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公开(公告)号：CN115955277A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211637587.8
申请日：2022-12-16
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种隔离驱动装置、方法、系统、功率器件及电子设备，该隔离驱动装置包括：光发射机模块、光复用器模块、光解复用器模块、光电转换器模块；光发射机模块，用于基于传输信息产生光信号；光复用器模块，用于依据光信号生成光波，并通过光纤将光波提供给光解复用器模块；光解复用器模块，用于对光波进行分解，得到至少一束单波长光信号，并将单波长光信号提供给光电转换器模块；光电转换器模块，用于依据单波长光信号进行光电转换处理，得到传输信息对应的驱动信号，从而实现了光纤隔离驱动，进而可以利用光纤通信特点，实现单一光纤控制多通道功率开关，并可远距离超低延时控制大功率电力开关设备，安全可靠，提高隔离驱动控制效率。
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公开(公告)号：CN115754651A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211413931.5
申请日：2022-11-11
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请实施例提供了一种测试方法、装置、存储介质及电子设备，应用于测试系统，测试系统包括：测试设备、显示设备和待测电路板，显示设备连接测试设备，待测电路板连接显示设备和测试设备，测试设备用于通过测试软件设置测试条件和保存测试数据，显示设备用于显示待测电路板的开关特性波形，测试方法包括：获取用户在测试设备中通过测试软件设置的测试参数，基于测试参数对待测电路板连接的功率器件进行测试，并获取测试过程中生成的动态参数，基于显示设备提取测试过程中的开关特性波形，保存开关特性波形和待测电路板生成的动态参数，在软件设置测试参数，来自动测试功率器件，并将波形和动态参数进行自动保存、计算，提高了测试的准确性。
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公开(公告)号：CN115692327A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110844155.3
申请日：2021-07-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本申请涉及模块封装结构技术领域，本申请公开一种模块封装结构、电路板总成及模块封装方法，该模块封装结构包括模块；加固件，所述加固件安装在所述模块上；以及，塑封层，塑封形成于所述模块以及所述加固件。与现有技术相比，塑封时，加固件上也会形成塑封层，加固件的设置增强了塑封层的强度，使得模块以及塑封其的塑封层不易翘曲甚至变形，在后期安装时，模块以及塑封其的塑封层也就不易断裂，从而增强了模块的抗断裂能力以及抗翘曲能力。
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公开(公告)号：CN115621205A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211311401.X
申请日：2022-10-25
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/04 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构及半导体封装方法，半导体封装结构包括：封装壳，封装壳具有容纳腔和与容纳腔连通的散热口；框架部，框架部的一部分设置在容纳腔内，框架部的另一部分凸出于封装壳外；芯片结构，芯片结构位于在容纳腔内，芯片结构设置在框架部上；导热部，导热部的至少一部分穿设在散热口内并和框架部接触，导热部用于将芯片结构产生的热量导出。采用该方案，通过在封装壳上设置散热口，保证注塑的可靠性，进一步地，通过穿设在散热口内的导热部实现对容纳腔内芯片结构产生的热量的传递，使得容纳腔内的热量能够通过导热部从容纳腔内传出，保证半导体封装结构的散热效果和散热的可靠性。
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公开(公告)号：CN115274587A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210933859.2
申请日：2022-08-04
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/40 , H01L21/48 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种封装结构、封装方法及半导体器件，该封装结构包括封装器件与包裹在所述封装器件外的封装层，所述封装层至少由两种导热系数不同的封装材料制成，导热系数高的一种或多种所述封装材料形成所述封装层的导热部。基于本发明的技术方案，采用在封装层上形成高导热系数制成的导热部的技术方案，在实现将封装器件的热量快速传递出来的同时，不需要减薄封装层整体的厚度，可以避免因厚度减薄而带来的封装层注塑不良的问题，保证封装结构的绝缘性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112216666B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201910626038.2
