公开(公告)号：CN1107974C

公开(公告)日：2003-05-07

申请号：CN00134177.4

申请日：2000-12-08

Applicant: 清华大学

Inventor： 任天令 ,  李春晓 ,  张武全 ,  刘理天 ,  李志坚

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/70 ,  G01R31/00

Abstract: 本发明涉及一种用于模拟铁电电容的等效电路，包括控制电路和电容切换电路，控制电路的输入电压是电容切换电路的第一端口节点和第二端口节点之间的电压差；电容切换电路中的四个压控开关受控制电路的输出电压控制。本发明设计的模拟铁电电容的等效电路，不仅准确、而且简单易于实现。本发明设计的电路模型有利于铁电存储器的设计。由于铁电存储器的广泛应用，本发明适于非接触IC卡，MP3播放器，手持PC设备，军用芯片等许多领域。

公开(公告)号：CN1352515A

公开(公告)日：2002-06-05

申请号：CN01140441.8

申请日：2001-12-07

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘理天 ,  陈兢 ,  李志坚 ,  谭智敏

IPC: H04R9/08 ,  H04R31/00

Abstract: 单片集成电容式硅基微传声器及其制作工艺属于硅基微传声器技术领域,其特征在于:上电极振膜在声学孔处有纹槽以大大降低膜的应力,并采用复合膜结构使其膜的张应力和压应力相互抵消,下电极板为用单晶硅衬底制作,在上、下电极间有绝缘层,中间有气隙。复合膜采用多晶硅/氮化硅结构。纹槽共有六种结构。在纹槽间有一系列小的凹形支撑结构,背极背上有一层氮化硅保护层。在形成背极板的单晶硅衬底的上端面集成一个前置CMOS放大电路。背极板厚度可大于膜厚的十倍。它可用各向同性或各向异性腐蚀工艺制成,它具有:机械灵敏度好、频带宽、刚性好、抗电击穿、抗粘连、抗干扰等优点。

公开(公告)号：CN1334594A

公开(公告)日：2002-02-06

申请号：CN01130793.5

申请日：2001-08-24

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘泽文 ,  丁勇 ,  刘理天 ,  李志坚

IPC: H01L21/00 ,  H01F41/00

Abstract: 本发明属于半导体器件及集成电路制作技术领域,包括:备片、清洗;热氧化;淀积氮化硅阻挡层;第一次光刻,刻蚀氮化硅阻挡层;刻蚀二氧化硅;阳极氧化,形成多孔硅;去除二氧化硅、氮化硅;淀积二氧化硅支撑膜;致密;在硅片上溅射铝;第二次光刻,腐蚀铝,形成下层铝线;淀积氮化硅绝缘层;第三次光刻,刻蚀氮化硅绝缘层;在绝缘膜上溅射铝,作为上层金属;第四次光刻,腐蚀铝,形成上层铝线;合金;第五次光刻,形成释放孔;释放多孔硅;清洗、烘干。本方法不仅可以制作出悬浮结构MEMS电感,而且可以制作采用类似悬浮结构的滤波器、振荡器等,同时,完全的CMOS兼容工艺可以大大提高系统的集成度,降低系统成本,可望得到广泛应用。

公开(公告)号：CN1265000A

公开(公告)日：2000-08-30

申请号：CN00105555.0

申请日：2000-03-31

Applicant: 清华大学

Inventor： 任天令 ,  张林涛 ,  李志坚 ,  刘理天

IPC: H04R7/04

Abstract: 本发明涉及用于微麦克风和扬声器的悬臂式振膜结构及其制备方法,首先在单晶硅衬底淀积一层氮化硅,硅衬底背面腐蚀,形成背腔,在氮化硅上淀积一层二氧化硅,射频磁控溅射金属Pt/Ti层,再光刻金属Pt/Ti层,以形成底层电极;用溶胶－凝胶法在Pt/Ti层上制备PZT铁电薄膜,在PZT铁电薄膜上制备顶层电极,去除其中一侧,即为本发明的悬臂式振膜结构。采用本发明制备的悬臂式振膜结构,集成微麦克风和扬声器,其灵敏度和声输出有了明显提高。

公开(公告)号：CN101620952A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200810240374.5

