公开(公告)号：CN1131557C

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN01130793.5

申请日：2001-08-24

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘泽文 ,  丁勇 ,  刘理天 ,  李志坚

IPC: H01L21/70 ,  H01F41/00

Abstract: 本发明属于半导体器件及集成电路制作技术领域，包括：备片、清洗：热氧化；淀积氮化硅阻挡层；第一次光刻，刻蚀氮化硅阻挡层；刻蚀二氧化硅；阳极氧化，形成多孔硅；去除二氧化硅、氮化硅；淀积二氧化硅支撑膜；致密；在硅片上溅射铝；第二次光刻，腐蚀铝，形成下层铝线；淀积氮化硅绝缘层；第三次光刻，刻蚀氮化硅绝缘层；在绝缘膜上溅射铝，作为上层金属；第四次光刻，腐蚀铝，形成上层铝线；合金；第五次光刻，形成释放孔；释放多孔硅；清洗、烘干。本方法不仅可以制作出悬浮结构MEMS电感，而且可以制作采用类似悬浮结构的滤波器、振荡器等，同时，完全的CMOS兼容工艺可以大大提高系统的集成度，降低系统成本，可望得到广泛应用。

公开(公告)号：CN1334594A

公开(公告)日：2002-02-06

申请号：CN01130793.5

申请日：2001-08-24

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘泽文 ,  丁勇 ,  刘理天 ,  李志坚

IPC: H01L21/00 ,  H01F41/00

Abstract: 本发明属于半导体器件及集成电路制作技术领域,包括:备片、清洗;热氧化;淀积氮化硅阻挡层;第一次光刻,刻蚀氮化硅阻挡层;刻蚀二氧化硅;阳极氧化,形成多孔硅;去除二氧化硅、氮化硅;淀积二氧化硅支撑膜;致密;在硅片上溅射铝;第二次光刻,腐蚀铝,形成下层铝线;淀积氮化硅绝缘层;第三次光刻,刻蚀氮化硅绝缘层;在绝缘膜上溅射铝,作为上层金属;第四次光刻,腐蚀铝,形成上层铝线;合金;第五次光刻,形成释放孔;释放多孔硅;清洗、烘干。本方法不仅可以制作出悬浮结构MEMS电感,而且可以制作采用类似悬浮结构的滤波器、振荡器等,同时,完全的CMOS兼容工艺可以大大提高系统的集成度,降低系统成本,可望得到广泛应用。