申请日：2019-07-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/49 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本申请涉及芯片封装技术领域，具体而言，涉及一种元器件电性连接方法及通过该方法制备的芯片封装。元器件电性连接方法包括如下步骤：将芯片焊接在基板上；将芯片及外部引脚塑封成型，塑封过程中，对需要进行电性连接的焊盘处预留填充孔；在封装体上刻蚀用于连通填充孔的沟槽，每个所述沟槽用于连通需要进行电性连接的焊盘对应的填充孔；在导电沟槽和填充孔中填充导电胶；对外露的导电胶部分进行再次封装。本申请技术方案所提供的元器件电性连接方法，由于采用导电胶进行电性连接，不用引线键合的方式，不存在机械应力对芯片的损伤，提高芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN110120342A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910390853.3
申请日：2019-05-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/3105
Abstract: 本申请提供了一种半导体工艺、半导体器件的制作方法和半导体器件。该半导体工艺包括：提供半导体结构，半导体结构包括非平整表面，非平整表面包括突出区域；在非平整表面的除突出区域之外的区域上设置牺牲阻挡层；对设置有牺牲阻挡层的半导体结构进行第二次机械研磨，直到非平整表面变为平整表面，牺牲阻挡层被去除的速率小于半导体结构的被去除的速率。该半导体工艺中，在通过化学机械研磨对整个非平整表面进行研磨时，未设置有牺牲阻挡层的突出区域会被快速磨平，而其他区域由于牺牲阻挡层的阻挡作用而基本维持不变。该工艺不仅能改善半导体结构的平整度，并且，由于该工艺不需要对半导体结构进行刻蚀，其可控性更好，可行性高。
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公开(公告)号：CN107505555A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710796675.5
申请日：2017-09-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 廖勇波
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及二极管测试技术领域，特别是涉及一种二极管电学特性曲线绘制方法及测试设备。其中，该方法包括：在对二极管输入第一预设占空比D1的脉冲信号进行测试时，获取二极管处于最高结温下的最大正向平均电流及与最大正向平均电流对应的正向直流电压；根据第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与正向直流电压，计算出功率损耗；确定二极管的结到壳的热阻参数；根据二极管的结到壳的热阻参数与功率损耗，计算出最大功率损耗；根据第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流、正向平均电流对应的功率损耗及最大功率损耗，绘制第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与功率损耗的关系曲线。因此，其所需要的测试数据相对不大，计算方便。
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公开(公告)号：CN119907284A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411906649.X
申请日：2024-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种沟槽MOSFET器件、制造方法和芯片，器件包括沿第一方向交替排列的第一截面区、第二截面区和第三截面区；第一截面区、第二截面区和第三截面区均包括：N型衬底、外延层、第一沟槽、氧化层、第一N区、P阱区、N+区、第二沟槽、栅极和源极；外延层设于N型衬底的一侧；第一N区位于第一沟槽两侧的下方；N+区位于第一沟槽两侧；P阱区连接于N+区的下方；第二沟槽位于第一沟槽的底部；通过第一截面区的位于第二沟槽底部及拐角的P区起到的电场屏蔽作用，以及第三截面区的位于第一沟槽底部的P区起到的电场屏蔽作用，从而避免沟槽拐角处产生较强电场导致的器件损坏，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN119905480A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411906660.6
申请日：2024-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基板结构、智能功率模块、控制器、电器及基板制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括陶瓷覆铜基板和多个衔接柱体，陶瓷覆铜基板上设置有至少两个上芯区域。衔接柱体固定连接于陶瓷覆铜基板上，且多个衔接柱体对每个上芯区域形成围绕，衔接柱体与键合线的中间区域形成电性连接。从而可以通过衔接柱体，来作为键合线的中间衔接点，在新增芯片的情况下，键合线能够在电性连接过程中，弯折形成多段线段来减少键合线之间的交叉接触，且避免键合线由于线弧过长导致塌线与其他键合线发生接触的问题，提高了智能功率模块的基板结构的结构兼容性，降低了智能功率模块在产品迭代时的生产成本和缩短了研发周期。
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