基于宏观长度的氧化层包裹铜纳米线的光电导传感器

    公开(公告)号:CN100539209C

    公开(公告)日:2009-09-09

    申请号:CN200710064946.4

    申请日:2007-03-30

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 基于宏观长度的氧化层包裹铜纳米线的光电导传感器,涉及一种具有氧化亚铜包裹层的宏观长铜纳米线簇的光电导传感器件。它是利用银胶将宏观长铜纳米线簇的两端与两金属电极相连接构成回路,然后在回路中通以适当的电流,使铜纳米线表面在空气中氧化形成铜氧化物包裹层。将处理后的纳米线簇和连接它的电极端真空封装于石英套管内,并在套管外部留出电极的另一端作为引线。工作时,把两电极引线和电信号检测设备相连接,当有光束照射在纳米线簇的中央位置时,电路中电导会发生显著变化,其光电导的数值依赖于入射光的强度,即当光强增加时,光电导数值也会增加,反之,当光强减小时,光电导数值也会减小,且其光电响应速度很快。

    基于宏观长度的氧化层包裹铜纳米线的光电导传感器

    公开(公告)号:CN101026197A

    公开(公告)日:2007-08-29

    申请号:CN200710064946.4

    申请日:2007-03-30

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 基于宏观长度的氧化层包裹铜纳米线的光电导传感器,涉及一种具有氧化亚铜包裹层的宏观长铜纳米线簇的光电导传感器件。它是利用银胶将宏观长铜纳米线簇的两端与两金属电极相连接构成回路,然后在回路中通以适当的电流,使铜纳米线表面在空气中氧化形成铜氧化物包裹层。将处理后的纳米线簇和连接它的电极端真空封装于石英套管内,并在套管外部留出电极的另一端作为引线。工作时,把两电极引线和电信号检测设备相连接,当有光束照射在纳米线簇的中央位置时,电路中电导会发生显著变化,其光电导的数值依赖于入射光的强度,即当光强增加时,光电导数值也会增加,反之,当光强减小时,光电导数值也会减小,且其光电响应速度很快。

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