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公开(公告)号：CN100395172C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200410101813.6
申请日：2004-12-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种基于宏观长单壁或双壁碳纳米管束的负光控电导器件，涉及一种光电子学器件。该器件包括一根由宏观长的单壁或双壁碳纳米管束丝和两个金属电极，单壁或双壁碳纳米管束丝的两端分别与两个金属电极相连接，并封装在石英玻璃罩内。工作时，先把金属电极和外电路相连接，然后用一光束通过石英玻璃罩直接照射在碳纳米管丝的中部，实验表明，该器件的总电导会受到入射光束强度的调控，即当光束强度增加时，器件的总电导会下降；当光束强度减小时，器件的总电导会上升。但无论入射光束强度大小如何，器件的总电导变化率始终小于或等于零。本发明结构简单，制作方便；入射光波长响应范围为405nm～1064nm，其光电响应时间小于1秒。
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公开(公告)号：CN101026197A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710064946.4
申请日：2007-03-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/032 , H01G9/20 , G01J1/42
Abstract: 基于宏观长度的氧化层包裹铜纳米线的光电导传感器，涉及一种具有氧化亚铜包裹层的宏观长铜纳米线簇的光电导传感器件。它是利用银胶将宏观长铜纳米线簇的两端与两金属电极相连接构成回路，然后在回路中通以适当的电流，使铜纳米线表面在空气中氧化形成铜氧化物包裹层。将处理后的纳米线簇和连接它的电极端真空封装于石英套管内，并在套管外部留出电极的另一端作为引线。工作时，把两电极引线和电信号检测设备相连接，当有光束照射在纳米线簇的中央位置时，电路中电导会发生显著变化，其光电导的数值依赖于入射光的强度，即当光强增加时，光电导数值也会增加，反之，当光强减小时，光电导数值也会减小，且其光电响应速度很快。
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公开(公告)号：CN1709790A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200510012006.1
申请日：2005-06-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种制备面积为平方厘米量级的单晶银纳米线阵列的方法，属于纳米材料制备技术领域。该方法以玻璃为基底，首先在玻璃基底两端同时沉积两片Ag膜作为阴极和阳极，其Ag膜厚度为微米量级，再沉积RbAg4I5银离子导电膜，使得银离子导电膜覆盖阴极和阳极以及它们之间的空隙；然后在阴极和阳极之间施加恒定电流，使通过银离子导电膜的离子流密度为恒定值。该方法可制备出面积为平方厘米尺度的银纳米线阵列，所得的纳米线排列方向十分规则，晶体结构为面心立方结构；具有方法操作简单，条件容易控制，易从基底上剥离等特点。所制备的银纳米线阵列可作为器件直接应用于光学和电子学等领域中。
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公开(公告)号：CN1641343A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200410101814.0
申请日：2004-12-24
Applicant: 清华大学
IPC: G01N23/227 , G01B21/10
Abstract: 一种基于光致电导变化率的碳纳米管检测及定性分类方法，涉及碳纳米管分类及检测技术。本发明是将具有宏观长度的碳纳米管束构成的细丝的两端分别与金属电极相连接，然后再将电极与测量源表相连接构成回路。检测时，用光束直接照射在碳纳米管束丝的中部，回路中的总电导会发生显著变化，其光致电导变化率(Δσ)的符号对应于不同的碳纳米管可正可负，依此将光致电导变化率为负值(Δσ＜0)的一类碳纳米管叫阴性碳纳米管，反之，将光致电导变化率为正值(Δσ＞0)的一类碳纳米管叫阳性碳纳米管，实验数据表明，光致电导变化率的符号和绝对值的大小反应了碳纳米管的直径、管壁层数以及纯净度等特性。
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公开(公告)号：CN1632476A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200510011172.X
申请日：2005-01-14
Applicant: 清华大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 基于无序多壁碳纳米管的红外激光功率探测器，该探测器包括一片由多壁碳纳米管粉末压成的薄片和一金属基片，即把多壁碳纳米管薄片的一面与金属基片紧密接触，另一面覆以金属导电薄膜。工作时，先把金属导电薄膜和金属基片分别用导线和外电路测量仪表相连接，然后将被测红外激光入射到金属导电薄膜的表面，这样，随着入射光强的变化，电路中将产生不同强度的光致电流，且在光强增大时电流增大，光强减小时电流减小。本发明相对于现有技术，结构简单，制作方便，而且光电响应速度快，对红外波段光非常敏感，其探测响应时间为秒量级。该器件在红外激光功率测量领域具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1631765A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410101813.6
