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公开(公告)号：CN1047420A
公开(公告)日：1990-11-28
申请号：CN89103289.4
申请日：1989-05-18
Applicant: 清华大学
Inventor： 李志坚 , 罗跃林 , 郑心畬 , 刘理天
IPC: H01L49/00 , G01L9/00 , G01L13/06
Abstract: 本发明涉及到单晶硅压力传感器的制造方法及其结构。本发明提供了一种单晶硅压力传感器单面加工的新方法和单晶硅绝对压力传感器的盒式结构。本发明具有制造工艺简单、成品率高、成本低，与集成电路工艺兼容性好等优点
