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公开(公告)号：CN1709789A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200510012005.7
申请日：2005-06-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 厘米级长度的银单晶纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明选用裸玻璃光纤为基底，用真空热蒸镀方法在裸玻璃光纤一侧沉积两片银膜分别作为阴极和阳极，在阴极和阳极之间沿光纤轴向沉积RbAg4I5银离子导电薄膜，并使其覆盖阴极和阳极。在真空中，对阴极和阳极之间施加恒定直流电压，经数十小时后，阴极边缘生长出长度达厘米量级的银单晶纳米线阵列。该方法在全固态环境且无任何模板的条件下实现，操作简单，阵列长度由通电时间控制，阵列中的银纳米线彼此平行排列，且该阵列易于从基底分离，可作为导线或器件应用于宏观尺度的电子学、光电子学领域中，或直接作为表面增强拉曼散射基底用于化学分析领域中。
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公开(公告)号：CN100469683C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200510012006.1
申请日：2005-06-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种制备面积为平方厘米量级的单晶银纳米线阵列的方法，属于纳米材料制备技术领域。该方法以玻璃为基底，首先在玻璃基底两端同时沉积两片Ag膜作为阴极和阳极，其Ag膜厚度为微米量级，再沉积RbAg4I5银离子导电膜，使得银离子导电膜覆盖阴极和阳极以及它们之间的空隙；然后在阴极和阳极之间施加恒定电流，使通过银离子导电膜的离子流密度为恒定值。该方法可制备出面积为平方厘米尺度的银纳米线阵列，所得的纳米线排列方向十分规则，晶体结构为面心立方结构；具有方法操作简单，条件容易控制，易从基底上剥离等特点。所制备的银纳米线阵列可作为器件直接应用于光学和电子学等领域中。
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公开(公告)号：CN100469682C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200510012005.7
申请日：2005-06-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 厘米级长度的银单晶纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明选用裸玻璃光纤为基底，用真空热蒸镀方法在裸玻璃光纤一侧沉积两片银膜分别作为阴极和阳极，在阴极和阳极之间沿光纤轴向沉积RbAg4I5银离子导电薄膜，并使其覆盖阴极和阳极。在真空中，对阴极和阳极之间施加恒定直流电压，经数十小时后，阴极边缘生长出长度达厘米量级的银单晶纳米线阵列。该方法在全固态环境且无任何模板的条件下实现，操作简单，阵列长度由通电时间控制，阵列中的银纳米线彼此平行排列，且该阵列易于从基底分离，可作为导线或器件应用于宏观尺度的电子学、光电子学领域中，或直接作为表面增强拉曼散射基底用于化学分析领域中。
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公开(公告)号：CN1709790A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200510012006.1
申请日：2005-06-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种制备面积为平方厘米量级的单晶银纳米线阵列的方法，属于纳米材料制备技术领域。该方法以玻璃为基底，首先在玻璃基底两端同时沉积两片Ag膜作为阴极和阳极，其Ag膜厚度为微米量级，再沉积RbAg4I5银离子导电膜，使得银离子导电膜覆盖阴极和阳极以及它们之间的空隙；然后在阴极和阳极之间施加恒定电流，使通过银离子导电膜的离子流密度为恒定值。该方法可制备出面积为平方厘米尺度的银纳米线阵列，所得的纳米线排列方向十分规则，晶体结构为面心立方结构；具有方法操作简单，条件容易控制，易从基底上剥离等特点。所制备的银纳米线阵列可作为器件直接应用于光学和电子学等领域中。
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