申请日：2008-12-19

Applicant: 清华大学 ,  上海得倍电子技术有限公司

Inventor： 刘泽文 ,  侯智昊 ,  李志坚 ,  刘红超

IPC: H01H59/00 ,  H01P1/10 ,  H01H11/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种欧姆接触式射频开关，包括绝缘材料衬底、下电极，还包括偏置线、金属桥及偏置电阻，所述金属桥的两端跨接在分开的CPW地极上；所述偏置线穿过所述金属桥连接至所述偏置电阻，对所述下电极进行驱动。本发明还对应提出一种欧姆接触式射频开关的集成工艺。本发明的技术方案使用玻璃、陶瓷等绝缘材料作为衬底，利用PECVD工艺制作的非晶硅薄膜作为偏置电阻，实现了偏置电阻的片上集成；同时通过特殊的工艺步骤，实现了欧姆接触式射频开关，使其保持了MEMS器件的可集成、偏置电路简单等优点。

公开(公告)号：CN100399575C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200510002224.7

申请日：2005-01-18

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘泽文 ,  雷啸锋 ,  方杰 ,  刘理天 ,  李志坚

IPC: H01L29/00 ,  H01L27/00 ,  H01G5/00 ,  B81B7/00

Abstract: 本发明公开了属于半导体器件范围的一种采用弯曲极板实现高电容值调节范围的微机械可变电容。在高阻硅衬底上覆盖一层热氧化层，其上是厚度为0.15～3.0μm下极板金属层，在中部的下极板上为绝缘介质层，牺牲层将上极板支撑在下极板的两边的金属层上，使微机械可变电容上极板和下电极的间距为1～4μm。该上极板为向外弯曲极板，厚度为0.3～3.0μm，与牺牲层支撑梁连接。该可变电容的工艺流程和传统可变电容相同，并且机械性能均与传统可变电容基本相当，而电容值调节范围优于传统微机械可变电容。

公开(公告)号：CN1241650A

公开(公告)日：2000-01-19

申请号：CN99109821.8

申请日：1999-07-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘泽文 ,  刘理天 ,  李志坚

IPC: C25D1/00 ,  C25D1/10 ,  C25D7/12

Abstract: 本发明涉及一种在硅衬底上直接电铸三维金属结构的方法和专用夹具,该方法为首先对被镀硅片进行双面掺杂处理,然后在硅表面形成微模具,再将硅片放入氢氟酸缓冲液清洗,将清洗过的硅片放入电镀液槽中,进行电铸,最后进行合金化处理。本发明的夹具包括压盖、夹具主体、输入电极、弹性金属和金属板等部件。利用本发明的方法和专用夹具,获得了各种金属结构,包扩金X射线掩模、用于生物芯片铁镍合金微结构阵列、镍微加速度传感器结构。

公开(公告)号：CN1047420A

公开(公告)日：1990-11-28

申请号：CN89103289.4

申请日：1989-05-18

Applicant: 清华大学

Inventor： 李志坚 ,  罗跃林 ,  郑心畬 ,  刘理天

IPC: H01L49/00 ,  G01L9/00 ,  G01L13/06

Abstract: 本发明涉及到单晶硅压力传感器的制造方法及其结构。本发明提供了一种单晶硅压力传感器单面加工的新方法和单晶硅绝对压力传感器的盒式结构。本发明具有制造工艺简单、成品率高、成本低，与集成电路工艺兼容性好等优点

公开(公告)号：CN1042633A

公开(公告)日：1990-05-30

申请号：CN88107500

申请日：1988-11-10

Applicant: 清华大学

Inventor： 唐政 ,  李志坚

IPC: H03M1/76

Abstract: 一种电流型数/模转换器，属于集成电路设计。本发明提供一种全电流型数/模转换器，由N个加权恒流源阵列与N个常开的开关阵列组成。该转换器具有高集成、高速度、电路简单、易于实现等优点，是一种比较实用的数/模转换器。

公开(公告)号：CN2106421U

公开(公告)日：1992-06-03

申请号：CN91219291.7

申请日：1991-08-02

Applicant: 清华大学

Inventor： 钱佩信 ,  侯东彦 ,  陈必贤 ,  林惠旺 ,  李志坚

IPC: H01L21/324

Abstract: 红外快速热处理设备，属于超大规模集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本实用新型特征是由微机系统、红外热处理石英腔、悬臂传送片机构、双门过渡腔、自动取放片机构、高频感应加热源、测温与控温装置、气路及其控制等构成，微机自动控制半导体片的取放与传送、过渡腔双门的开闭、半导体片热处理温度和时间以及多路气体的流量从而实现自动快速热处理半导体片的目的，适用于集成电路和半导体器件的研制和工业化大生产。