申请日：2004-12-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种基于宏观长单壁或双壁碳纳米管束的负光控电导器件，涉及一种光电子学器件。该器件包括一根由宏观长的单壁或双壁碳纳米管束丝和两个金属电极，单壁或双壁碳纳米管束丝的两端分别与两个金属电极相连接，并封装在石英玻璃罩内。工作时，先把金属电极和外电路相连接，然后用一光束通过石英玻璃罩直接照射在碳纳米管丝的中部，实验表明，该器件的总电导会受到入射光束强度的调控，即当光束强度增加时，器件的总电导会下降；当光束强度减小时，器件的总电导会上升。但无论入射光束强度大小如何，器件的总电导变化率始终小于或等于零。本发明结构简单，制作方便；入射光波长响应范围为405nm～1064nm，其光电响应时间小于1秒。
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公开(公告)号：CN1464074A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN02121109.4
申请日：2002-06-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种固体电解质晶体材料及其晶体薄膜制备方法，属于固体电解质材料领域。本发明提供了一种固体电解质晶体材料及其晶体薄膜制备方法，该材料的化学式为Rb0.5Cs0.5Ag4I5，且在室温下具有立方晶体结构，晶格常数a＝1.131nm。晶体薄膜制备方法是取RbI、CsI和AgI三种粉末按摩尔比x＝0.5和y＝0.15～0.16配成(RbxCs1－xI)y(AgI)1－y混合物，利用真空热蒸镀方法，在真空室压强小于2×10－3Pa时，将其外延生长在加热至55～75℃的新解理的NaCl晶体基片上，膜沉积速率约为5～15nm/s。
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公开(公告)号：CN102694051B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201210182614.7
申请日：2012-06-04
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , B82Y15/00
Abstract: 本发明公开了光电探测器设计技术领域中的一种基于双光电转换层异维异质结构的光电探测器。包括上电极引线、透明导电光电子发射层、绝缘层、双光电转换层、电子接收层和下电极引线；透明导电光电子发射层、绝缘层、双光电转换层和电子接收层自上而下依次布置；透明导电光电子发射层采用碳纳米管薄膜；双光电转换层的上层采用氧化亚铜纳米颗粒薄膜，双光电转换层的下层采用氧化钛纳米管阵列；绝缘层中部含有一个透光窗口，碳纳米管薄膜通过透光窗口与氧化亚铜纳米颗粒薄膜接触；电子接收层采用钛薄片；上电极引线和碳纳米管薄膜与绝缘层相接触的区域相连；钛薄片下表面与下电极引线相连接。本发明具有较高的光电响应灵敏度，其结构简单且制作方便。
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公开(公告)号：CN100470242C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200410101814.0
申请日：2004-12-24
Applicant: 清华大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 一种基于光致电导变化率的碳纳米管检测及定性分类方法，涉及碳纳米管分类及检测技术。本发明是将具有宏观长度的碳纳米管束构成的细丝的两端分别与金属电极相连接，然后再将电极与测量源表相连接构成回路。检测时，用光束直接照射在碳纳米管束丝的中部，回路中的总电导会发生显著变化，其光致电导变化率(Δσ)的符号对应于不同的碳纳米管可正可负，依此将光致电导变化率为负值(Δσ＜0)的一类碳纳米管叫阴性碳纳米管，反之，将光致电导变化率为正值(Δσ＞0)的一类碳纳米管叫阳性碳纳米管，实验数据表明，光致电导变化率的符号和绝对值的大小反应了碳纳米管的直径、管壁层数以及纯净度等特性。
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公开(公告)号：CN1327201C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200510011170.0
申请日：2005-01-14
Applicant: 清华大学
IPC: G01K7/02
Abstract: 基于有序多壁碳纳米管束-金属异质结的温度传感器，涉及一种碳纳米管束-金属异质结的温度传感器。它是将具有宏观长度有序的碳纳米管束的顶端与金属导电薄膜相连接，在连接处形成碳纳米管束-金属异质结，然后，从金属导电薄膜和碳纳米管束的尾端分别引出电极，构成温度传感器。工作时，用导线把两电极和电流信号检测设备相连接构成回路，当异质结上的温度相对于碳纳米管束尾端的温度变化时，回路中即可产生热致电流，该电流的强度依赖于碳纳米管束两端表面的温差，即当温差增加时，热致电流也会增加，反之，温差减小时，热致电流也会减小。该温度传感器具有结构简单，制作方便，其响应速度快等特点。
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