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公开(公告)号：CN1199846C
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN03137253.8
申请日：2003-06-03
Applicant: 清华大学
CPC classification number: B82Y30/00 , C23C2/00 , C23C26/00 , C30B29/605
Abstract: 纯银纳米管阵列及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明提供了一种全新的银管阵列及制备方法，它是在全固态环境且无任何模板的条件下，在常温、常压和大气中，通过改变银离子导电薄膜RbAg4I5的外加电场强度和作用时间制备出具有不同长度和直径的银管阵列；可以使制备的银管的长度达数微米以上，外径为百纳米量级、内径为几十纳米，且生长的方向是由直流电场方向控制的。本发明所制备的银管阵列可作为导线或器件应用于微电子学及光电子学领域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1258476C
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN03104876.5
申请日：2003-02-21
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种制备纯银单晶纳米线的方法及装置，属于纳米材料制备技术领域。本发明提供了一种全新的银单晶纳米线的制备方法，它是在全固态环境且无任何模板的条件下，在常温、常压和大气气氛中，通过改变银离子导电薄膜MxIM1-xIIAg4I5(MI和MII为K，Rb，Cs，x＝0～1)的外加电场强度和作用时间制备出具有不同长度和直径的银单晶纳米线；可以使制备的银纳米线的长度达几百微米以上，且生长的方向是由直流电场方向控制的。该方法操作简单，单晶纳米线的尺寸易于控制。本发明所制备的单晶银纳米线可作为导线或器件应用于纳米尺度的电子学及光电子学领域中。
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公开(公告)号：CN1464074A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN02121109.4
申请日：2002-06-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种固体电解质晶体材料及其晶体薄膜制备方法，属于固体电解质材料领域。本发明提供了一种固体电解质晶体材料及其晶体薄膜制备方法，该材料的化学式为Rb0.5Cs0.5Ag4I5，且在室温下具有立方晶体结构，晶格常数a＝1.131nm。晶体薄膜制备方法是取RbI、CsI和AgI三种粉末按摩尔比x＝0.5和y＝0.15～0.16配成(RbxCs1－xI)y(AgI)1－y混合物，利用真空热蒸镀方法，在真空室压强小于2×10－3Pa时，将其外延生长在加热至55～75℃的新解理的NaCl晶体基片上，膜沉积速率约为5～15nm/s。
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公开(公告)号：CN1522951A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN03104876.5
申请日：2003-02-21
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种制备纯银单晶纳米线的方法及装置，属于纳米材料制备技术领域。本发明提供了一种全新的银单晶纳米线的制备方法，它是在全固态环境且无任何模板的条件下，在常温、常压和大气气氛中，通过改变银离子导电薄膜MIxMII1－xAg4I5(MI和MII为K，Rb，Cs，x＝0～1)的外加电场强度和作用时间制备出具有不同长度和直径的银单晶纳米线；可以使制备的银纳米线的长度达几百微米以上，且生长的方向是由直流电场方向控制的。该方法操作简单，单晶纳米线的尺寸易于控制。本发明所制备的单晶银纳米线可作为导线或器件应用于纳米尺度的电子学及光电子学领域中。
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公开(公告)号：CN1223696C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN02121109.4
申请日：2002-06-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种固体电解质晶体材料及其晶体薄膜制备方法，属于固体电解质材料领域。本发明提供了一种固体电解质晶体材料及其晶体薄膜制备方法，该材料的化学式为Rb0.5Cs0.5Ag4I5，且在室温下具有立方晶体结构，晶格常数a＝1.131nm。晶体薄膜制备方法是取RbI、CsI和AgI三种粉末按摩尔比x＝0.5和y＝0.15～0.16配成(RbxCs1-xI)y(AgI)1-y混合物，利用真空热蒸镀方法，在真空室压强小于2×10-3Pa时，将其外延生长在加热至55～75℃的新解理的NaCl晶体基片上，膜沉积速率约为5～15nm/s，然后切断加热电流，即可制得Rb0.5Cs0.5Ag4I5的晶体薄膜。
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公开(公告)号：CN1460634A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN03137253.8
申请日：2003-06-03
Applicant: 清华大学
CPC classification number: B82Y30/00 , C23C2/00 , C23C26/00 , C30B29/605
Abstract: 纯银纳米管阵列及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明提供了一种全新的银管阵列及制备方法，它是在全固态环境且无任何模板的条件下，在常温、常压和大气中，通过改变银离子导电薄膜RbAg4I5的外加电场强度和作用时间制备出具有不同长度和直径的银管阵列；可以使制备的银管的长度达数微米以上，外径为百纳米量级、内径为几十纳米，且生长的方向是由直流电场方向控制的。本发明所制备的银管阵列可作为导线或器件应用于微电子学及光电子学领域中。
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