第二沟槽的侧壁上和底面上，第二注入区与外延层的掺杂类型不同；第一导电层，位于第一沟槽中、第二沟槽中以及外延层远离衬底的表面上，第一导电层分别与第一注入区以及第二注入区接触。本申请至少解决现有技术中半导体结构的性能较差的问题。
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公开(公告)号：CN119300407A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411769484.6
申请日：2024-12-04
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 李理
Abstract: 本申请公开了一种沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法，该沟槽MOS器件中外延层包括叠层设置的第一外延层和第二外延层，第一外延层具有第一掺杂类型，第二外延层具有第二掺杂类型；至少一个沟槽栅结构，沟槽栅结构位于外延层中，沟槽栅结构靠近衬底的表面与第一外延层接触，沟槽栅结构包括栅极和栅氧层；肖特基二极管结构位于沟槽栅结构在第一方向上的一侧，肖特基二极管结构包括第一注入区、绝缘区和掺杂区，绝缘区和掺杂区叠层设置，绝缘区位于掺杂区靠近衬底的一侧，绝缘区和掺杂区均与沟槽栅结构接触，第一注入区位于掺杂区中，第一注入区与掺杂区具有不同的掺杂类型。以解决相关技术中寄生二极管限制MOS器件性能的问题。
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公开(公告)号：CN118800811B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411270068.1
申请日：2024-09-11
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 李理
IPC: H01L29/872 , H01L23/34 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本申请公开了一种二极管结构及二极管结构的制备方法，二极管结构包括衬底以及在衬底上叠层设置的第一外延层、第二外延层和第一导电层，其中，第一外延层和第二外延层具有相同的掺杂类型，二极管结构还包括多个第一注入区间隔设置在第一外延层中且与第二外延层接触；多个第二注入区位于第二外延层中且分别与所示第一注入区和第一导电层接触，其中，第一注入区与第二注入区一一对应；至少一个第三注入区位于相邻的第二注入区之间的第二外延层中，且第三注入区与第一导电层接触；其中，第一注入区、第二注入区和第三注入区具有相同的掺杂类型，并与第一外延层的掺杂类型不同，以解决相关技术中二极管器件的产品性能优势较弱和工艺流程复杂的问题。
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公开(公告)号：CN119069539A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411565557.X
申请日：2024-11-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，MOS器件包括：每个源区结构包括第一源区结构和第二源区结构，第一源区结构位于外延层背离衬底的一侧，第二源区结构位于外延层背离衬底的一侧，且第一源区结构背离衬底的一侧表面位于第二源区结构靠近衬底一侧的表面中；栅极结构的底面和第一侧面分别与源区结构接触；多个整流结构，整流结构至少部分位于外延层中，整流结构与源区结构接触，整流结构具有与外延层不同的掺杂类型，其中，多个整流结构在第一方向上间隔设置，第一方向平行于第一侧面。以解决相关技术中MOS器件采用外反向并联的二极管导致的增大尺寸和可靠性差，与无法满足不同耐压器件续航能力的问题。
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公开(公告)号：CN119069536A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411565541.9
申请日：2024-11-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，该器件包括至少一个元胞结构，元胞结构包括：衬底；漂移层；第一源区结构和第二源区结构；隔离结构包括第一隔离层和多个第二隔离层，第二隔离层间隔的位于第一隔离层背离漂移层的一侧，每个第二隔离层中具有沿第一方向交替分布的第一掺杂层和第二掺杂层，相邻的任意两个第二隔离层的第一掺杂层具有不同的掺杂浓度，相邻的任意两个第二隔离层的第二掺杂层具有不同的掺杂浓度，第一方向为第二隔离层的延伸方向；栅极结构。在MOS管中形成了具有掺杂浓度不同的隔离结构，形成了耐静电击穿的不同单体隔离，以在不同适应场景下快速启用对应的抗静电单体，泄洪静电电流进而保护MOS器件。
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